分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
CGH35240F	482.5000	询价	19	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V		安装结构	440201	CGH35240	3.1GHz～3.5GHz	HEMT		440201	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	25				-	1A	220W	11.5分贝											-								28V
GTRA214602FC-V1-R0	188.4650	询价	3026	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA214602	2.11GHz～2.17GHz	HEMT		H-37248C-4	-				1697-GTRA214602FC-V1-R0TR			50	-			-	150毫安	490W	14.4分贝											-								48V
CGHV27060MP	132.4400	询价	210	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	150伏		表面贴装	20-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）	CGHV27060	2.7GHz	HEMT		20-TSSOP	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250				6.3A	125毫安	80W	16.5分贝											-								50V
C3M0045065L-TR	15.5500	询价	151	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	8-PowerSFN			SiCFET（碳化硅）		收费	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	2,000			N沟道					650伏	49A（温度）	15V	60毫欧@17.6A，15V	3.6V@4.84mA	59nC@15V	+19V，-8V	1621 pF @ 400 V	-	164W（温度）
PXAC241002FC-V1-R0	-	询价	4556	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的					PXAC241002					-	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50
GTVA107001EC-V1-R250	850.0875	询价	7498	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		安装结构	H-36248-2	GTVA107001	960MHz～1.215GHz	HEMT		H-36248-2	下载				1697-GTVA107001EC-V1-R250TR	EAR99	8541.29.0075	250				-	100毫安	700W	20分贝											-								50V
C3M0350120D	6.7300	询价	3	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	C3M0350120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载		不适用		1697-C3M0350120D	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	7.6A（温度）	15V	455毫欧@3.6A，15V	3.6V@1mA	19nC@15V	+15V，-4V	1000V时为345pF	-	50W（温度）
C3D08065E-TR	2.7806	询价	8873	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D08065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载		1（无限制）		1697-C3D08065E-TR	EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@8A	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	25.5A	395pF @ 0V、1MHz
CMPA2060035D	772.4800	询价	7211	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	84V		表面贴装	死		2GHz～6GHz	HEMT		死	-				1697-CMPA2060035D			1	-			-	1.2A	35W	27分贝											-								28V
PXFE181507FC-V1-R2	59.6156	询价	4085	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		表面贴装	H-37248G-4/2	PXFE181507	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS		H-37248G-4/2	下载				1697-PXFE181507FC-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250				10微安	900毫安	175W	20分贝											-								28V
CGHV31500F1	709.3100	询价	1052	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	50V			440226		2.7GHz～3.1GHz	HEMT		440226	下载		3（168小时）		1697-CGHV31500F1	宣传册3A001B3	8541.29.0075	25				-	500毫安	500W	15分贝											-								50V
GTRA364002FC-V1-R2	208.1408	询价	4439	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA364002	3.4GHz～3.6GHz	HEMT		H-37248C-4	下载				1697-GTRA364002FC-V1-R2TR	宣传册3A001B3	8541.29.0075	250				-	220毫安	400W	13分贝											-								48V
CCB032M12FM3T	188.1800	询价	5	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CCB032		碳化硅（SiC）	10毫W	模块	下载		不适用		1697-CCB032M12FM3T			18	6 个 N 沟道（路面桥）							1200V	40A（Tj）		42.6毫欧@30A，15V	3.6V@11.5mA	118nC@15V		3400pF@800V	碳化硅（SiC）
PTFC270051M-V2-R1K	-	询价	1937年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的					PTFC270051					下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1,000
CGH60120D-GP4	176.9200	询价	90	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V			死	CGH60120	6GHz	HEMT		死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	10				-	1A	120W	13分贝											-								28V
E3M0280090D	7.1900	询价	508	沃尔夫斯皮德公司	E系列，汽车	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	E3M0280090		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					900伏	11.5A（温度）	15V	360毫欧@7.5A，15V	3.5V@1.2mA	9.5nC@15V	+18V、-8V	150 pF @ 600 V	-	54W（温度）
CSD10060G	-	询价	1308	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	过时的			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			SiC（碳化硅）肖特基		TO-263-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1,000		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.8V@10A	0纳秒	600V时为200μA	-55℃～175℃	16.5A	550pF @ 0V、1MHz
C6D04065A	2.8600	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C6D04065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		1697-C6D04065A	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.27V@4A	0纳秒		-	4A	-
C3M0065100J-TR	13.4148	询价	4930	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0065100		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载					EAR99	8541.29.0095	800			N沟道					1000伏	35A（温度）	15V	78毫欧@20A，15V	3.5V@5mA	35nC@15V	+15V，-4V	660 pF @ 600 V	-	113.5W（温度）
C3M0025065D	27.8700	询价	8173	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	C3M0025065		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	不适用			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					650伏	97A（温度）	15V	34毫欧@33.5A，15V	3.6V@9.22mA	108nC@15V	+19V，-8V	2980 pF @ 600 V	-	326W（温度）
PTFB241402FC-V1-R250	84.1764	询价	3934	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计						-	-			-				1697-PTFB241402FC-V1-R250TR			250	-			-		-	-											-
CAB425M12XM3	772.6200	询价	2786	沃尔夫斯皮德公司	CAB425M12XM3	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	CAB425M12		碳化硅（SiC）	50毫W		下载		1（无限制）			EAR99	8541.21.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	450A		4.2毫欧@425A，15V	3.6V@115mA	1135nC@15V		30.7nF@800V	-
PTFB092707FH-V1-R250	-	询价	2276	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的										下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
X3M0120065L	5.3934	询价	7394	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极										-				1697-X3M0120065LTR			200
PTVA102001EA-V1-R2	156.9692	询价	8897	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极					PTVA102001					下载	符合RoHS标准	1（无限制）					250
CGHV38375F	932.3300	询价	26	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	150伏			440226		2.75GHz～3.75GHz	N化镓		440226	下载		3（168小时）		1697-CGHV38375F	宣传册3A001B3	8541.29.0095	50	-			-	500毫安	400W	12.5分贝											-								50V
GTRB204402FC/1-V1-R2	117.2610	询价	4152	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V		表面贴装	H-37248C-4	GTRB204402	1.93GHz～2.02GHz	HEMT		H-37248C-4	-				1697-GTRB204402FC/1-V1-R2TR			250	-			-		350W	16.3分贝											-
GTRA364002FC-V1-R0	230.9100	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA364002	3.4GHz～3.6GHz	HEMT		H-37248C-4	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	50				-	220毫安	400W	13分贝											-								48V
PTFC210202FC-V1-R0	68.8500	询价	30	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V		安装结构	H-37248-4	PTFC210202	2.2GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8542.33.0001	50	双重的			-	170毫安	5W	21分贝											-								28V
WAS310M17BM3	1.0000	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-	安装结构	模块	WAS310		MOSFET（金属O化物）	-	-	下载		不适用		1697-WAS310M17BM3	EAR99	8541.29.0095	1	-							1700V	310A		-	-	-		-	标准

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²