分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
GTRA214602FC-V1-R2	181.3798	询价	5192	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA214602	2.11GHz～2.17GHz	HEMT		H-37248C-4	-				1697-GTRA214602FC-V1-R2TR			250	-			-	150毫安	490W	14.4分贝											-								48V
PTVA127002EV-V1-R250	454.6128	询价	9916	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极					PTVA127002					下载	符合RoHS标准	1（无限制）					250
WS1A3640-V1-R3K	26.9391	询价	5420	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	20-TFLGA 裸露焊盘	WS1A3640	3.3GHz～3.8GHz	-		20-LGA (6x6)	-				1697-WS1A3640-V1-R3KTR			3,000	-			-	70毫安	10W	12.5分贝											-								48V
PTFA211801E-V5-R0	156.1586	询价	2457	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V			2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA211801	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS		H-36260-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50				10微安	1.2A	180W	15.5分贝											-								28V
CGH27030P	119.4200	询价	46	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V		表面贴装	440196	CGH27030	2.3GHz～2.9GHz	HEMT		440196	-		1（无限制）		1697-CGH27030P	EAR99	8541.29.0075	50				-	150毫安	30W	14.5分贝											-								28V
C2M1000170D	9.4700	询价	5	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	C2M1000170		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1700伏	4.9A（温度）	20V	1.1欧姆@2A，20V	2.4V@100μA	13nC@20V	+25V，-10V	191pF@1000V	-	69W（温度）
PTFB211503EL-V1-R0	-	询价	9949	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		安装结构	H-33288-6		2.17GHz	LDMOS		H-33288-6	下载		1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50				-	1.2A	32W	18分贝											-								30V
C3D06060F	3.8800	询价	5	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2全包	C3D06060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-F2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.8V@6A	0纳秒	50μA@600V	-55℃～175℃	7.5A	294pF @ 0V、1MHz
C3D04065E	2.7300	询价	5485	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D04065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准				EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@4A	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	13.5A	251pF @ 0V、1MHz
CAS300M17BM2	1.0000	询价	41	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	盒子	不适合新设计		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAS300		碳化硅（SiC）	1760W	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1700V（1.7kV）	325A（温度）		10毫欧@225A，20V	2.3V@15mA（典型值）	1076nC@20V		20000pF@1000V	-
PXAC203302FV-V1-R250	-	询价	8837	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的					PXAC203302					下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250
C3D02060A	1.6000	询价	第849章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C3D02060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.7V@2A	0纳秒	50μA@600V	-55℃～175℃	5A	120pF @ 0V、1MHz
E4D02120E	1.1044	询价	4622	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	E4D02120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	-				1697-E4D02120E			75		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@2A	0纳秒	1200V时为50μA	-55℃～175℃	8A	153pF @ 0V、1MHz
E4D20120D	25.8100	询价	第284章	沃尔夫斯皮德公司	E系列，汽车	管子	的积极			通孔	TO-247-3	E4D20120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-3	下载		1（无限制）		1697-E4D20120D	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@10A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	33A	712pF @ 0V、1MHz
CG2H30070F	351.3600	询价	8586	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	120V			440224	CG2H30070	0Hz～4GHz	N化晶体管高电子迁移率晶体管		440224	下载		不适用			宣传册 3A001B3A4	8541.29.0095	50				-	1A	75W	12分贝											-								28V
PTFB241402FC-V1-R0	92.5940	询价	8127	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计						-	-			-				1697-PTFB241402FC-V1-R0TR			50	-			-		-	-											-
C6D10065G-TR	4.4700	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			SiC（碳化硅）肖特基		TO-263-2	下载		3（168小时）			EAR99	8541.10.0080	800		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.4V@10A	0纳秒	650V时为20μA	-55℃～175℃	36A	611pF @ 0V、1MHz
CGHV40030P	133.0521	询价	4457	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	150伏		表面贴装	440196	CGHV40030	6GHz	HEMT		440196	下载	符合ROHS3标准	不适用	REACH 不出行	1697-CGHV40030P	EAR99	8541.29.0075	100				-	150毫安	30W	16分贝											-								50V
PXAC192908FV-V1-R0	148.1132	询价	5647	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极					PXAC192908					下载	符合RoHS标准	1（无限制）					50
GTVA261802FC-V1-R0	115.5320	询价	5240	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTVA261802	2.62GHz～2.69GHz	HEMT		H-37248C-4	下载				1697-GTVA261802FC-V1-R0TR	EAR99	8541.29.0075	50				-	160毫安	170W	16.8分贝											-								48V
PTFB241402F-V1-R250	73.0796	询价	3709	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		安装结构	H-37248-4	PTFB241402	2.4GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250	双重的			-	120毫安	110W	17分贝											-								30V
PXAC210552ND-V1-R5	31.2924	询价	第1335章	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V			PG-HB1SOF-4	PXAC210552	1.805GHz～2.17GHz	LDMOS		PG-HB1SOF-4	-	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	500	双重的			1微安		52.8W	6.5分贝											-
PTVA123501EC-V2-R0	364.2900	询价	45	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTVA123501	1.2GHz～1.4GHz	LDMOS		H-36248-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				-	150毫安	350W	17分贝											-								50V
CPW2-1200-S010B-FR1	-	询价	1080	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的			-	-			-		-	-		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	1,000		-																					-	-	-
E3D30065D	19.3900	询价	第525章	沃尔夫斯皮德公司	E系列，汽车	管子	的积极			通孔	TO-247-3	E3D30065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-3	下载				1697-E3D30065D	EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@16A	0纳秒	650V时为95μA	-55℃～175℃	42A	744pF @ 0V、1MHz
CCB032M12FM3	178.9200	询价	9924	沃尔夫斯皮德公司	狼包™	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CCB032		碳化硅（SiC）	10毫W	-	下载	不符合RoHS标准	不适用			EAR99	8541.29.0095	18	6 个 N 沟道（路面桥）							1200V（1.2kV）	40A		42.6毫欧@30A，15V	3.6V@11.5mA	118nC@15V		3400pF@800V	-
C5D10170H	-	询价	2927	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	过时的			通孔	TO-247-2	C5D10170		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-2	下载		不适用			EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1700伏	1.8V@10A	0纳秒	1700V时为200μA	-55℃～175℃	33A	830pF @ 0V、1MHz
E3D08065G	4.1000	询价	第489章	沃尔夫斯皮德公司	E系列，汽车	管子	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	E3D08065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-263-2	下载				1697-E3D08065G	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@8A	0纳秒	51μA@650V	-55℃～175℃	22A	369pF @ 0V、1MHz
WAS530M12BM3	1.0000	询价	5110	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	WAS530		碳化硅（SiC）	-	-	下载		不适用			EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	630A（温度）		3.47毫欧@530A，15V	3.6V@127mA	1362nC@15V		38900pF@800V	-
C3M0120065K	8.5600	询价	928	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4			SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合RoHS标准	不适用			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					650伏	22A（温度）	15V	157毫欧@6.76A，15V	3.6V@1.86mA	28nC@15V	+19V，-8V	640 pF @ 400 V	-	98W（温度）

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²