分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
PXAC243502FV-V1-R250	157.4287	询价	5769	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		表面贴装	H-37275-4	PXAC243502	2.4GHz	LDMOS	H-37275-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	250				-	850毫安	68W	15分贝											-								28V
C3D04060A	2.8900	询价	25	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C3D04060		SiC（碳化硅）肖特基	TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.8V@4A	0纳秒	50μA@600V	-55℃～175℃	13.5A	251pF @ 0V、1MHz
C3M0075120D	17.9000	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	C3M0075120		SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	30A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	4V@5mA	54nC@15V	+19V，-8V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W（温度）
PTFB211501E-V1-R250	-	询价	6520	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFB211501	2.17GHz	LDMOS	H-36248-2	下载		1（无限制）			5A991G	8541.21.0095	250				-	1.2A	40W	18分贝											-								30V
C4D02120E-TR	3.0200	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C4D02120		SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@2A	0纳秒	1200V时为50μA	-55℃～175℃	10A	167pF @ 0V、1MHz
C3D10065E-TR	3.3875	询价	4152	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D10065		SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载		1（无限制）		1697-C3D10065E-TR	EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@10A	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	32A	460.5pF @ 0V、1MHz
C3M0120065J-TR	5.5732	询价	8485	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0120065		SiC（碳化硅结晶体管）	TO-263-7	-				1697-C3M0120065J-TR			800			N沟道					650伏	21A（温度）	15V	157毫欧@6.76A，15V	3.6V@1.86mA	26nC@15V	+19V，-8V	640 pF @ 400 V		86W（温度）
PTVA082407NF-V1-R5	-	询价	6303	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	105V		表面贴装	HBSOF-4-1	PTVA082407	746MHz～821MHz	LDMOS	PG-HBSOF-4-1	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	500				10微安	900毫安	225W	20.5分贝											-								48V
PTRA083818NF-V1-R5	85.6207	询价	6126	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	HBSOF-6-2	PTRA083818	733MHz～805MHz	LDMOS	PG-HBSOF-6-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	500				10微安	200毫安	275W	18.6分贝											-								48V
GTVA212701FA-V2-R0	143.5988	询价	5987	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-87265J-2	GTVA212701	2.11GHz～2.2GHz	HEMT	H-87265J-2	下载		1（无限制）		1697-GTVA212701FA-V2-R0	EAR99	8541.29.0075	50				-	320毫安	270W	19分贝											-								48V
C3M0032120D	32.9000	询价	320	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	C3M0032120		SiCFET（碳化硅）	TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	63A（温度）	15V	43毫欧@40A，15V	3.6V@11.5mA	114nC@15V	+15V，-4V	1000V时为3357pF	-	283W（温度）
C4D08120A	10.1400	询价	第737章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C4D08120		SiC（碳化硅）肖特基	TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@7.5A	0纳秒	1200V时为250μA	-55℃～175℃	24.5A	560pF @ 0V、1MHz
C4D05120E-TR	4.3991	询价	7867	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C4D05120		SiC（碳化硅）肖特基	TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.10.0080	800		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@5A	0纳秒	150μA@1200V	-55℃～175℃	19A	390pF @ 0V、1MHz
GTRA374902FC-V1-R0	222.4504	询价	5049	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA374902	3.6GHz～3.7GHz	HEMT	H-37248C-4	-				1697-GTRA374902FC-V1-R0TR			50	-			-	250毫安	450W	12分贝											-								48V
CGH40006S	43.6100	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	84V			6-VDFN 裸露焊盘	CGH40	0Hz～6GHz	HEMT	6-QFN-EP (3x3)	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0075	200				-	100毫安	8W	12分贝											-								28V
PTRA094252FC-V1-R0	-	询价	8917	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	105V			H-37248-4	PTRA094252	746MHz～960MHz	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50	双重、共同来源			10微安		351.5W	23分贝											-
C3M0120090J	11.9200	询价	6	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0120090		SiCFET（碳化硅）	TO-263-7	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					900伏	22A（温度）	15V	155毫欧@15A，15V	3.5V@3mA	17.3nC@15V	+18V、-8V	350 pF @ 600 V	-	83W（温度）
PC3M0060065L	11.5241	询价	8820	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极		-	表面贴装	8-PowerSFN	PC3M00600		SiCFET（碳化硅）	收费	-					EAR99	8541.29.0095	200			-					650伏	38A	-	-	-		-		-	126W
CGHV1F025S	114.4400	询价	80	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	100V			12-VFDFN 裸露焊盘	CGHV1	0Hz～15GHz	HEMT	12-DFN (4x3)	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			宣传册3A001B3	8541.29.0095	250				2A	150毫安	29W	11.6分贝											-								40V
CRF24010FE	-	询价	8073	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	过时的	120V			440166		1.95GHz	SiC（碳化硅）MESFET	440166	下载		3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	36				1.8A	500毫安	12W	15分贝											3.1分贝								48V
PTFB091507FH-V1-R0	80.5450	询价	9824	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFB091507	960兆赫	LDMOS	H-34288-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50				-	1.2A	50W	20分贝											-								28V
CMPA1H1J050F	1.0000	询价	4659	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	84V		安装结构	模块		17.3GHz～19.2GHz	-	-	-				1697-CMPA1H1J050F			30	-			-	400毫安	60W	28.9分贝											-								28V
C3M0040120K	24.5600	询价	2399	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-4	C3M0040120		SiCFET（碳化硅）	TO-247-4L	下载		不适用			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	66A（温度）	15V	53.5毫欧@33.3A，15V	3.6V@9.2mA	99nC@15V	+15V，-4V	1000V时为2900pF	-	326W（温度）
CGHV22200F	-	询价	8112	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	管子	过时的	125V			440162		1.8GHz～2.2GHz	HEMT	440162	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1				12A	1A	200W	18分贝											-								50V
PTRA093302FC-V1-R0	-	询价	1975年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	105V		安装结构	H-37248-4	PTRA093302	768兆赫	LDMOS	H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				10微安	400毫安	79W	17.25分贝											-								48V
C3M0065100J	19.3400	询价	3	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0065100		SiCFET（碳化硅）	D2PAK-7	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					1000伏	35A（温度）	15V	78毫欧@20A，15V	3.5V@5mA	35nC@15V	+15V，-4V	660 pF @ 600 V	-	113.5W（温度）
GTRA214602FC-V1-R2	181.3798	询价	5192	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA214602	2.11GHz～2.17GHz	HEMT	H-37248C-4	-				1697-GTRA214602FC-V1-R2TR			250	-			-	150毫安	490W	14.4分贝											-								48V
PTVA127002EV-V1-R250	454.6128	询价	9916	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极					PTVA127002				下载	符合RoHS标准	1（无限制）					250
WS1A3640-V1-R3K	26.9391	询价	5420	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	20-TFLGA 裸露焊盘	WS1A3640	3.3GHz～3.8GHz	-	20-LGA (6x6)	-				1697-WS1A3640-V1-R3KTR			3,000	-			-	70毫安	10W	12.5分贝											-								48V
PTFA211801E-V5-R0	156.1586	询价	2457	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V			2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFA211801	2.11GHz～2.17GHz	LDMOS	H-36260-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	50				10微安	1.2A	180W	15.5分贝											-								28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²