分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
CGHV35400F1	709.3400	询价	31	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	150伏			440226		2.9GHz～3.5GHz	HEMT		440226	下载		3（168小时）	1697-CGHV35400F1	宣传册3A001B3	8541.29.0075	20				-	500毫安	400W	15分贝											-								50V
C4D08120E-TR	6.6064	询价	3641	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C4D08120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	800		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@8A	0纳秒	1200V时为250μA	-55℃～175℃	24.5A	560pF @ 0V、1MHz
C3D08065A	5.5400	询价	第871章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C3D08065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@8A	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	24A	441pF @ 0V、1MHz
PTFB212503FL-V2-R0	-	询价	7109	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		2.17GHz	LDMOS		H-34288-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	1.85安	55W	18.1分贝											-								30V
C2M1000170J-TR	6.5595	询价	6	沃尔夫斯皮德公司	C2M™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C2M1000170		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	800			N沟道					1700伏	5.3A（温度）	20V	1.4欧姆@2A，20V	3.1V@500μA（典型值）	13nC@20V	+25V，-10V	200 pF @ 1000 V	-	78W（温度）
CGHV14250F	410.1000	询价	34	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440162	CGHV14250	1.2GHz～1.4GHz	HEMT		440162	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				42毫安	500毫安	330W	18分贝											-								50V
PTFA080551F-V4-R250	49.4678	询价	2874	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		表面贴装	H-37265-2	PTFA080551	960兆赫	LDMOS		H-37265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250				10微安	600毫安	55W	18.5分贝											-								28V
C4D15120A	17.9000	询价	9682	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C4D15120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@15A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	43.5A	1200pF @ 0V、1MHz
GTRA184602FC-V1-R2	181.3798	询价	9087	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA184602	1.805GHz～1.88GHz	HEMT		H-37248C-4	-			1697-GTRA184602FC-V1-R2TR			250	-			-	150毫安	460W	15.5分贝											-								48V
C3D04065E-TR	1.3702	询价	2283	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D04065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@4A	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	13.5A	251pF @ 0V、1MHz
CG2H40120F	354.6900	询价	4	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	84V		安装结构	440223	CG2H40120	2.5GHz	HEMT		440223	下载	符合RoHS标准	不适用		EAR99	8541.29.0040	100				28A	1A	130W	20分贝											-								28V
PXAC260602FC-V1-R0	82.5176	询价	6017	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC260602	2.69GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8542.33.0001	50				-	85毫安	5W	15.7分贝											-								28V
CGH35030F	119.4200	询价	16	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	84V		安装结构	440166	CGH35030	3.3GHz～3.9GHz	HEMT		440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				-	120毫安	30W	11.5分贝											-								28V
WS1A3640-V1-R1	42.1310	询价	2519	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	20-TFLGA 裸露焊盘	WS1A3640	3.3GHz～3.8GHz	-		20-LGA (6x6)	-			1697-WS1A3640-V1-R1TR			100	-			-	70毫安	10W	12.5分贝											-								48V
CMPA2735015D	129.6400	询价	4489	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	150伏		表面贴装	死		2.7GHz～3.5GHz	HEMT		死	-			1697-CMPA2735015D			1	-			-	80毫安	15W	35分贝											-								50V
CAR600M17HN6	3.0000	询价	4105	沃尔夫斯皮德公司	-	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	车600		碳化硅（SiC）	50毫W	模块	下载		不适用		EAR99	8541.21.0095	1	2个N沟道（半桥）							1700V（1.7kV）	986A（TC）		-	-	-		55700pF@0V	-
C3M0120100J-TR	11.5256	询价	7202	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极										-			1697-C3M0120100J-TR			800
PTVA035002EV-V1-R0	410.1256	询价	6317	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	105V		安装结构	H-36275-4	PTVA035002	390MHz～450MHz	LDMOS		H-36275-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				-	500毫安	500W	18分贝											-								50V
PXAC241002FC-V1-R2	-	询价	5363	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的				-	PXAC241002	-	-		-	-	符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0075	250	-			-		-	-											-
C3M0015065D	46.2800	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	C3M0015065		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					650伏	120A（温度）	15V	21毫欧@55.8A，15V	3.6V@15.5mA	188nC@15V	+15V，-4V	5011 pF @ 400 V	-	416W（温度）
GTRB204402FC/1-V1-R0	125.4420	询价	6566	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V		表面贴装	H-37248C-4	GTRB204402	1.93GHz～2.02GHz	HEMT		H-37248C-4	-			1697-GTRB204402FC/1-V1-R0TR			50	-			-		350W	16.3分贝											-
CCB021M12FM3	230.0400	询价	72	沃尔夫斯皮德公司	狼包™	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CCB021		碳化硅（SiC）	10毫W	-	下载	不符合 RoHS 指令	不适用		EAR99	8541.29.0095	18	6 个 N 沟道（路面桥）							1200V（1.2kV）	51A		27.9毫欧@30A，15V	3.6V@17.7mA	162nC@15V		800V时为4900pF	-
GTRB424908FC/1-V1-R2	202.1939	询价	9410	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V		表面贴装	H-37248KC-6/2	GTRB424908	3.7GHz～4GHz	HEMT		H-37248KC-6/2	-			1697-GTRB424908FC/1-V1-R2TR			250	-			-		450W	12分贝											-
PTFB212503FL-V2-R250	-	询价	7187	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		2.17GHz	LDMOS		H-34288-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250				-	1.85安	55W	18.1分贝											-								30V
PTAC240502FC-V1-R250	69.3749	询价	3392	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计					PTAC240502					下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	250
C6D50065H	17.7500	询价	6353	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极					C6D50065					-		不适用	1697-C6D50065H			30
PTRA094858NF-V1-R5	105.3713	询价	9249	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	PG-HBSOF-6-3	PTRA094858	859MHz～960MHz	LDMOS		PG-HBSOF-6-3	下载			1697-PTRA094858NF-V1-R5TR			500	-			10微安	450毫安	400W	17.75分贝											-								48V
C3M0075120J-TR	12.3604	询价	7986	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0075120		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载				EAR99	8541.29.0095	800			N沟道					1200伏	30A（温度）	15V	90毫欧@20A，15V	4V@5mA	51nC@15V	+15V，-4V	1350 pF @ 1000 V	-	113.6W（温度）
PTAC240502FC-V1-R0	79.6526	询价	第1639章	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V		安装结构	H-37248-4	PTAC240502	2.4GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8542.33.0001	50				10微安	120毫安	50W	14.3分贝											-								28V
CAB008A12GM3T	338.4400	询价	2287	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAB008		碳化硅（SiC）	10毫W	模块	下载		不适用	1697-CAB008A12GM3T			18	2个N沟道（半桥）							1200V	182A（Tj）		10.4毫欧@150A，15V	3.6V@46mA	472nC@15V		13600pF@800V	碳化硅（SiC）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²