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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 测试 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | PTFB091507FH-V1-R0 | 80.5450 | ![]() | 9824 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 的积极 | 65V | 表面贴装 | 2 箔封装、翅片安装、法兰式 | PTFB091507 | 960兆赫 | LDMOS | H-34288-4/2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 1.2A | 50W | 20分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GTRB384608FC-V1-R2 | 171.5546 | ![]() | 3478 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 48V | 表面贴装 | H-37248KC-6/2 | GTRB384608 | 3.3GHz~3.8GHz | HEMT | H-37248KC-6/2 | - | 1697-GTRB384608FC-V1-R2TR | 250 | - | - | 440W | 12.3分贝 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C4D10120E | 11.9400 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C4D10120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 33A | 754pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFC261402FC-V1-R0 | 100.3798 | ![]() | 2435 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 的积极 | 65V | - | PTFC261402 | 2.69GHz | LDMOS | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 900毫安 | 28W | 18分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA120251EA-V2-R0 | 52.7700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 105V | 安装结构 | H-36265-2 | PTVA120251 | 1.2GHz~1.4GHz | LDMOS | H-36265-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 50毫安 | 25W | 18分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CAB011M12FM3T | 182.9200 | ![]() | 4634 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 盒子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | CAB011 | 碳化硅(SiC) | 10毫W | 模块 | - | 不适用 | 1697-CAB011M12FM3T | 18 | 2个N沟道(半桥) | 1200V | 105A(Tj) | 14毫欧@100A,15V | 3.6V@35mA | 324nC@15V | 10300pF@800V | 碳化硅(SiC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C6D50065D1 | 18.5600 | ![]() | 9650 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | C6D50065 | - | 不适用 | 1697-C6D50065D1 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | E4D20120G | 22.5100 | ![]() | 3931 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | E系列,汽车 | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | E4D20120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-263-2 | 下载 | 1(无限制) | 1697-E4D20120G | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@20A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 56A | 1474pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV37400F | 951.2700 | ![]() | 45 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 125V | 安装结构 | 440217 | CGHV37400 | 3.3GHz~3.8GHz | HEMT | 440217 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0075 | 50 | - | 1A | 525W | 14分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C3D06065E | 4.1500 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 不适合新设计 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D06065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 20A | 295pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV35060MP-AMP1 | 801.6100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 大部分 | 的积极 | 150伏 | 表面贴装 | 20-TSSOP(0.173英寸,4.40毫米宽) | 2.7GHz~3.8GHz | HEMT | 20-TSSOP | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 1(无限制) | 3A001B4 | 8543.70.9810 | 1 | - | 125毫安 | 60W | 14.5分贝 | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPA2735075D | 386.8800 | ![]() | 5961 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | 的积极 | 84V | 表面贴装 | 死 | 2.7GHz~3.5GHz | HEMT | 死 | - | 1697-CMPA2735075D | 1 | - | - | 800毫安 | 75W | 30分贝 | - | 28V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAB008M12GM3T | 258.4300 | ![]() | 8284 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 盒子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | CAB008 | 碳化硅(SiC) | 10毫W | 模块 | 下载 | 不适用 | 1697-CAB008M12GM3T | 18 | 2个N沟道(半桥) | 1200V | 146A(Tj) | 10.4毫欧@150A,15V | 3.6V@46mA | 472nC@15V | 13600pF@800V | 碳化硅(SiC) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH40010P | 63.2291 | ![]() | 4267 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 不适合新设计 | 28V | 440196 | CGH40010 | 0Hz~6GHz | HEMT | 440196 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | Q5044892 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | 200毫安 | 12.5W | 14.5分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB183404F-V2-R0 | - | ![]() | 8923 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 过时的 | 65V | 表面贴装 | H-37275-6/2 | 1.88GHz | LDMOS | H-37275-6/2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 2.6安 | 80W | 17分贝 | - | 30V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | C6D08065E | 3.5600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C6D08065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 75 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.5V@8A | 0纳秒 | 40μA@650V | -55℃~175℃ | 29A | 518pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV96050F1 | 511.2600 | ![]() | 50 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 100伏 | 440210 | CGHV96050 | 7.9GHz~9.6GHz | HEMT | 440210 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0095 | 50 | 13A | 500毫安 | 32W | 17分贝 | - | 40V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | C3D03060E-TR | 0.9954 | ![]() | 9732 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D03060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.7V@3A | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 11A | 155pF @ 0V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CGHV96050F2 | 511.2600 | ![]() | 168 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 100伏 | 440210 | CGHV96050 | 7.9GHz~9.6GHz | HEMT | 440210 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0095 | 50 | 6A | 500毫安 | 70W | 10分贝 | - | 40V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0160120J-TR | 6.5751 | ![]() | 7530 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | C3M0160120 | SiC(碳化硅结晶体管) | TO-263-7 | - | 1697-C3M0160120J-TR | 800 | N沟道 | 1200伏 | 17A(温度) | 15V | 208毫欧@8.5A,15V | 3.6V@2.33mA | 24nC@15V | +15V,-4V | 632 pF @ 1000 V | 90W(温度) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C4D02120E-TR | 3.0200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C4D02120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@2A | 0纳秒 | 1200V时为50μA | -55℃~175℃ | 10A | 167pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB211501E-V1-R250 | - | ![]() | 6520 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 表面贴装 | 2 纸张封装,鳍片底部 | PTFB211501 | 2.17GHz | LDMOS | H-36248-2 | 下载 | 1(无限制) | 5A991G | 8541.21.0095 | 250 | - | 1.2A | 40W | 18分贝 | - | 30V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | C3D10065E-TR | 3.3875 | ![]() | 4152 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D10065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 1(无限制) | 1697-C3D10065E-TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@10A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 32A | 460.5pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA082407NF-V1-R5 | - | ![]() | 6303 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | SIC停产 | 105V | 表面贴装 | HBSOF-4-1 | PTVA082407 | 746MHz~821MHz | LDMOS | PG-HBSOF-4-1 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 10微安 | 900毫安 | 225W | 20.5分贝 | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0032120D | 32.9000 | ![]() | 320 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | C3M0032120 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 1200伏 | 63A(温度) | 15V | 43毫欧@40A,15V | 3.6V@11.5mA | 114nC@15V | +15V,-4V | 1000V时为3357pF | - | 283W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | C3D04060A | 2.8900 | ![]() | 25 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D04060 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 600伏 | 1.8V@4A | 0纳秒 | 50μA@600V | -55℃~175℃ | 13.5A | 251pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
| C3M0120065J | 8.5600 | ![]() | 第945章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N沟道 | 650伏 | 21A(温度) | 15V | 157毫欧@6.76A,15V | 3.6V@1.86mA | 26nC@15V | +19V,-8V | 640 pF @ 400 V | - | 86W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PTRA083818NF-V1-R5 | 85.6207 | ![]() | 6126 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 105V | 表面贴装 | HBSOF-6-2 | PTRA083818 | 733MHz~805MHz | LDMOS | PG-HBSOF-6-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 10微安 | 200毫安 | 275W | 18.6分贝 | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GTVA212701FA-V2-R0 | 143.5988 | ![]() | 5987 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125V | 表面贴装 | H-87265J-2 | GTVA212701 | 2.11GHz~2.2GHz | HEMT | H-87265J-2 | 下载 | 1(无限制) | 1697-GTVA212701FA-V2-R0 | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 320毫安 | 270W | 19分贝 | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CAB760M12HM3R | 2.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 盒子 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | CAB760 | 碳化硅(SiC) | 50毫W | 模块 | 下载 | 不适用 | 1697-CAB760M12HM3R | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 2个N沟道(半桥) | 1200V(1.2kV) | 1.015kA(温度) | 1.73毫欧@760A,15V | 3.6V@280mA | 2724nC@15V | 79400pF@800V | - |

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