分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
PTFB091507FH-V1-R0	80.5450	询价	9824	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式	PTFB091507	960兆赫	LDMOS		H-34288-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	1.2A	50W	20分贝											-								28V
GTRB384608FC-V1-R2	171.5546	询价	3478	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	48V		表面贴装	H-37248KC-6/2	GTRB384608	3.3GHz～3.8GHz	HEMT		H-37248KC-6/2	-			1697-GTRB384608FC-V1-R2TR			250	-			-		440W	12.3分贝											-
C4D10120E	11.9400	询价	7	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C4D10120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准			EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@10A	0纳秒	1200V时为250μA	-55℃～175℃	33A	754pF @ 0V、1MHz
PTFC261402FC-V1-R0	100.3798	询价	2435	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	65V			-	PTFC261402	2.69GHz	LDMOS			下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8542.33.0001	50				-	900毫安	28W	18分贝											-								28V
PTVA120251EA-V2-R0	52.7700	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		安装结构	H-36265-2	PTVA120251	1.2GHz～1.4GHz	LDMOS		H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				-	50毫安	25W	18分贝											-								50V
CAB011M12FM3T	182.9200	询价	4634	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAB011		碳化硅（SiC）	10毫W	模块	-		不适用	1697-CAB011M12FM3T			18	2个N沟道（半桥）							1200V	105A（Tj）		14毫欧@100A，15V	3.6V@35mA	324nC@15V		10300pF@800V	碳化硅（SiC）
C6D50065D1	18.5600	询价	9650	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极					C6D50065					-		不适用	1697-C6D50065D1	EAR99	8541.10.0080	30
E4D20120G	22.5100	询价	3931	沃尔夫斯皮德公司	E系列，汽车	管子	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	E4D20120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-263-2	下载		1（无限制）	1697-E4D20120G	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@20A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	56A	1474pF @ 0V、1MHz
CGHV37400F	951.2700	询价	45	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V		安装结构	440217	CGHV37400	3.3GHz～3.8GHz	HEMT		440217	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		宣传册3A001B3	8541.29.0075	50				-	1A	525W	14分贝											-								50V
C3D06065E	4.1500	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	不适合新设计			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D06065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准			EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.7V@6A	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	20A	295pF @ 0V、1MHz
CGHV35060MP-AMP1	801.6100	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	大部分	的积极	150伏		表面贴装	20-TSSOP（0.173英寸，4.40毫米宽）		2.7GHz～3.8GHz	HEMT		20-TSSOP	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		3A001B4	8543.70.9810	1				-	125毫安	60W	14.5分贝											-								50V
CMPA2735075D	386.8800	询价	5961	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	84V		表面贴装	死		2.7GHz～3.5GHz	HEMT		死	-			1697-CMPA2735075D			1	-			-	800毫安	75W	30分贝											-								28V
CAB008M12GM3T	258.4300	询价	8284	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAB008		碳化硅（SiC）	10毫W	模块	下载		不适用	1697-CAB008M12GM3T			18	2个N沟道（半桥）							1200V	146A（Tj）		10.4毫欧@150A，15V	3.6V@46mA	472nC@15V		13600pF@800V	碳化硅（SiC）
CGH40010P	63.2291	询价	4267	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	28V			440196	CGH40010	0Hz～6GHz	HEMT		440196	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	Q5044892	EAR99	8541.29.0075	250				-	200毫安	12.5W	14.5分贝											-								28V
PTFB183404F-V2-R0	-	询价	8923	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		表面贴装	H-37275-6/2		1.88GHz	LDMOS		H-37275-6/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	2.6安	80W	17分贝											-								30V
C6D08065E	3.5600	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C6D08065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载				EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.5V@8A	0纳秒	40μA@650V	-55℃～175℃	29A	518pF @ 0V、1MHz
CGHV96050F1	511.2600	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	100伏			440210	CGHV96050	7.9GHz～9.6GHz	HEMT		440210	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		宣传册3A001B3	8541.29.0095	50				13A	500毫安	32W	17分贝											-								40V
C3D03060E-TR	0.9954	询价	9732	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D03060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	2,500人		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																	600伏	1.7V@3A		50μA@600V	-55℃～175℃	11A	155pF @ 0V、1MHz
CGHV96050F2	511.2600	询价	168	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	100伏			440210	CGHV96050	7.9GHz～9.6GHz	HEMT		440210	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		宣传册3A001B3	8541.29.0095	50				6A	500毫安	70W	10分贝											-								40V
C3M0160120J-TR	6.5751	询价	7530	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0160120		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-263-7	-			1697-C3M0160120J-TR			800			N沟道					1200伏	17A（温度）	15V	208毫欧@8.5A，15V	3.6V@2.33mA	24nC@15V	+15V，-4V	632 pF @ 1000 V		90W（温度）
C4D02120E-TR	3.0200	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C4D02120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	1200伏	1.8V@2A	0纳秒	1200V时为50μA	-55℃～175℃	10A	167pF @ 0V、1MHz
PTFB211501E-V1-R250	-	询价	6520	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		表面贴装	2 纸张封装，鳍片底部	PTFB211501	2.17GHz	LDMOS		H-36248-2	下载		1（无限制）		5A991G	8541.21.0095	250				-	1.2A	40W	18分贝											-								30V
C3D10065E-TR	3.3875	询价	4152	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D10065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载		1（无限制）	1697-C3D10065E-TR	EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																	650伏	1.8V@10A	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	32A	460.5pF @ 0V、1MHz
PTVA082407NF-V1-R5	-	询价	6303	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	SIC停产	105V		表面贴装	HBSOF-4-1	PTVA082407	746MHz～821MHz	LDMOS		PG-HBSOF-4-1	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0075	500				10微安	900毫安	225W	20.5分贝											-								48V
C3M0032120D	32.9000	询价	320	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	C3M0032120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	63A（温度）	15V	43毫欧@40A，15V	3.6V@11.5mA	114nC@15V	+15V，-4V	1000V时为3357pF	-	283W（温度）
C3D04060A	2.8900	询价	25	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C3D04060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																	600伏	1.8V@4A	0纳秒	50μA@600V	-55℃～175℃	13.5A	251pF @ 0V、1MHz
C3M0120065J	8.5600	询价	第945章	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA			SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					650伏	21A（温度）	15V	157毫欧@6.76A，15V	3.6V@1.86mA	26nC@15V	+19V，-8V	640 pF @ 400 V	-	86W（温度）
PTRA083818NF-V1-R5	85.6207	询价	6126	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		表面贴装	HBSOF-6-2	PTRA083818	733MHz～805MHz	LDMOS		PG-HBSOF-6-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0075	500				10微安	200毫安	275W	18.6分贝											-								48V
GTVA212701FA-V2-R0	143.5988	询价	5987	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-87265J-2	GTVA212701	2.11GHz～2.2GHz	HEMT		H-87265J-2	下载		1（无限制）	1697-GTVA212701FA-V2-R0	EAR99	8541.29.0075	50				-	320毫安	270W	19分贝											-								48V
CAB760M12HM3R	2.0000	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	CAB760		碳化硅（SiC）	50毫W	模块	下载		不适用	1697-CAB760M12HM3R	EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	1.015kA（温度）		1.73毫欧@760A，15V	3.6V@280mA	2724nC@15V		79400pF@800V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²