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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 额定电压 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 额定电流(安培) | 当前-测试 | 功率-输出 | 获得 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 噪声系数 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 测试 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CGHV35400F1 | 709.3400 | ![]() | 31 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | 的积极 | 150伏 | 440226 | 2.9GHz~3.5GHz | HEMT | 440226 | 下载 | 3(168小时) | 1697-CGHV35400F1 | 宣传册3A001B3 | 8541.29.0075 | 20 | - | 500毫安 | 400W | 15分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | C4D08120E-TR | 6.6064 | ![]() | 3641 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C4D08120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 1200V时为250μA | -55℃~175℃ | 24.5A | 560pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C3D08065A | 5.5400 | ![]() | 第871章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C3D08065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@8A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 24A | 441pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB212503FL-V2-R0 | - | ![]() | 7109 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 过时的 | 65V | 表面贴装 | 2 箔封装、翅片安装、法兰式 | 2.17GHz | LDMOS | H-34288-4/2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 1.85安 | 55W | 18.1分贝 | - | 30V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | C2M1000170J-TR | 6.5595 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C2M™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | C2M1000170 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N沟道 | 1700伏 | 5.3A(温度) | 20V | 1.4欧姆@2A,20V | 3.1V@500μA(典型值) | 13nC@20V | +25V,-10V | 200 pF @ 1000 V | - | 78W(温度) | ||||||||||||||||||||
![]() | CGHV14250F | 410.1000 | ![]() | 34 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 的积极 | 125V | 440162 | CGHV14250 | 1.2GHz~1.4GHz | HEMT | 440162 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | 42毫安 | 500毫安 | 330W | 18分贝 | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFA080551F-V4-R250 | 49.4678 | ![]() | 2874 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | 65V | 表面贴装 | H-37265-2 | PTFA080551 | 960兆赫 | LDMOS | H-37265-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | 10微安 | 600毫安 | 55W | 18.5分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | C4D15120A | 17.9000 | ![]() | 9682 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | C4D15120 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@15A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | -55℃~175℃ | 43.5A | 1200pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | GTRA184602FC-V1-R2 | 181.3798 | ![]() | 9087 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125V | 表面贴装 | H-37248C-4 | GTRA184602 | 1.805GHz~1.88GHz | HEMT | H-37248C-4 | - | 1697-GTRA184602FC-V1-R2TR | 250 | - | - | 150毫安 | 460W | 15.5分贝 | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | C3D04065E-TR | 1.3702 | ![]() | 2283 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | Z-Rec® | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | C3D04065 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-252-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@4A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 13.5A | 251pF @ 0V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CG2H40120F | 354.6900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | 的积极 | 84V | 安装结构 | 440223 | CG2H40120 | 2.5GHz | HEMT | 440223 | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.29.0040 | 100 | 28A | 1A | 130W | 20分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PXAC260602FC-V1-R0 | 82.5176 | ![]() | 6017 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 的积极 | 65V | 安装结构 | H-37248-4 | PXAC260602 | 2.69GHz | LDMOS | H-37248-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | - | 85毫安 | 5W | 15.7分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CGH35030F | 119.4200 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | N化镓 | 托盘 | 过时的 | 84V | 安装结构 | 440166 | CGH35030 | 3.3GHz~3.9GHz | HEMT | 440166 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 120毫安 | 30W | 11.5分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | WS1A3640-V1-R1 | 42.1310 | ![]() | 2519 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125V | 表面贴装 | 20-TFLGA 裸露焊盘 | WS1A3640 | 3.3GHz~3.8GHz | - | 20-LGA (6x6) | - | 1697-WS1A3640-V1-R1TR | 100 | - | - | 70毫安 | 10W | 12.5分贝 | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPA2735015D | 129.6400 | ![]() | 4489 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 托盘 | 的积极 | 150伏 | 表面贴装 | 死 | 2.7GHz~3.5GHz | HEMT | 死 | - | 1697-CMPA2735015D | 1 | - | - | 80毫安 | 15W | 35分贝 | - | 50V | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CAR600M17HN6 | 3.0000 | ![]() | 4105 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | 车600 | 碳化硅(SiC) | 50毫W | 模块 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | 2个N沟道(半桥) | 1700V(1.7kV) | 986A(TC) | - | - | - | 55700pF@0V | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0120100J-TR | 11.5256 | ![]() | 7202 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | * | 卷带式 (TR) | 的积极 | - | 1697-C3M0120100J-TR | 800 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTVA035002EV-V1-R0 | 410.1256 | ![]() | 6317 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 的积极 | 105V | 安装结构 | H-36275-4 | PTVA035002 | 390MHz~450MHz | LDMOS | H-36275-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0075 | 50 | - | 500毫安 | 500W | 18分贝 | - | 50V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | PXAC241002FC-V1-R2 | - | ![]() | 5363 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | - | PXAC241002 | - | - | - | - | 符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0075 | 250 | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
| C3M0015065D | 46.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 管子 | 的积极 | -40°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | C3M0015065 | SiCFET(碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N沟道 | 650伏 | 120A(温度) | 15V | 21毫欧@55.8A,15V | 3.6V@15.5mA | 188nC@15V | +15V,-4V | 5011 pF @ 400 V | - | 416W(温度) | |||||||||||||||||||||
![]() | GTRB204402FC/1-V1-R0 | 125.4420 | ![]() | 6566 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 48V | 表面贴装 | H-37248C-4 | GTRB204402 | 1.93GHz~2.02GHz | HEMT | H-37248C-4 | - | 1697-GTRB204402FC/1-V1-R0TR | 50 | - | - | 350W | 16.3分贝 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CCB021M12FM3 | 230.0400 | ![]() | 72 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | 狼包™ | 托盘 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | CCB021 | 碳化硅(SiC) | 10毫W | - | 下载 | 不符合 RoHS 指令 | 不适用 | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | 6 个 N 沟道(路面桥) | 1200V(1.2kV) | 51A | 27.9毫欧@30A,15V | 3.6V@17.7mA | 162nC@15V | 800V时为4900pF | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | GTRB424908FC/1-V1-R2 | 202.1939 | ![]() | 9410 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 48V | 表面贴装 | H-37248KC-6/2 | GTRB424908 | 3.7GHz~4GHz | HEMT | H-37248KC-6/2 | - | 1697-GTRB424908FC/1-V1-R2TR | 250 | - | - | 450W | 12分贝 | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTFB212503FL-V2-R250 | - | ![]() | 7187 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 65V | 表面贴装 | 2 箔封装、翅片安装、法兰式 | 2.17GHz | LDMOS | H-34288-4/2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | - | 1.85安 | 55W | 18.1分贝 | - | 30V | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PTAC240502FC-V1-R250 | 69.3749 | ![]() | 3392 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 不适合新设计 | PTAC240502 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8541.29.0095 | 250 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | C6D50065H | 17.7500 | ![]() | 6353 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 管子 | 的积极 | C6D50065 | - | 不适用 | 1697-C6D50065H | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PTRA094858NF-V1-R5 | 105.3713 | ![]() | 9249 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 105V | 表面贴装 | PG-HBSOF-6-3 | PTRA094858 | 859MHz~960MHz | LDMOS | PG-HBSOF-6-3 | 下载 | 1697-PTRA094858NF-V1-R5TR | 500 | - | 10微安 | 450毫安 | 400W | 17.75分贝 | - | 48V | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | C3M0075120J-TR | 12.3604 | ![]() | 7986 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | C3M™ | 卷带式 (TR) | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-8、D²Pak(7引脚+接片)、TO-263CA | C3M0075120 | SiCFET(碳化硅) | TO-263-7 | 下载 | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N沟道 | 1200伏 | 30A(温度) | 15V | 90毫欧@20A,15V | 4V@5mA | 51nC@15V | +15V,-4V | 1350 pF @ 1000 V | - | 113.6W(温度) | ||||||||||||||||||||||
![]() | PTAC240502FC-V1-R0 | 79.6526 | ![]() | 第1639章 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 条 | 不适合新设计 | 65V | 安装结构 | H-37248-4 | PTAC240502 | 2.4GHz | LDMOS | H-37248-4 | 下载 | 符合RoHS标准 | 3(168小时) | EAR99 | 8542.33.0001 | 50 | 10微安 | 120毫安 | 50W | 14.3分贝 | - | 28V | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CAB008A12GM3T | 338.4400 | ![]() | 2287 | 0.00000000 | 沃尔夫斯皮德公司 | - | 盒子 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 安装结构 | 模块 | CAB008 | 碳化硅(SiC) | 10毫W | 模块 | 下载 | 不适用 | 1697-CAB008A12GM3T | 18 | 2个N沟道(半桥) | 1200V | 182A(Tj) | 10.4毫欧@150A,15V | 3.6V@46mA | 472nC@15V | 13600pF@800V | 碳化硅(SiC) |

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