分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
CMPA2735075D	386.8800	询价	5961	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	84V		表面贴装	死		2.7GHz～3.5GHz	HEMT		死	-			1697-CMPA2735075D			1	-			-	800毫安	75W	30分贝											-										28V
C3D03060E-TR	0.9954	询价	9732	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D03060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	2,500人		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																		600伏		1.7V@3A		50μA@600V	-55℃～175℃	11A	155pF @ 0V、1MHz
C3D06065E	4.1500	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	不适合新设计			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D06065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准			EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.7V@6A	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	20A	295pF @ 0V、1MHz
GTVA262711FA-V2-R0	114.1400	询价	40	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-87265J-2	GTVA262711	2.62GHz～2.69GHz	HEMT		H-87265J-2	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				-	320毫安	70W	18分贝											-										48V
CAB760M12HM3R	2.0000	询价	2	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	CAB760		碳化硅（SiC）	50毫W	模块	下载		不适用	1697-CAB760M12HM3R	EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	1.015kA（温度）		1.73毫欧@760A，15V	3.6V@280mA	2724nC@15V		79400pF@800V	-
PTFB192503EL-V1-R0	121.8616	询价	7602	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V		安装结构	H-33288-6	PTFB192503	1.99GHz	LDMOS		H-33288-6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	1.9安	50W	19分贝											-										30V
CGHV1F006S	65.4300	询价	第420章	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	100伏			12-VFDFN 裸露焊盘	CGHV1	6GHz	HEMT		12-DFN (4x3)	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	250				950毫安	60毫安	8W	16分贝											-										40V
CAB008M12GM3T	258.4300	询价	8284	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAB008		碳化硅（SiC）	10毫W	模块	下载		不适用	1697-CAB008M12GM3T			18	2个N沟道（半桥）							1200V	146A（Tj）		10.4毫欧@150A，15V	3.6V@46mA	472nC@15V		13600pF@800V	碳化硅（SiC）
C3M0120065J	8.5600	询价	第945章	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA			SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道					650伏	21A（温度）	15V	157毫欧@6.76A，15V	3.6V@1.86mA	26nC@15V	+19V，-8V	640 pF @ 400 V	-	86W（温度）
PTFB183404F-V2-R0	-	询价	8923	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		表面贴装	H-37275-6/2		1.88GHz	LDMOS		H-37275-6/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	2.6安	80W	17分贝											-										30V
C6D08065E	3.5600	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C6D08065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载				EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.5V@8A	0纳秒	40μA@650V	-55℃～175℃	29A	518pF @ 0V、1MHz
CGH40010P	63.2291	询价	4267	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	28V			440196	CGH40010	0Hz～6GHz	HEMT		440196	下载	符合RoHS标准	1（无限制）	Q5044892	EAR99	8541.29.0075	250				-	200毫安	12.5W	14.5分贝											-										28V
C3M0160120J-TR	6.5751	询价	7530	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0160120		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-263-7	-			1697-C3M0160120J-TR			800			N沟道					1200伏	17A（温度）	15V	208毫欧@8.5A，15V	3.6V@2.33mA	24nC@15V	+15V，-4V	632 pF @ 1000 V		90W（温度）
PTFB192503EL-V1-R250	109.8819	询价	4553	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		安装结构	H-33288-6	PTFB192503	1.99GHz	LDMOS		H-33288-6	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250				-	1.9安	50W	19分贝											-										30V
C3D30065D	16.1600	询价	第1429章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-247-3	C3D30065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	不适用		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1对共轴线	650伏	39A（直流）	1.8V@16A	0纳秒	650V时为95μA	-55℃～175℃
CAB016M12FM3	142.0800	询价	9190	沃尔夫斯皮德公司	狼包™	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAB016		碳化硅（SiC）	10毫W	-	下载	不符合RoHS标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	18	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	78A		21.3毫欧@80A，15V	3.6V@23mA	236nC@15V		6600pF@800V	-
CGHV35400F1	709.3400	询价	31	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	150伏			440226		2.9GHz～3.5GHz	HEMT		440226	下载		3（168小时）	1697-CGHV35400F1	宣传册3A001B3	8541.29.0075	20				-	500毫安	400W	15分贝											-										50V
C4D08120E-TR	6.6064	询价	3641	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C4D08120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	800		无恢复T>500mA(Io)																		1200伏		1.8V@8A	0纳秒	1200V时为250μA	-55℃～175℃	24.5A	560pF @ 0V、1MHz
C3D08065A	5.5400	询价	第871章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C3D08065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.8V@8A	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	24A	441pF @ 0V、1MHz
PTFB212503FL-V2-R0	-	询价	7109	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		表面贴装	2 箔封装、翅片安装、法兰式		2.17GHz	LDMOS		H-34288-4/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	1.85安	55W	18.1分贝											-										30V
C2M1000170J-TR	6.5595	询价	6	沃尔夫斯皮德公司	C2M™	卷带式 (TR)	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C2M1000170		SiCFET（碳化硅）		TO-263-7	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0095	800			N沟道					1700伏	5.3A（温度）	20V	1.4欧姆@2A，20V	3.1V@500μA（典型值）	13nC@20V	+25V，-10V	200 pF @ 1000 V	-	78W（温度）
CGHV14250F	410.1000	询价	34	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440162	CGHV14250	1.2GHz～1.4GHz	HEMT		440162	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				42毫安	500毫安	330W	18分贝											-										50V
PTFA080551F-V4-R250	49.4678	询价	2874	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V		表面贴装	H-37265-2	PTFA080551	960兆赫	LDMOS		H-37265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250				10微安	600毫安	55W	18.5分贝											-										28V
GTRA184602FC-V1-R2	181.3798	询价	9087	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA184602	1.805GHz～1.88GHz	HEMT		H-37248C-4	-			1697-GTRA184602FC-V1-R2TR			250	-			-	150毫安	460W	15.5分贝											-										48V
C3D04065E-TR	1.3702	询价	2283	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C3D04065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	2,500人		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.8V@4A	0纳秒	60μA@650V	-55℃～175℃	13.5A	251pF @ 0V、1MHz
CG2H40120F	354.6900	询价	4	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	84V		安装结构	440223	CG2H40120	2.5GHz	HEMT		440223	下载	符合RoHS标准	不适用		EAR99	8541.29.0040	100				28A	1A	130W	20分贝											-										28V
PXAC260602FC-V1-R0	82.5176	询价	6017	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PXAC260602	2.69GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8542.33.0001	50				-	85毫安	5W	15.7分贝											-										28V
CMPA2735015D	129.6400	询价	4489	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	150伏		表面贴装	死		2.7GHz～3.5GHz	HEMT		死	-			1697-CMPA2735015D			1	-			-	80毫安	15W	35分贝											-										50V
CAR600M17HN6	3.0000	询价	4105	沃尔夫斯皮德公司	-	大部分	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	安装结构	模块	车600		碳化硅（SiC）	50毫W	模块	下载		不适用		EAR99	8541.21.0095	1	2个N沟道（半桥）							1700V（1.7kV）	986A（TC）		-	-	-		55700pF@0V	-
C3M0120100J-TR	11.5256	询价	7202	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极										-			1697-C3M0120100J-TR			800

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²