分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
C4D40120D	40.6800	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-247-3	C4D40120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1对共轴线	1200伏	27A	1.8V@20A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃
CGH35060F2	197.6500	询价	48	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	125V		安装结构	440193	CGH35060	3.1GHz～3.5GHz	HEMT		440193	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				-	200毫安	47.6分贝	13分贝											-										28V
PTVA043502EC-V1-R2	133.9214	询价	4945	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极					PTVA043502					下载	符合RoHS标准	1（无限制）					250
PTVA104501EH-V1-R0	369.0500	询价	100	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	105V		安装结构	H-33288-2	PTVA104501	960MHz～1.215GHz	LDMOS		H-33288-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				-	200毫安	450W	17.5分贝											-										50V
C6D06065E	2.6800	询价	6997	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C6D06065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载					EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.5V@6A	0纳秒	650V时为30μA	-55℃～175℃	23A	394pF @ 0V、1MHz
PTFB212503EL-V1-R0	-	询价	8125	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		安装结构	H-33288-6		2.17GHz	LDMOS		H-33288-6	下载		1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50				-	1.85安	55W	18.1分贝											-										30V
PTFC262808FV-V1-R0	176.8406	询价	第1177章	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	65V			H-37275G-6/2	PTFC262808	2.62GHz～2.69GHz	LDMOS		H-37275G-6/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				1微安	10毫安	280W	18分贝											-										28V
PTFB213004F-V2-R0	-	询价	5620	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		表面贴装	H-37275-6/2		2.17GHz	LDMOS		H-37275-6/2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8542.33.0001	50				-	2.4A	60W	18分贝											-										30V
CGHV27100F	-	询价	3087	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	管子	过时的	50V			440162		2.5GHz～2.7GHz	HEMT		440162	下载		1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1				6A	500毫安	100W	18分贝											-										50V
PXAC192908FV-V1-R0	148.1132	询价	5647	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	的积极					PXAC192908					下载	符合RoHS标准	1（无限制）					50
CGH21120F	-	询价	2043	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	过时的	84V		安装结构	440162	CGH21120	1.8GHz～2.3GHz	HEMT		440162	下载				1697-CGH21120F	EAR99	8541.29.0075	50				-	500毫安	120W	15分贝											-										28V
CSD10030A	-	询价	4157	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	过时的			通孔	TO-220-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载		1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		300伏		1.4V@10A	0纳秒	300V时为200μA	-55℃～175℃	10A	660pF @ 0V、1MHz
C5D05170H	-	询价	6776	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	过时的			通孔	TO-247-2	C5D05170		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-2	下载		不适用			EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																		1700伏		1.8V@5A	0纳秒	1700V时为200μA	-55℃～175℃	18A	425pF @ 0V、1MHz
CGHV40180F	347.3200	询价	2751	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440223	CGHV40180	0Hz～1GHz	HEMT		440223	下载		不适用			EAR99	8541.29.0075	50				12.1A	1A	180W	24分贝											-										50V
WAS175M12BM3	566.8200	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	WAS175		碳化硅（SiC）	-	-	下载		不适用			EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	228A（TC）		10.4毫欧@175A，15V	3.6V@43mA	422nC@15V		12900pF@800V	-
C3D04060F	2.8900	询价	4	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2全封装，隔离片	C3D04060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-F2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		600伏		1.7V@4A	0纳秒	50μA@600V	-55℃～175℃	6A	251pF @ 0V、1MHz
C4D30120H	20.9200	询价	第646章	沃尔夫斯皮德公司	-	大部分	的积极			通孔	TO-247-2			SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-2	下载		1（无限制）			EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																		1200伏		1.8V@30A		1200V时为250μA	-55℃～175℃	94A	2177pF @ 0V、1MHz
PTFC261402FC-V1-R0	100.3798	询价	2435	沃尔夫斯皮德公司	-	条	的积极	65V			-	PTFC261402	2.69GHz	LDMOS			下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8542.33.0001	50				-	900毫安	28W	18分贝											-										28V
E4D20120G	22.5100	询价	3931	沃尔夫斯皮德公司	E系列，汽车	管子	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	E4D20120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-263-2	下载		1（无限制）		1697-E4D20120G	EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		1200伏		1.8V@20A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	56A	1474pF @ 0V、1MHz
CGHV37400F	951.2700	询价	45	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V		安装结构	440217	CGHV37400	3.3GHz～3.8GHz	HEMT		440217	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			宣传册3A001B3	8541.29.0075	50				-	1A	525W	14分贝											-										50V
C6D50065D1	18.5600	询价	9650	沃尔夫斯皮德公司	-	管子	的积极					C6D50065					-		不适用		1697-C6D50065D1	EAR99	8541.10.0080	30
WSGPA01-V1-R3K	12.8634	询价	4977	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	12-VFDFN 裸露焊盘	WSGPA01	5GHz	-		12-DFN (3x4)	-				1697-WSGPA01-V1-R3KTR			3,000	-			-	25毫安	10W	16.3分贝											-										48V
GTVA104001FA-V1-R0	732.9200	询价	43	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37265J-2	GTVA104001	960MHz～1.215GHz	HEMT		H-37265J-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				-	100毫安	400W	19.5分贝											-										50V
PTFB182503FL-V2-R250	-	询价	5839	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的										下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	250
C4D05120E	6.7500	询价	7	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	C4D05120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-252-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.10.0080	75		无恢复T>500mA(Io)																		1200伏		1.8V@5A	0纳秒	150μA@1200V	-55℃～175℃	19A	390pF @ 0V、1MHz
GTVA123501FA-V1-R0	732.9200	询价	71	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37265J-2	GTVA123501	1.2GHz～1.4GHz	HEMT		H-37265J-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0075	50				-	100毫安	350W	20分贝											-										50V
CCS020M12CM2	340.7700	询价	54	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	托盘	不适合新设计		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CCS020		碳化硅（SiC）	167W	模块	下载	符合RoHS标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	1	6 个 N 沟道（路面桥）							1200V（1.2kV）	29.5A（温度）		98毫欧@20A，20V	2.2V@1mA（典型值）	61.5nC@20V		900pF@800V	-
E3M0060065D	14.5900	询价	第354章	沃尔夫斯皮德公司	汽车，AEC-Q101	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	3（168小时）		1697-E3M0060065D	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					650伏	37A（温度）	15V	79毫欧@13.2A，15V	3.6V@3.6mA	46nC@15V	+19V，-8V	1170 pF @ 600 V	-	131W（温度）
C3M0016120D	82.8800	询价	1	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	管子	的积极		-40°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	C3M0016120		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）			EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1200伏	115A（温度）	15V	22.3毫欧@75A，15V	3.6V@23mA	207nC@15V	+15V，-4V	6085pF@1000V	-	556W（温度）
C3D08060G-TR	3.2358	询价	7718	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	C3D08060		SiC（碳化硅）肖特基		TO-263-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）			EAR99	8541.10.0080	800		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																		600伏		1.8V@6A		50μA@600V	-55℃～175℃	24A	26pF@400V，1MHz

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²