分立半导体产品(736)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	频率	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	当前-测试	功率-输出	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	噪声系数	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 测试
GTRA362002FC-V1-R2	154.6189	询价	9816	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTRA362002	3.4GHz～3.6GHz	HEMT		H-37248C-4	下载			1697-GTRA362002FC-V1-R2TR	宣传册3A001B3	8541.29.0075	250				-	140毫安	200W	13.5分贝											-										48V
PTFB201402FC-V1-R250	-	询价	4497	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	过时的	65V		安装结构	H-37248-4		2.02GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	250	双重的			-	500毫安	20W	16分贝											-										28V
C4D20120A	21.9300	询价	5	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C4D20120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		1200伏		1.8V@20A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	54.5A	1500pF @ 0V、1MHz
CBB021M12FM3T	182.9200	询价	1208	沃尔夫斯皮德公司	-	盒子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CBB021		碳化硅（SiC）	10毫W	-	下载		不适用	1697-CBB021M12FM3T			18	4 个 N 沟道（全桥）							1200V（1.2kV）	50A（Tj）		28.9毫欧@30A，15V	3.9V@17mA	162nC@15V		5400pF@1000V	碳化硅（SiC）
GTVA261802FC-V1-R2	107.9974	询价	3347	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37248C-4	GTVA261802	2.62GHz～2.69GHz	HEMT		H-37248C-4	下载			1697-GTVA261802FC-V1-R2TR	EAR99	8541.29.0075	250				-	160毫安	170W	16.8分贝											-										48V
CMPA0060025D	624.5300	询价	9721	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	的积极	84V		表面贴装	死		20MHz～6GHz	HEMT		死	-			1697-CMPA0060025D			1	-			-	500毫安	25W	17分贝											-										50V
PTAB182002FC-V1-R0	102.3142	询价	6553	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		安装结构	H-37248-4	PTAB182002	1.88GHz	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				10微安	第520章	29W	15.5分贝											-										28V
PTFC261402FC-V1	-	询价	9751	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	过时的	65V			-		2.69GHz	LDMOS			下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50				-	900毫安	28W	18分贝											-										28V
C4D15120H	18.7500	询价	174	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-247-2	C4D15120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-2	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																		1200伏		1.8V@15A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃	39A	1200pF @ 0V、1MHz
E3M0120090D	-	询价	7454	沃尔夫斯皮德公司	E系列，汽车	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	E3M0120090		SiCFET（碳化硅）		TO-247-3	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					900伏	23A（温度）	15V	155毫欧@15A，15V	3.5V@3mA	17.3nC@15V	+18V、-8V	350 pF @ 600 V	-	97W（温度）
C3D06065I	4.3100	询价	9159	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2隔离片	C3D06065		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2隔离片	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		650伏		1.7V@6A	0纳秒	50μA@650V	-55℃～175℃	13A	295pF @ 0V、1MHz
CAB011M12FM3	175.5500	询价	21	沃尔夫斯皮德公司	狼包™	托盘	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	安装结构	模块	CAB011		碳化硅（SiC）	10毫W	-	下载	不符合 RoHS 指令	不适用		EAR99	8541.29.0095	18	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	105A		14毫欧@100A，15V	3.6V@35mA	324nC@15V		10300pF@800V	-
C2M0045170P	93.9300	询价	6092	沃尔夫斯皮德公司	C2M™	管子	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-4	C2M0045170		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载		不适用	-3312-C2M0045170P	EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1700伏	72A（温度）	20V	59毫欧@50A，20V	4V@18mA	188nC@20V	+25V，-10V	3672pF@1000V	-	520W（温度）
CGH60060D-GP4	108.7440	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	不适合新设计	84V			死	CGH60060	6GHz	HEMT		死	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		宣传册3A001B3	8541.29.0075	10				-	400毫安	60W	13分贝											-										28V
PTFA220041M-V4-R1K	7.2001	询价	8440	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	不适合新设计					PTFA220041					下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.29.0075	1,000
C4D05120A	6.7500	询价	第642章	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	管子	的积极			通孔	TO-220-2	C4D05120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-220-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	50		无恢复T>500mA(Io)																		1200伏		1.8V@5A	0纳秒	150μA@1200V	-55℃～175℃	19A	390pF @ 0V、1MHz
C2M0080170P	-	询价	2547	沃尔夫斯皮德公司	C2M™	管子	过时的		-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-4	C2M0080170		SiCFET（碳化硅）		TO-247-4L	下载	符合ROHS3标准	不适用		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道					1700伏	40A（温度）	20V	125毫欧@28A，20V	4V@10mA	120nC@20V	+25V，-10V	2250 pF @ 1000 V	-	277W（温度）
PTFB091802FC-V1-R0	-	询价	7838	沃尔夫斯皮德公司	-	条	过时的	65V		安装结构	H-37248-4		960兆赫	LDMOS		H-37248-4	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8542.33.0001	50				-	1.4A	55W	19.5分贝											-										28V
C3M0025065J1-TR	20.1265	询价	3708	沃尔夫斯皮德公司	C3M™	卷带式 (TR)	的积极		-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-263-8、D²Pak（7引脚+接片）、TO-263CA	C3M0025065		SiC（碳化硅结晶体管）		TO-263-7	-			1697-C3M0025065J1-TR			800			N沟道					650伏	80A（温度）	15V	34毫欧@33.5A，15V	3.6V@9.22mA	109nC@15V	+19V，-8V	2980 pF @ 400 V		271W（温度）
C3D10060G-TR	4.0406	询价	1020	沃尔夫斯皮德公司	Z-Rec®	卷带式 (TR)	的积极			表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	C3D10060		肖特基		TO-263-2	下载	符合RoHS标准	3（168小时）		EAR99	8541.10.0080	800		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																		600伏		1.8V@10A		50μA@600V	-55℃～175℃	29A	480pF @ 0V、1MHz
PXAC182002FC-V2-R2	74.4471	询价	1938年	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	的积极	65V		表面贴装	H-37248-4	PXAC182002	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS		H-37248-4	-	符合RoHS标准	1（无限制）			0000.00.0000	250				1微安	400毫安	-	16.5分贝											-										28V
PXAC200902FC-V1-R0	-	询价	2107	沃尔夫斯皮德公司	*	卷带式 (TR)	过时的					PXAC200902					下载	符合RoHS标准	1（无限制）		过时的		50
CGHV14800F	943.8300	询价	50	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	125V			440117	CGHV14800	1.4GHz	HEMT		440117	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50				24A	800毫安	900W	14.5分贝											-										50V
CAS100H12AM1	-	询价	8741	沃尔夫斯皮德公司	Z-FET™	大部分	过时的		-	安装结构	模块	CAS100		MOSFET（金属O化物）	568W	模块	下载	不符合 RoHS 指令	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	1	2个N沟道（半桥）							1200V（1.2kV）	168A		20毫欧@20A，20V	3.1V@50mA	-		9500pF@800V	-
PTVA120251EA-V1	-	询价	8627	沃尔夫斯皮德公司	-	托盘	SIC停产	105V		安装结构	H-36265-2		500MHz～1.4GHz	LDMOS		H-36265-2	-	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				10微安		34W	15.8分贝											-
CGH27015F	94.9500	询价	43	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	托盘	的积极	84V			440166	CGH27015	3GHz	HEMT		440166	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0075	50				-	100毫安	15W	15分贝											-										28V
PTVA120121M-V1-R1K	9.5106	询价	2610	沃尔夫斯皮德公司	-	卷带式 (TR)	不适合新设计	105V			10-LDFN 裸露焊盘	PTVA120121	500MHz～1.4GHz	LDMOS		PG-SON-10	-	符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0075	1,000				1微安	50毫安	15.62W	21.64分贝											-										48V
GTVA220701FA-V1-R0	90.3554	询价	3528	沃尔夫斯皮德公司	N化镓	卷带式 (TR)	的积极	125V		表面贴装	H-37265J-2	GTVA220701	1.805GHz～2.17GHz	HEMT		H-37265J-2	下载	符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0075	50				-	200毫安	70W	22分贝											-										48V
C2D10120D	-	询价	5786	沃尔夫斯皮德公司	零恢复™	管子	过时的			通孔	TO-247-3	C2D10120		SiC（碳化硅）肖特基		TO-247-3	下载		1（无限制）		EAR99	8541.10.0080	30		无恢复T>500mA(Io)																	1对共轴线	1200伏	10A	1.8V@5A	0纳秒	1200V时为200μA	-55℃～175℃
PTFA180701E-V4-R0	63.2600	询价	2717	沃尔夫斯皮德公司	-	条	不适合新设计	65V		安装结构	H-36265-2	PTFA180701	1.805GHz～1.88GHz	LDMOS		H-36265-2	下载	符合RoHS标准	1（无限制）		EAR99	8541.29.0095	50				10微安	550毫安	70W	16.5分贝											-										28V

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(736)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²