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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
VS-8EWH02FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWH02FNTRL-M3 0.4105
RFQ
ECAD 4206 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 8EWH02 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS8EWH02FNTRLM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 970 mv @ 8 a 24 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8EWH06FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWH06FNTRL-M3 0.4981
RFQ
ECAD 3335 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 8EWH06 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS8EWH06FNTRLM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.4 V @ 8 A 25 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8EWL06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWL06FNTRR-M3 0.4981
RFQ
ECAD 7489 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 8ewl06 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS8EWL06FNTRRM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.4 V @ 8 A 25 ns 50 µA @ 600 V -65°C〜175°C 8a -
VS-8EWS12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS12STRL-M3 2.9200
RFQ
ECAD 1117 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 8ews12 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 8 A 50 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 8a -
VS-8EWS16STRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS16STRPBF -
RFQ
ECAD 7607 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 8ews16 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS8EWS16STRPBF Ear99 8541.10.0080 2,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.1 V @ 8 A 50 µA @ 1600 V -40°C〜150°C 8a -
VSB15L45-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB15L45-M3/54 -
RFQ
ECAD 9645 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 P600,轴向 B15L45 肖特基 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSB15L45M354 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 570 mv @ 15 A 4 mA @ 45 V -40°C〜150°C 7a 1430pf @ 4V,1MHz
VSB20L45-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB20L45-M3/54 -
RFQ
ECAD 8410 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 P600,轴向 B20L45 肖特基 P600 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 390 mv @ 5 a 5 ma @ 45 V -40°C〜150°C 7.5a 2470pf @ 4V,1MHz
VS-ETH1506STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH1506STRRHM3 2.0748
RFQ
ECAD 2083 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ETH1506 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSETH1506STRRHM3 Ear99 8541.10.0080 800 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 2.45 V @ 15 A 15 µA @ 600 V -65°C〜175°C 15a -
VS-ETH3006STRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETH3006STRLHM3 2.7372
RFQ
ECAD 2826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ETH3006 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSETH3006STRLHM3 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.65 V @ 30 A 26 NS 30 µA @ 600 V -65°C〜175°C 30a -
VS-ETL1506STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETL1506STRL-M3 0.7542
RFQ
ECAD 9220 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ETL1506 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSETL1506STRLM3 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.07 V @ 15 A 210 ns 15 µA @ 600 V -65°C〜175°C 15a -
BU2510-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2510-M3/51 1.9521
RFQ
ECAD 1809年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU2510 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 3.5 a 单相 1 kV
G2SBA20-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA20-M3/51 -
RFQ
ECAD 2798 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl G2SBA20 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 750 MA 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
GBLA06-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBLA06-M3/51 0.8176
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,gbl GBLA06 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 400 1 V @ 4 A 5 µA @ 600 V 4 a 单相 600 v
GBU6B-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6B-M3/51 1.1425
RFQ
ECAD 3074 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU6 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V 6 a 单相 100 v
GBU8G-M3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8G-M3/51 1.1425
RFQ
ECAD 7362 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1 V @ 8 A 5 µA @ 400 V 8 a 单相 400 v
KBP005M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP005M-M4/51 -
RFQ
ECAD 1277 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP005 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V 1.5 a 单相 50 V
KBP01M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP01M-M4/51 -
RFQ
ECAD 3157 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP01 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V 1.5 a 单相 100 v
KBP02M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP02M-M4/51 -
RFQ
ECAD 5886 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP02 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
KBP06M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP06M-M4/51 -
RFQ
ECAD 4051 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP06 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 600 V 1.5 a 单相 600 v
KBP10M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP10M-M4/51 -
RFQ
ECAD 7246 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP10 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 1000 V 1.5 a 单相 1 kV
BU1006A-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1006A-M3/45 2.2500
RFQ
ECAD 799 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1006 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 10 a 单相 600 v
BU1008A5S-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1008A5S-M3/45 -
RFQ
ECAD 5477 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU1008 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.1 V @ 5 A 5 µA @ 800 V 10 a 单相 800 v
BU1010-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1010-M3/45 1.4823
RFQ
ECAD 1466 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1010 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 5 A 5 µA @ 1000 V 10 a 单相 1 kV
BU15085S-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU15085S-M3/45 -
RFQ
ECAD 2902 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU15085 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 7.5 A 5 µA @ 800 V 15 a 单相 800 v
BU15105S-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU15105S-M3/45 -
RFQ
ECAD 5374 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU15105 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 15 a 单相 1 kV
BU2006-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2006-M3/45 1.9276
RFQ
ECAD 6302 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU2006 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 600 V 20 a 单相 600 v
BU2008-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2008-M3/45 1.9276
RFQ
ECAD 3750 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU2008 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 800 V 20 a 单相 800 v
BU20105S-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU20105S-M3/45 -
RFQ
ECAD 1891年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU20105 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V 20 a 单相 1 kV
BU25065S-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25065S-M3/45 -
RFQ
ECAD 1114 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU25065 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
BU25105S-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25105S-M3/45 -
RFQ
ECAD 1253 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU25105 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 3.5 a 单相 1 kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库