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离散半导体产品（（31214）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））
BZT03C130-TAP	0.2640	RFQ	5956	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	积极的	±6.54％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C130	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	25,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 100 V	130 v	300欧姆
BZT03C13-TAP	0.7200	RFQ	1	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（CT）	积极的	±6.54％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C13	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000	1.2 V @ 500 mA	2 µA @ 10 V	13 V	10欧姆
BZT03C18-TAP	0.7200	RFQ	483	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（CT）	积极的	±6.39％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C18	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 13 V	18 V	15欧姆
BZT03C20-TAP	0.2970	RFQ	5545	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	积极的	±6％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C20	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	25,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 15 V	20 v	15欧姆
BZT03C27-TAP	0.6400	RFQ	7787	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（CT）	积极的	±7.04％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C27	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 20 V	27 V	15欧姆
BZT03C30-TAP	0.6400	RFQ	6	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（CT）	积极的	±6.67％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C30	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 22 V	30 V	15欧姆
BZT03C43-TAP	0.6400	RFQ	2	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（CT）	积极的	±6.98％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C43	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	5,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 33 V	43 V	45欧姆
BZT03C47-TAP	0.6400	RFQ	3	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（CT）	积极的	±6.38％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C47	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	5,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 36 V	47 V	45欧姆
BZT03C62-TAP	0.2640	RFQ	5869	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	积极的	±6.45％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C62	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	25,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 47 V	62 v	80欧姆
BZT03C6V8-TAP	0.2970	RFQ	9347	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	积极的	±5.88％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C6V8	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	25,000	1.2 V @ 500 mA	1 mA @ 5.1 V	6.8 v	2欧姆
BZT03C8V2-TAP	0.2970	RFQ	7772	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	积极的	±6.1％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C8V2	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	25,000	1.2 V @ 500 mA	600 µA @ 6.2 V	8.2 v	2欧姆
BZT03C91-TAP	0.2640	RFQ	2739	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	积极的	±6.04％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03C91	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	25,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 68 V	91 v	200欧姆
BZT03D100-TAP	-	RFQ	5859	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	过时的	±6％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	25,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 75 V	100 v	200欧姆
BZT03D10-TAP	-	RFQ	1892年	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	过时的	±6％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	25,000	1.2 V @ 500 mA	10 µA @ 7.5 V	10 v	4欧姆
BZT03D20-TAP	-	RFQ	4509	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	过时的	±6％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0080	25,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 15 V	20 v	15欧姆
BZT03D36-TAP	-	RFQ	9332	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	过时的	±5.56％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	25,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 27 V	36 V	40欧姆
BZT03D43-TAP	-	RFQ	8243	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	过时的	±6.98％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	25,000	1.2 V @ 500 mA	1 µA @ 33 V	43 V	45欧姆
BZT03D9V1-TAP	-	RFQ	3580	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZT03	（TB）	过时的	±6.04％	175°C（TJ）	通过洞	SOD-57，轴向	BZT03	1.3 w	SOD-57	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	25,000	1.2 V @ 500 mA	20 µA @ 6.8 V	9.1 v	4欧姆
BZW03C130-TAP	-	RFQ	4577	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 100 V	130 v	190欧姆
BZW03C13-TAP	-	RFQ	3125	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	4 µA @ 10 V	13 V	2.5欧姆
BZW03C200-TAP	-	RFQ	4109	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 150 V	200 v	500欧姆
BZW03C220-TAP	-	RFQ	6890	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 160 V	220 v	700欧姆
BZW03C24-TAP	-	RFQ	5589	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 18 V	24 V	3.5欧姆
BZW03C47-TAP	-	RFQ	6196	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 36 V	47 V	25欧姆
BZW03C51-TAP	-	RFQ	6877	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 39 V	51 v	27欧姆
BZW03C56-TAP	-	RFQ	7762	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 43 V	56 v	35欧姆
BZW03C91-TAP	-	RFQ	6660	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±5％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 68 V	91 v	75欧姆
BZW03D120-TAP	-	RFQ	1516年	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 91 V	120 v	170欧姆
BZW03D12-TAP	-	RFQ	8648	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	10 µA @ 9.1 V	12 v	2.5欧姆
BZW03D130-TAP	-	RFQ	2681	Vishay通用半导体 -二极管部门	BZW03	（TB）	过时的	±10％	-65°C〜175°C	通过洞	SOD-64，轴向	BZW03	1.85 w	SOD-64	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	12,500	1.2 V @ 1 A	2 µA @ 100 V	130 v	190欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（31214）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²