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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz)
BYT56B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt56b-tr 0.4950
RFQ
ECAD 7941 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYT56 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.4 V @ 3 A 100 ns 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 3a -
BYT56K-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT56K-TR 0.5346
RFQ
ECAD 7957 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYT56 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.4 V @ 3 A 100 ns 5 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 3a -
BYT62-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byt62-tr 0.6534
RFQ
ECAD 6884 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT62 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 25,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 2400 v 3.6 V @ 1 A 5 µs 5 µA @ 2400 V 175°c (最大) 350mA -
BYV12-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV12-Tr 0.2574
RFQ
ECAD 5492 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYV12 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV13-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv13-Tr 0.2673
RFQ
ECAD 8526 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYV13 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV14-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv14-tr 0.2772
RFQ
ECAD 6475 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYV14 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byv16-Tr 0.7000
RFQ
ECAD 4154 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv16 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.5 V @ 1 A 300 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1.5a -
BYV27-050-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-050-Tr 0.2970
RFQ
ECAD 5130 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv27 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 55 v 1.07 V @ 3 A 25 ns 1 µA @ 55 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV27-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV27-150-Tr 0.6600
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv27 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 165 v 1.07 V @ 3 A 25 ns 1 µA @ 165 V -55°C 〜175°C 2a -
BYV28-100-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-100-Tr 0.6336
RFQ
ECAD 8099 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv28 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.1 V @ 5 A 30 ns 1 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 3.5a -
BYV98-150-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV98-150-Tr 0.5742
RFQ
ECAD 9504 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byv98 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.1 V @ 5 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C 〜175°C 4a -
BYW172D-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byw172d-Tr 0.5544
RFQ
ECAD 6806 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW172 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.5 V @ 9 A 100 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW172F-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw172f-tr 0.5643
RFQ
ECAD 6614 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 BYW172 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.5 V @ 9 A 100 ns 1 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 3a -
BYW32-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw32-tr 0.5700
RFQ
ECAD 36 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw32 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW33-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw33-tr 0.2673
RFQ
ECAD 4133 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw33 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 300 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 300 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW35-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byw35-Tr 0.2871
RFQ
ECAD 9506 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw35 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 500 v 1.1 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 500 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW55-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw55-tr 0.6400
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYW55 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 800 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 2a -
BYW83-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byw83-tr 0.5247
RFQ
ECAD 8198 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 Byw83 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 12,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io) 400 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BZD17C110P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C110P-E3-18 0.1597
RFQ
ECAD 6078 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C110 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 82 V 110 v
BZD17C16P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C16P-E3-18 0.1482
RFQ
ECAD 4819 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 12 V 16 V
BZD17C180P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C180P-E3-18 0.1601
RFQ
ECAD 7145 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C180 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 130 V 180 v
BZD17C27P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C27P-E3-18 0.1492
RFQ
ECAD 4643 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C27 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 20 V 27 V
BZD17C30P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C30P-E3-18 0.1492
RFQ
ECAD 5510 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C30 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 22 V 30 V
BZD17C33P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C33P-E3-18 0.1356
RFQ
ECAD 5462 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C33 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 24 V 33 V
BZD17C36P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C36P-E3-18 0.1492
RFQ
ECAD 2097 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C36 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 27 V 36 V
BZD17C3V6P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C3V6P-E3-18 0.1377
RFQ
ECAD 2931 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C3V6 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.6 v
BZD17C4V7P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C4V7P-E3-18 0.1515
RFQ
ECAD 6768 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C4V7 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 10 V 4.7 v
BZD17C5V1P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C5V1P-E3-18 0.1475
RFQ
ECAD 4440 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C5V1 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 5.1 v
BZD17C6V2P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C6V2P-E3-18 0.1482
RFQ
ECAD 3516 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C6V2 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 6.2 v
BZD17C75P-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD17C75P-E3-18 0.1597
RFQ
ECAD 5119 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -55°C〜150°C 表面安装 do-219ab BZD17C75 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 56 V 75 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库