SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
BU25105S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU25105S-E3/45 -
RFQ
ECAD 5776 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU25105 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 3.5 a 单相 1 kV
BU2510-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2510-E3/51 1.7540
RFQ
ECAD 5199 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU2510 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 1000 V 3.5 a 单相 1 kV
IRKCS220/030P Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKCS220/030p -
RFQ
ECAD 9387 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-240AA IRKCS220 肖特基 TO-240AA - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q3550643 Ear99 8541.10.0080 20 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 30 V 110a 540 mv @ 110 A 10 mA @ 30 V
V12P10HE3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P10HE3/87A -
RFQ
ECAD 3932 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn V12P10 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 700 mv @ 12 a 250 µA @ 100 V -40°C〜150°C 12a -
V20150SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20150SG-E3/4W 0.6320
RFQ
ECAD 9118 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.6 V @ 20 A 200 µA @ 150 V -55°C〜150°C 20a -
VB30100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB30100C-E3/4W 1.8700
RFQ
ECAD 635 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB30100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
VB40120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40120C-E3/4W 1.4685
RFQ
ECAD 3017 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB40120 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 20a 880 mv @ 20 a 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VF20150S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20150S-E3/4W 0.7404
RFQ
ECAD 2071 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF20150 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.43 V @ 20 A 250 µA @ 150 V -55°C〜150°C 20a -
VF30120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30120C-E3/4W 2.2800
RFQ
ECAD 7249 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF30120 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 15a 970 mv @ 15 A 800 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VF30120SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF30120SG-E3/4W 0.9182
RFQ
ECAD 3038 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF30120 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.28 V @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C 30a -
VF40150C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF40150C-E3/4W 1.4299
RFQ
ECAD 1736年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF40150 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 20a 1.43 V @ 20 A 250 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VI10150S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI10150S-E3/4W 0.5671
RFQ
ECAD 8013 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI10150 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.2 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -55°C〜150°C 10a -
VI20120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20120C-E3/4W 1.0697
RFQ
ECAD 2900 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA vi20120 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 10a 900 mv @ 10 a 700 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VI20150S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20150S-E3/4W 0.7196
RFQ
ECAD 3209 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA vi20150 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.43 V @ 20 A 250 µA @ 150 V -55°C〜150°C 20a -
VI20150SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20150SG-E3/4W 0.6488
RFQ
ECAD 4037 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA vi20150 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.6 V @ 20 A 200 µA @ 150 V -55°C〜150°C 20a -
VI30100C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30100C-E3/4W 1.8900
RFQ
ECAD 915 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30100 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 800 mv @ 15 A 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
VI30120C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30120C-E3/4W 1.2560
RFQ
ECAD 6114 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30120 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 15a 970 mv @ 15 A 800 µA @ 120 V -40°C〜150°C
VI30120SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30120SG-E3/4W 0.9392
RFQ
ECAD 2322 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30120 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.28 V @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C 30a -
VI30200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30200C-E3/4W 2.7500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30200 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 15a 1.1 V @ 15 A 160 µA @ 200 V -40°C〜150°C
V10P10-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P10-E3/87A -
RFQ
ECAD 1302 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn V10P10 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 680 mv @ 10 a 150 µA @ 100 V -40°C〜150°C 10a -
VS-6CWQ06FNPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ06FNPBF -
RFQ
ECAD 2151 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 6CWQ06 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 75 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 3.5a 610 MV @ 3 A 2 ma @ 60 V -40°C〜150°C
GBPC1204-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBPC1204-E4/51 5.3000
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方英尺,GBPC GBPC1204 标准 GBPC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1.1 V @ 6 A 5 µA @ 400 V 12 a 单相 400 v
SS10P4-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS10P4-E3/87A -
RFQ
ECAD 2381 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SS10P4 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 560 mv @ 10 a 800 µA @ 40 V -55°C〜150°C 10a -
SS3P4L-E3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P4L-E3/87A -
RFQ
ECAD 5773 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SS3P4 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 470 mv @ 3 a 250 µA @ 40 V -55°C〜150°C 3a -
V40100G-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40100G-E3/45 -
RFQ
ECAD 7288 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V40100 肖特基 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 810 mv @ 20 a 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
V60120C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60120C-E3/45 -
RFQ
ECAD 5706 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V60120 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 30a 950 MV @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C
V8P10HE3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8P10HE3/87A -
RFQ
ECAD 7058 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn V8P10 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 680 mv @ 8 a 70 µA @ 100 V -40°C〜150°C 8a -
VB40100C-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40100C-E3/8W 2.8100
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB40100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 730 mv @ 20 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
VB40100G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VB40100G-E3/8W 1.1831
RFQ
ECAD 1534年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB VB40100 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 20a 810 mv @ 20 a 500 µA @ 100 V -40°C〜150°C
VF20120SG-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VF20120SG-E3/45 -
RFQ
ECAD 4337 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 VF20120 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.33 V @ 20 A 250 µA @ 120 V -40°C〜150°C 20a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库