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离散半导体产品（（31214）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电压-DC 反向（（vr）（VR）） | 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 | trr） | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io（io） | 电容 @ vr，f | 二极管类型 | 电压 -峰值反向（最大） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | GPP60GHE3/73 | - |  | 5432 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车，AEC-Q101 | （TB） | 过时的 | 通过洞 | P600，轴向 | GPP60 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 400 v | 1.1 V @ 6 A | 5.5 µs | 5 µA @ 400 V | -55°C 〜175°C | 6a | - | ||||
 | GUR460-E3/73 | - | | 7712 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （TB） | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD，轴向 | GUR460 | 标准 | Do-201 AD | - | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 600 v | 1.28 V @ 4 A | 60 ns | 10 µA @ 600 V | 4a | - | |||||
 | RGP02-12E-E3/73 | 0.5800 | | 20 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | （CT） | 积极的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | RGP02 | 标准 | DO-204AL（DO-41） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1200 v | 1.8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µA @ 1200 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||
| RGP02-16EHE3/73 | - | | 5673 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | （TB） | 过时的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | RGP02 | 标准 | DO-204AL（DO-41） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1600 v | 1.8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µA @ 1600 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||
| RGP02-17E-E3/73 | - | | 5294 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | （CT） | 积极的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | RGP02 | 标准 | DO-204AL（DO-41） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1700 v | 1.8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µA @ 1700 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||
| RGP02-18E-E3/73 | - | | 8347 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | epletectifier® | （CT） | 积极的 | 通过洞 | do-204al，do-41，轴向 | RGP02 | 标准 | DO-204AL（DO-41） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 1800 v | 1.8 V @ 100 mA | 300 ns | 5 µA @ 1800 V | -65°C〜175°C | 500mA | - | ||||
| P600D-E3/73 | 0.7700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （CT） | 积极的 | 通过洞 | P600，轴向 | P600 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 200 v | 900 mv @ 6 a | 2.5 µs | 5 µA @ 200 V | -50°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V，1MHz | ||||
| P600K-E3/73 | 1.1800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （CT） | 积极的 | 通过洞 | P600，轴向 | P600 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 800 v | 900 mv @ 6 a | 2.5 µs | 5 µA @ 800 V | -50°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V，1MHz | ||||
| P600M-E3/73 | 1.1800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （CT） | 积极的 | 通过洞 | P600，轴向 | P600 | 标准 | P600 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 300 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 1000 v | 1 V @ 6 A | 2.5 µs | 5 µA @ 1000 V | -50°C〜150°C | 6a | 150pf @ 4V，1MHz | ||||
 | MPG06B-E3/73 | - | | 4660 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （TB） | 积极的 | 通过洞 | MPG06，轴向 | MPG06 | 标准 | MPG06 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V，1MHz | ||||
| MPG06BHE3/73 | - | | 7272 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车，AEC-Q101 | （TB） | 过时的 | 通过洞 | MPG06，轴向 | MPG06 | 标准 | MPG06 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA @ 100 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V，1MHz | ||||
| MPG06GHE3/73 | - | | 9119 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车，AEC-Q101 | （TB） | 过时的 | 通过洞 | MPG06，轴向 | MPG06 | 标准 | MPG06 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA @ 400 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V，1MHz | ||||
| MPG06JHE3/73 | - | | 1597年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车，AEC-Q101 | （TB） | 过时的 | 通过洞 | MPG06，轴向 | MPG06 | 标准 | MPG06 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA @ 600 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V，1MHz | ||||
| MPG06KHE3/73 | - | | 3113 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | 汽车，AEC-Q101 | （TB） | 过时的 | 通过洞 | MPG06，轴向 | MPG06 | 标准 | MPG06 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA @ 800 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V，1MHz | ||||
 | MPG06M-E3/73 | 0.4400 | | 11 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （CT） | 积极的 | 通过洞 | MPG06，轴向 | MPG06 | 标准 | MPG06 | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io） | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 600 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V，1MHz | ||||
 | MUR160-E3/73 | - | | 1130 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | （TB） | 过时的 | 通过洞 | do-204ac，do-15，轴向 | Mur160 | 标准 | DO-204AC（DO-15） | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） | 600 v | 1.25 V @ 1 A | 75 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||
 | BU10065S-E3/45 | - | | 7371 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | ISOCINK+™ | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，BU-5 | BU10065 | 标准 | ISOCINK+™BU-5S | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 3.2 a | 单相 | 600 v | ||||||
| BU1006A5S-E3/45 | - | | 2948 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，BU-5 | BU1006 | 标准 | ISOCINK+™BU-5S | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.1 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 3 a | 单相 | 600 v | ||||||
 | BU1008-E3/51 | 1.1466 | | 6575 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-sip，bu | BU1008 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 5 A | 5 µA @ 800 V | 3.2 a | 单相 | 800 v | ||||||
 | BU10105S-E3/45 | 1.7900 | | 247 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，BU-5 | BU10105 | 标准 | ISOCINK+™BU-5S | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 5 A | 5 µA @ 1000 V | 3.2 a | 单相 | 1 kV | ||||||
| BU1010A-E3/45 | 1.4076 | | 3164 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-sip，bu | BU1010 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.1 V @ 5 A | 5 µA @ 1000 V | 3 a | 单相 | 1 kV | ||||||
| BU1010A-E3/51 | 2.3100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-sip，bu | BU1010 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.1 V @ 5 A | 5 µA @ 1000 V | 3 a | 单相 | 1 kV | ||||||
| BU1010-E3/45 | 1.4649 | | 3707 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-sip，bu | BU1010 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 5 A | 5 µA @ 1000 V | 3.2 a | 单相 | 1 kV | ||||||
| BU1210-E3/51 | 1.1466 | | 3196 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-sip，bu | BU1210 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 6 A | 5 µA @ 1000 V | 3.4 a | 单相 | 1 kV | ||||||
| BU1510-E3/51 | 1.3650 | | 3506 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-sip，bu | BU1510 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 7.5 A | 5 µA @ 1000 V | 3.4 a | 单相 | 1 kV | ||||||
 | BU20065S-E3/45 | - | | 1271 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，BU-5 | BU20065 | 标准 | ISOCINK+™BU-5S | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 10 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 a | 单相 | 600 v | ||||||
| BU2006-E3/45 | 3.0400 | | 799 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-sip，bu | BU2006 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 10 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 a | 单相 | 600 v | ||||||
| BU2008-E3/51 | 3.0400 | | 1794年 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-sip，bu | BU2008 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1.05 V @ 10 A | 5 µA @ 800 V | 3.5 a | 单相 | 800 v | ||||||
 | BU20105S-E3/45 | - | | 5987 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-SIP，BU-5 | BU20105 | 标准 | ISOCINK+™BU-5S | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 1.05 V @ 10 A | 5 µA @ 1000 V | 3.5 a | 单相 | 1 kV | ||||||
| BU2506-E3/45 | 2.9900 | | 780 | 0.00000000 | Vishay通用半导体 -二极管部门 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C（TJ） | 通过洞 | 4-sip，bu | BU2506 | 标准 | ISOCINK+™BU | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 20 | 1.05 V @ 12.5 A | 5 µA @ 600 V | 3.5 a | 单相 | 600 v |
2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m2
智能仓库
愿望清单（0个项目）