SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) (CIES) @ vce
ZPY33-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY33-TAP 0.3700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 ZPY33 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 25 V 33 V 11欧姆
ZPY39-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY39-TAP 0.3700
RFQ
ECAD 6204 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 ZPY39 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 29 V 39 v 30欧姆
ZPY5V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY5V1-TAP 0.3700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 ZPY5V1 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 700 mV 5.1 v 2欧姆
ZPY6V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY6V2-TAP 0.3700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 ZPY6V2 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 2 V 6.2 v 1欧姆
ZPY8V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY8V2-TAP 0.0545
RFQ
ECAD 3516 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±5% 175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 ZPY8V2 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 ZPY8V2TAP Ear99 8541.10.0050 25,000 500 na @ 6 V 8.2 v 1欧姆
ZPY91-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZPY91-TAP -
RFQ
ECAD 6089 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 过时的 ±5% 175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 ZPY91 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 68 V 91 v 120欧姆
VS-10BQ040-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ040-M3/5BT 0.4100
RFQ
ECAD 30 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB 10BQ040 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 450 MV @ 1 A 100 µA @ 40 V -55°C〜150°C 1a 115pf @ 5V,1MHz
VS-10CTQ150STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10CTQ150STRLPBF -
RFQ
ECAD 2809 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10CTQ150 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 5a 1.1 V @ 10 A 50 µA @ 150 V 175°c (最大)
VS-10ETF02STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF02STRLPBF -
RFQ
ECAD 1895年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10ETF02 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10ETF02STRLPBF Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.2 V @ 10 A 200 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETF06STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF06STRLPBF -
RFQ
ECAD 6573 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10ETF06 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10ETF06STRLPBF Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 10 A 200 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 10a -
VS-10ETF10STRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF10STRRPBF -
RFQ
ECAD 9404 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10etf10 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS10ETF10STRRPBF Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.33 V @ 10 A 310 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 10a -
VS-95PF160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95PF160 11.3300
RFQ
ECAD 2868 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 95pf160 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.4 V @ 267 A -55°C〜180°C 95a -
VS-95PF40T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95PF40T 6.8868
RFQ
ECAD 3266 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 95pf40t 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS95PF40T Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.4 V @ 267 A -55°C〜180°C 95a -
VS-95PF40W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95PF40W 5.7340
RFQ
ECAD 8421 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 95pf40 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS95PF40W Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.4 V @ 267 A -55°C〜180°C 95a -
VS-95PFR160 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95PFR160 6.7132
RFQ
ECAD 1830年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 95PFR160 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS95PFR160 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.4 V @ 267 A -55°C〜180°C 95a -
VS-95PFR40 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95PFR40 6.3717
RFQ
ECAD 8784 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 95PFR40 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS95PFR40 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.4 V @ 267 A -55°C〜180°C 95a -
VS-95PFR40T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95PFR40T 6.8868
RFQ
ECAD 6556 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 95PFR40 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS95PFR40T Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.4 V @ 267 A -55°C〜180°C 95a -
VS-95PFR80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-95PFR80 6.4340
RFQ
ECAD 9197 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 95PFR80 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS95PFR80 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.4 V @ 267 A -55°C〜180°C 95a -
VS-CPV362M4FPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-CPV362M4FPBF -
RFQ
ECAD 9826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 (19-sip (13个领先),IMS-2 CPV362 23 W 标准 IMS-2 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSCPV362M4FPBF Ear99 8541.29.0095 160 - 600 v 8.8 a 1.7V @ 15V,4.8A 250 µA 340 pf @ 30 V
VS-EMG050J60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EMG050J60N -
RFQ
ECAD 6340 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 emipak2 EMG050 338 w 标准 emipak2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSEMG050J60N Ear99 8541.29.0095 56 半桥 - 600 v 88 a 2.1V @ 15V,50a 100 µA 是的 9.5 nf @ 30 V
VS-ENQ030L120S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ENQ030L120S -
RFQ
ECAD 7672 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 150°C(TJ) 底盘安装 emipak-1b ENQ030 216 w 标准 emipak-1b 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 98 三级逆变器 1200 v 61 a 2.52V @ 15V,30a 230 µA 是的 3.34 NF @ 30 V
VS-FA38SA50LCP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-FA38SA50LCP -
RFQ
ECAD 8292 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 FA38 MOSFET (金属 o化物) SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSFA38SA50LCP Ear99 8541.29.0095 180 n通道 500 v 38A(TC) 10V 130MOHM @ 23A,10V 4V @ 250µA 420 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 500W(TC)
VS-GA200HS60S1PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200HS60S1PBF -
RFQ
ECAD 3571 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 int-a-pak GA200 830 w 标准 int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA200HS60S1PBF Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 600 v 480 a 1.21V @ 15V,200a 1 MA 32.5 nf @ 30 V
VS-GA200SA60SP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200SA60SP -
RFQ
ECAD 1004 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GA200 781 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) VSGA200SA60SP Ear99 8541.29.0095 180 单身的 - 600 v 1.3V @ 15V,100a 1 MA 16.25 NF @ 30 V
VS-GA200TH60S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GA200TH60S -
RFQ
ECAD 8699 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GA200 1042 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGA200TH60S Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 600 v 260 a 1.9V @ 15V,200a(类型) 5 µA 13.1 NF @ 25 V
VS-GB100NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB100NH120N -
RFQ
ECAD 6945 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB100 833 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB100NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 200 a 2.35V @ 15V,100A 5 ma 8.58 nf @ 25 V
VS-GB150TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TH120U -
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB150 1147 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB150TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200 v 280 a 3.6V @ 15V,150a 5 ma 12.7 NF @ 30 V
VS-GB200NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB200NH120N -
RFQ
ECAD 3076 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB200 1562 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB200NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 420 a 1.8V @ 15V,200a(类型) 5 ma 18 nf @ 25 V
VS-GB300AH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300AH120N -
RFQ
ECAD 2164 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(5) GB300 2500 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300AH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 620 a 1.9V @ 15V,300A(类型) 5 ma 21 nf @ 25 V
VS-GB300NH120N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB300NH120N -
RFQ
ECAD 3595 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB300 1645 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB300NH120N Ear99 8541.29.0095 12 单身的 - 1200 v 500 a 2.45V @ 15V,300A 5 ma 21.2 NF @ 25 V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库