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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
MBR20H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4747 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 10a 710 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MBR20H90CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H90CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 4670 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 10a 770 mv @ 10 A 4.5 µA @ 90 V -65°C〜175°C
MBR2545CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR2545CT-E3/4W -
RFQ
ECAD 6477 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR2545 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 820 mv @ 30 a 200 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MBR25H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H35CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR25 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 640 mv @ 15 A 100 µA @ 35 V -65°C〜175°C
MBR25H45CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H45CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2211 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR25 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 640 mv @ 15 A 100 µA @ 45 V -65°C〜175°C
MBR25H50CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR25H50CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 7714 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR25 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 15a 700 MV @ 15 A 100 µA @ 50 V -65°C〜175°C
MBR3035CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR3035CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 4522 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 600 mv @ 15 A 1 mA @ 35 V -65°C〜150°C
MBR3045CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR3045CT-E3/4W -
RFQ
ECAD 3640 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 600 mv @ 15 A 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
MBR3045CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR3045CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 3206 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 600 mv @ 20 a 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
MBR30H100CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H100CT-E3/45 1.1053
RFQ
ECAD 6954 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 15a 820 MV @ 15 A 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C
MBR30H45PT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H45PT-E3/45 1.2302
RFQ
ECAD 9581 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 730 MV @ 30 A 150 µA @ 45 V -65°C〜175°C
MBR30H50CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H50CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 2709 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 15a 680 mv @ 15 A 60 µA @ 50 V -65°C〜175°C
MBR30H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H60CT-E3/45 1.9800
RFQ
ECAD 487 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 15a 680 mv @ 15 A 60 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MBR4050PT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR4050PT-E3/45 1.5515
RFQ
ECAD 1472 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 MBR4050 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 40a 720 mv @ 20 a 1 ma @ 50 V -65°C〜150°C
MBR40H35PT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR40H35PT-E3/45 1.7628
RFQ
ECAD 5926 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 MBR40 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 40a 730 MV @ 40 A 150 µA @ 35 V -65°C〜175°C
MBR40H60CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR40H60CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1610 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR40 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 20a 680 mv @ 20 a 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C
MBR735-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR735-E3/45 -
RFQ
ECAD 8149 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 MBR7 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 840 mv @ 15 A 100 µA @ 35 V -65°C〜175°C 7.5a -
MBR7H35-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR7H35-E3/45 -
RFQ
ECAD 7508 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 MBR7 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 630 MV @ 7.5 A 50 µA @ 35 V -65°C〜175°C 7.5a -
MBR7H45-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR7H45-E3/45 -
RFQ
ECAD 1763年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 MBR7 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 630 MV @ 7.5 A 50 µA @ 45 V -65°C〜175°C 7.5a -
MBR7H45HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR7H45HE3/45 -
RFQ
ECAD 2682 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 MBR7 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 630 MV @ 7.5 A 50 µA @ 45 V -65°C〜175°C 7.5a -
MBR7H60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR7H60-E3/45 -
RFQ
ECAD 9983 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 MBR7 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 730 MV @ 7.5 A 50 µA @ 60 V -65°C〜175°C 7.5a -
MBRB1035-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1035-E3/45 -
RFQ
ECAD 5393 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB10 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 840 mv @ 20 a 100 µA @ 35 V -65°C〜150°C 10a -
MBRB1060-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1060-E3/45 1.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB1060 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 800 mv @ 10 a 100 µA @ 60 V -65°C〜150°C 10a -
MBRB1060HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1060HE3/45 -
RFQ
ECAD 2752 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB10 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 800 mv @ 10 a 100 µA @ 60 V -65°C〜150°C 10a -
MBRB1090-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1090-E3/4W 0.6655
RFQ
ECAD 1576年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB1090 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 800 mv @ 10 a 100 µA @ 90 V -65°C〜150°C 10a -
MBRB10H60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H60-E3/45 -
RFQ
ECAD 1279 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB10 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 710 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C 10a -
MBRB10H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB10H60HE3/45 -
RFQ
ECAD 3584 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB10 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 710 MV @ 10 A 100 µA @ 60 V -65°C〜175°C 10a -
MBRB1550CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1550CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 9737 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB15 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 7.5a 750 MV @ 7.5 A 1 ma @ 50 V -65°C〜150°C
MBRB1560CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1560CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 8644 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 在sic中停产 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB15 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 7.5a 750 MV @ 7.5 A 1 mA @ 60 V -65°C〜150°C
MBRB15H50CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB15H50CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 5865 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB15 肖特基 TO-263AB(D²Pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 7.5a 730 MV @ 7.5 A 50 µA @ 50 V -65°C〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库