SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
GSIB620-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB620-E3/45 2.4800
RFQ
ECAD 142 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GSIB-5 GSIB620 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 950 mv @ 3 a 10 µA @ 200 V 2.8 a 单相 200 v
GUR5H60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GUR5H60-E3/45 -
RFQ
ECAD 3731 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 gur5h 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.8 V @ 5 A 30 ns 20 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
GUR5H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GUR5H60HE3/45 -
RFQ
ECAD 9174 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 gur5h 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.8 V @ 5 A 30 ns 20 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
GURB5H60HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Gurb5H60HE3/45 -
RFQ
ECAD 9492 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Gurb5 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.8 V @ 5 A 30 ns 20 µA @ 600 V -55°C〜150°C 5a -
KBP005M-E4/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP005M-E4/45 -
RFQ
ECAD 4721 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP005 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 1 V @ 1 A 5 µA @ 50 V 1.5 a 单相 50 V
M2045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division M2045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 7170 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 M2045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 700 mv @ 20 a 200 µA @ 45 V -55°C〜150°C 20a -
M6035P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division M6035P-E3/45 1.8339
RFQ
ECAD 1999 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 M6035 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 30a 600 mv @ 30 a 600 µA @ 35 V -65°C〜150°C
M6045P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division M6045P-E3/45 1.8339
RFQ
ECAD 4200 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 M6045 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 600 mv @ 30 a 600 µA @ 45 V -65°C〜150°C
MB3045S-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB3045S-E3/4W -
RFQ
ECAD 1275 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MB3045 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 700 mv @ 30 a 200 µA @ 45 V -65°C〜150°C 30a -
MB4M-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB4M-E3/45 0.6900
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4- 浸( 0.200英寸,5.08mm) MB4 标准 MBM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 100 1 V @ 400 MA 5 µA @ 400 V 500 MA 单相 400 v
MB6M-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MB6M-E3/45 0.6900
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4- 浸( 0.200英寸,5.08mm) MB6 标准 MBM 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 100 1 V @ 400 MA 5 µA @ 600 V 500 MA 单相 600 v
MBR10100CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10100CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 8688 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR1010 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 5a 850 mv @ 5 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
MBR1050HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1050HE3/45 -
RFQ
ECAD 3450 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 MBR105 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 800 mv @ 10 a 100 µA @ 50 V -65°C〜150°C 10a -
MBR1060-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1060-E3/45 1.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 MBR106 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 800 mv @ 10 a 100 µA @ 60 V -65°C〜150°C 10a -
MBR1090CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1090CT-E3/4W 0.6389
RFQ
ECAD 9494 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR109 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 90 v 5a 850 mv @ 5 a 100 µA @ 90 V -65°C〜150°C
MBR10H100-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR10H100-E3/45 1.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 MBR10 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 770 mv @ 10 A 4.5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 10a -
U2B-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division U2B-E3/52T 0.1536
RFQ
ECAD 6183 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB U2B 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 900 mv @ 2 a 27 NS 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 2a -
U3C-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division U3C-E3/57T 0.2279
RFQ
ECAD 3665 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC U3C 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 900 mv @ 3 a 20 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 2a -
U3D-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division U3D-E3/57T 0.6200
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC U3D 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 900 mv @ 3 a 20 ns 10 µA @ 200 V -55°C〜150°C 2a -
UH1D-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1D-E3/61T -
RFQ
ECAD 2152 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-214ac,SMA UH1 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.05 V @ 1 A 30 ns 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1a -
UH2C-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2C-E3/52T -
RFQ
ECAD 4115 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AA,SMB UH2 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.05 V @ 2 A 35 ns 2 µA @ 150 V -55°C 〜175°C 2a -
UH2DHE3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2DHE3/52T -
RFQ
ECAD 9554 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-214AA,SMB UH2 标准 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.05 V @ 2 A 35 ns 2 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a -
UH3B-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH3B-E3/57T -
RFQ
ECAD 3669 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AB,SMC UH3 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.05 V @ 3 A 40 ns 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C 3a -
UH3C-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH3C-E3/57T -
RFQ
ECAD 5628 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AB,SMC UH3 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.05 V @ 3 A 40 ns 5 µA @ 150 V -55°C 〜175°C 3a -
UH3D-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH3D-E3/57T -
RFQ
ECAD 5205 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AB,SMC UH3 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.05 V @ 3 A 40 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a -
UH3DHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division uh3dhe3_a/h -
RFQ
ECAD 2018 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC UH3 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.05 V @ 3 A 40 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a -
UH4PBC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PBC-M3/86A -
RFQ
ECAD 8333 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn UH4 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 2a 1.05 V @ 2 A 25 ns 5 µA @ 100 V -55°C 〜175°C
UH4PDC-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PDC-M3/86A -
RFQ
ECAD 5235 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn UH4 标准 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 2a 1.05 V @ 2 A 25 ns 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C
US1BHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division US1BHE3/61T -
RFQ
ECAD 9494 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-214ac,SMA US1 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 1 A 50 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
V12P12-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12P12-M3/86A 0.9100
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn V12P12 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 800 mv @ 12 a 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C 12a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库