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离散半导体产品（（31214）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 二极管配置 （（dc）（vr）（vr）（最大） 电流 -io（io）（每个二极管） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f 二极管类型 电压 -峰值反向（最大）
G3SBA60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60-E3/45 1.5700
RFQ
 ECAD 5127 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU G3SBA60 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 2.3 a 单相 600 v
G5SBA20L-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA20L-E3/45 -
RFQ
 ECAD 6008 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU G5SBA20 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 200 V 2.8 a 单相 200 v
GBL005-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL005-E3/45 0.7456
RFQ
 ECAD 8984 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl GBL005 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 50 V
GBL01-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL01-E3/45 1.5800
RFQ
 ECAD 832 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl GBL01 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 GBL01E345 Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V 3 a 单相 100 v
GBL08-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL08-E3/45 1.5800
RFQ
 ECAD 2987 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl GBL08 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 2 A 10 µA @ 800 V 3 a 单相 800 v
GBLA10-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBLA10-E3/45 0.6630
RFQ
 ECAD 7533 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-sip，gbl GBLA10 标准 GBL 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 1 V @ 4 A 5 µA @ 1000 V 3 a 单相 1 kV
GBU4A-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4A-E3/45 1.0296
RFQ
 ECAD 7754 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 GBU4AE345 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 4 A 5 µA @ 50 V 3 a 单相 50 V
GBU4B-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4B-E3/45 1.0296
RFQ
 ECAD 4502 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1 V @ 4 A 5 µA @ 100 V 3 a 单相 100 v
GBU4D-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4D-E3/45 1.9500
RFQ
 ECAD 728 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 4 A 5 µA @ 200 V 3 a 单相 200 v
GBU4G-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4G-E3/45 1.9500
RFQ
 ECAD 372 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU4 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 4 A 5 µA @ 400 V 3 a 单相 400 v
GBU6B-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6B-E3/45 2.2100
RFQ
 ECAD 5826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU6 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 6 A 5 µA @ 100 V 3.8 a 单相 100 v
GBU6C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6C-E3/45 -
RFQ
 ECAD 6095 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU6 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 6 A 5 µA @ 150 V 3.8 a 单相 150 v
GBU6M-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6M-E3/45 2.2100
RFQ
 ECAD 8705 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU6 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V 3.8 a 单相 1 kV
GBU8B-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8B-E3/45 2.0600
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU8 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 8 A 5 µA @ 100 V 3.9 a 单相 100 v
GBU8D-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8D-E3/45 1.9700
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GBU GBU8 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 8 A 5 µA @ 200 V 3.9 a 单相 200 v
GI1403HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1403HE3/45 -
RFQ
 ECAD 7047 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GI1403 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜150°C 8a -
GI1404HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1404HE3/45 -
RFQ
 ECAD 3263 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 GI1404 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 200 v 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C 8a -
GI2401-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2401-E3/45 0.8186
RFQ
 ECAD 9145 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 GI2401 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 50 V 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 50 µA @ 50 V -65°C〜150°C
GI2403-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2403-E3/45 0.8186
RFQ
 ECAD 9227 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 GI2403 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 150 v 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 50 µA @ 150 V -65°C〜150°C
GI2404-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2404-E3/45 0.8186
RFQ
 ECAD 1737年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 GI2404 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C
GI2404HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI2404HE3/45 -
RFQ
 ECAD 1899年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 GI2404 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C
GIB1402-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB1402-E3/45 0.6141
RFQ
 ECAD 6023 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB GIB1402 标准 TO-263AB（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 100 v 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜150°C 8a -
GIB1403HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB1403HE3_A/p 0.8250
RFQ
 ECAD 6021 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车，AEC-Q101 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB GIB1403 标准 TO-263AB（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 150 v 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜150°C 8a -
GIB2404HE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division GIB2404HE3_A/p 1.1385
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB GIB2404 标准 TO-263AB（D²Pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns，> 200ma（io） 1对普通阴极 200 v 16a 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜150°C
GSIB1580-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB1580-E3/45 2.6000
RFQ
 ECAD 510 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GSIB-5 GSIB1580 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 950 MV @ 7.5 A 10 µA @ 800 V 15 a 单相 800 v
GSIB15A80-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB15A80-E3/45 2.7000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GSIB-5 GSIB15 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 7.5 A 10 µA @ 800 V 3.5 a 单相 800 v
GSIB2040-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2040-E3/45 1.6949
RFQ
 ECAD 1443 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GSIB-5 GSIB2040 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1200 1 V @ 10 A 10 µA @ 400 V 3.5 a 单相 400 v
GSIB2060-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2060-E3/45 2.8900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GSIB-5 GSIB2060 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 10 A 10 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
GSIB2540-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2540-E3/45 2.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GSIB-5 GSIB2540 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 400 V 3.5 a 单相 400 v
GSIB2560-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB2560-E3/45 2.9200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 4-SIP，GSIB-5 GSIB2560 标准 GSIB-5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 12.5 A 10 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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