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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 电流 -最大 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) 电阻 @ if,f
VS-70HFR10M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-70HFR 10m 17.0803
RFQ
ECAD 8708 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 70HFR10 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS70HFR 10m Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.35 V @ 220 A -65°C〜180°C 70a -
S3G-E3/51T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3G-E3/51T -
RFQ
ECAD 5858 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 表面安装 DO-214AB,SMC S3G 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.15 V @ 2.5 A 2.5 µs 10 µA @ 400 V -55°C〜150°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
MMBZ5236C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5236C-HE3-08 -
RFQ
ECAD 7547 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5236 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 6 V 7.5 v 6欧姆
KBP02M-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP02M-M4/51 -
RFQ
ECAD 5886 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP02 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 A 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
GP10BE-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10BE-M3/54 -
RFQ
ECAD 8424 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
BYG10YHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division byg10yhm3_a/i 0.4400
RFQ
ECAD 34 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA BYG10 雪崩 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1600 v 1.15 V @ 1.5 A 4 µs 1 µA @ 1600 V -55°C〜150°C 1.5a -
BA979-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BA979-GS18 -
RFQ
ECAD 7669 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 125°C(TJ) SOD-80变体 BA979 SOD-80四元 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 50 mA 0.5pf @ 0v,100MHz PIN-单 30V 50OHM @ 1.5mA,100MHz
VSSAF5M10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF5M10HM3/h 0.4800
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS®,Slimsma™ 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 SAF5M10 肖特基 DO-221AC(Slimsma) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 790 mv @ 5 a 400 µA @ 100 V -40°C〜175°C 5a 470pf @ 4V,1MHz
VS-GT50YF120NT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT50YF120NT 115.8900
RFQ
ECAD 108 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 盒子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 模块 231 w 标准 - 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-GT50YF120NT Ear99 8541.29.0095 12 全桥 沟渠场停止 1200 v 64 a 2.8V @ 15V,50a 50 µA 是的
VS-VSKCS401/045 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKCS401/045 52.7730
RFQ
ECAD 7501 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 Add-a-pak(3) VSKCS401 肖特基 Add-a-Pak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSVSKCS401045 Ear99 8541.10.0080 10 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对系列连接 45 v 200a 720 MV @ 200 A 20 ma @ 45 V -55°C 〜175°C
DZ23C15-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C15-E3-18 0.0415
RFQ
ECAD 2437 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 DZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DZ23 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1对普通阴极 100 na @ 11 V 15 v 30欧姆
RS3BHE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3BHE3/57T -
RFQ
ECAD 3974 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 DO-214AB,SMC RS3 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 2.5 A 150 ns 10 µA @ 100 V -55°C〜150°C 3a 44pf @ 4V,1MHz
UF4007-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UF4007-M3/73 0.4100
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 UF4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.7 V @ 1 A 75 ns 10 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1a 17pf @ 4V,1MHz
MMBZ5258B-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5258B-HE3-08 -
RFQ
ECAD 3876 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5258 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 27 V 36 V 70欧姆
MBRB760-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB760-E3/45 1.1400
RFQ
ECAD 999 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB760 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 750 MV @ 7.5 A 500 µA @ 60 V -65°C〜150°C 7.5a -
1N5406-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5406-E3/51 -
RFQ
ECAD 9385 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 1N5406 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.2 V @ 3 A 5 µA @ 600 V -50°C〜150°C 3a 30pf @ 4V,1MHz
MMSZ4697-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4697-E3-08 0.2700
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 表面安装 SOD-123 MMSZ4697 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 7.6 V 10 v
VS-10BQ060HM3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10BQ060HM3/5BT 0.4800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 大部分 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB 10BQ060 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3200 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 490 mv @ 1 A 100 µA @ 60 V -55°C〜150°C 1a 80pf @ 5V,1MHz
RGF1M-7000HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1M-7000HE3_B/i -
RFQ
ECAD 6537 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214BA RGF1M 标准 DO-214BA(GF1) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-RGF1M-7000HE3_B/ITR Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8.5pf @ 4V,1MHz
BZD27C110P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C110P-M3-18 0.4700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27-m 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27C110 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 82 V 110 v 250欧姆
V20DM150CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20DM150CHM3/i 1.4500
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V20DM150 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 10a 1.24 V @ 10 A 150 µA @ 150 V -40°C〜175°C
VS-61CTQ045-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-61CTQ045-M3 1.5025
RFQ
ECAD 9666 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 61CTQ045 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 30a 760 mv @ 60 a 1 mA @ 45 V -65°C〜175°C
VS-80EPF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-80EPF04PBF -
RFQ
ECAD 9817 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 80epf04 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 80 A 190 ns 100 µA @ 400 V -40°C〜150°C 80a -
B150-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B150-E3/61T 0.4400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA B150 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 750 MV @ 1 A 200 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a -
VS-47CTQ020STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-47CTQ020STRL-M3 1.1664
RFQ
ECAD 4817 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 47CTQ020 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 20 v 20a 450 mv @ 20 a 3 ma @ 20 V -55°C〜150°C
RGP20B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP20B-E3/73 -
RFQ
ECAD 4545 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 RGP20 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 2 A 150 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 2a -
BZG04-9V1-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-9V1-HM3-08 0.2079
RFQ
ECAD 6055 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZG04-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG04-9V1 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 mA 5 µA @ 9.1 V 11 V
TZM5258F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5258F-GS18 -
RFQ
ECAD 3627 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZM5258 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 27 V 36 V 700欧姆
MBR4050PT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR4050PT-E3/45 1.5515
RFQ
ECAD 1472 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 MBR4050 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 50 V 40a 720 mv @ 20 a 1 ma @ 50 V -65°C〜150°C
1N4937GPEHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4937GPEHE3/54 -
RFQ
ECAD 7874 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4937 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.2 V @ 1 A 200 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库