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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 (ih)(IH)) 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
SS1P5LHE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1P5LHE3/84A -
RFQ
ECAD 2647 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q100,ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-220aa SS1P5 肖特基 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 590 mv @ 1 a 100 µA @ 50 V -55°C〜150°C 1a -
VSSB310-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB310-M3/52T 0.4600
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SB310 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 700 mv @ 3 a 250 µA @ 100 V -40°C〜150°C 1.9a 230pf @ 4V,1MHz
VS-35APF12LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-35APF12LHM3 3.8500
RFQ
ECAD 7879 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 积极的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 35APF12 标准 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.47 V @ 35 A 450 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 35a -
VS-20ETS12STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETS12STRL-M3 2.1600
RFQ
ECAD 9707 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 20ETS12 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.1 V @ 20 A 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 20a -
V20150SG-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20150SG-E3/4W 0.6320
RFQ
ECAD 9118 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20150 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.6 V @ 20 A 200 µA @ 150 V -55°C〜150°C 20a -
SE20PDHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE20PDHM3/84A 0.1048
RFQ
ECAD 6339 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa SE20 标准 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.05 V @ 2 A 1.2 µs 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 1.6a 13pf @ 4V,1MHz
SE07PJ-E3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE07PJ-E3/85A -
RFQ
ECAD 3394 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-220aa SE07 标准 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.05 V @ 700 mA 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 700mA 5pf @ 4V,1MHz
MBRF3045CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF3045CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6353 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF3045 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 15a 600 mv @ 20 a 1 mA @ 45 V -65°C〜150°C
VS-45APF06L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45APF06L-M3 -
RFQ
ECAD 2542 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 45APF06 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 112-VS-45APF06L-M3 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.31 V @ 45 A 180 ns 100 µA @ 600 V -40°C〜150°C 45a -
BYQ28EF-100-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYQ28EF-100-E3/45 -
RFQ
ECAD 7045 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 BYQ28 标准 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 5a 1.1 V @ 5 A 25 ns 10 µA @ 100 V -40°C〜150°C
SE30PADHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE30PADHM3/i 0.1155
RFQ
ECAD 1734年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-221BC,SMA扁平导线暴露垫 SE30 标准 DO-221BC(SMPA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 14,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1.16 V @ 3 A 1.3 µs 5 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a 13pf @ 4V,1MHz
BZX584C18-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C18-HG3-08 0.3400
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX584C 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 BZX584C 200兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 50 NA @ 12.6 V 18 V 10欧姆
1N4001GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4001GP-E3/54 0.4900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4001 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 50 V 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
VS-ST330S08P0PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST330S08P0PBF 152.1883
RFQ
ECAD 3198 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 底盘,螺柱坐骑 TO-209AE,TO-118-4,螺柱 ST330 TO-209AE(to-118) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSST330S08P0PBF Ear99 8541.30.0080 6 600 MA 800 v 520 a 3 V 7570a,7920a 200 ma 1.52 v 330 a 50 mA 标准恢复
BZW03C47-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03C47-TAP -
RFQ
ECAD 6196 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 36 V 47 V 25欧姆
SML4759AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4759AHE3/5A -
RFQ
ECAD 2510 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SML4759 1 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 47.1 V 62 v 125欧姆
TZM5228C-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5228C-GS18 -
RFQ
ECAD 4683 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% 175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZM5228 500兆 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 10 µA @ 1 V 3.9 v 23欧姆
BYM12-100-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM12-100-E3/96 0.4100
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) BYM12 标准 do-213ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 100 V -65°C〜175°C 1a 20pf @ 4V,1MHz
PLZ20A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ20A-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,PLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±3% 150°C 表面安装 DO-219AC PLZ20 500兆 DO-219AC(MicroSMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,500 900 mv @ 10 ma 200 na @ 15 V 20 v 28欧姆
BZG05C7V5-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C7V5-M3-08 0.3900
RFQ
ECAD 3795 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZG05C-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG05C7V5 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 4.5 V 7.5 v 3欧姆
AS4PM-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS4PM-M3/87A 0.3135
RFQ
ECAD 9504 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn AS4 雪崩 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 962 MV @ 2 A 1.8 µs 10 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 2.4a 60pf @ 4V,1MHz
FEP16CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FEP16CT-E3/45 1.5100
RFQ
ECAD 372 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 FEP16 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 16a 950 MV @ 8 A 35 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C
VS-20CTQ040STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ040STRR-M3 0.9298
RFQ
ECAD 6752 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 20CTQ040 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 640 mv @ 10 a 2 ma @ 40 V -55°C 〜175°C
KBP02M-61E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP02M-61E4/51 -
RFQ
ECAD 7852 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP02 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
AZ23B6V8-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B6V8-G3-18 0.0594
RFQ
ECAD 1778年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 AZ23-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23B6V8 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1对公共阳极 100 na @ 3 V 6.8 v 8欧姆
SS1FL4-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1FL4-M3/i 0.1409
RFQ
ECAD 2790 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab SS1FL4 肖特基 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 500 mv @ 1 A 200 µA @ 40 V -55°C〜150°C 1a 115pf @ 4V,1MHz
VS-8EWS12SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS12SPBF -
RFQ
ECAD 8492 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 8ews12 标准 TO-252,(-d-pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS8EWS12SPBF Ear99 8541.10.0080 75 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 8 A 50 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 8a -
DZ23C5V6-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C5V6-HE3-08 0.0436
RFQ
ECAD 3118 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,DZ23 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DZ23 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 1对普通阴极 100 na @ 1 V 5.6 v 40欧姆
RS1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1B-E3/5AT 0.4700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA RS1B 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
EGL41CHE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41CHE3/97 -
RFQ
ECAD 6914 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) EGL41 标准 do-213ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1 V @ 1 A 50 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C 1a 20pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库