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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 (ih)(IH)) 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
SS2P4-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P4-M3/85A 0.1363
RFQ
ECAD 8956 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa SS2P4 肖特基 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 2 a 150 µA @ 40 V -55°C〜150°C 2a 110pf @ 4V,1MHz
VT10200C-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT10200C-E3/4W 1.2100
RFQ
ECAD 662 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT10200 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 5a 1.6 V @ 5 A 150 µA @ 200 V -40°C〜150°C
MBR20H35CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20H35CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6069 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR20 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 10a 630 MV @ 10 A 100 µA @ 35 V -65°C〜175°C
B340LB-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B340LB-E3/52T 0.4800
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB B340 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 450 mv @ 3 a 400 µA @ 40 V -65°C〜150°C 3a -
V40DL63CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40DL63CHM3/i 2.4600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® (CT) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + TAB) V40DL63 肖特基 TO-263AC(SMPD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 20a 590 mv @ 20 a 600 µA @ 60 V -40°C〜150°C
SMZJ3789A-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3789A-E3/52 -
RFQ
ECAD 5485 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±10% -55°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMZJ37 1.5 w DO-214AA(SMBJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 750 50 µA @ 7.6 V 10 v 5欧姆
SS8P6C-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P6C-M3/87A 0.6600
RFQ
ECAD 7690 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn SS8P6 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 60 V 4a 700 mv @ 4 a 50 µA @ 60 V -55°C〜150°C
VS-1N1185R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N1185R -
RFQ
ECAD 6978 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N1185 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 150 v 1.7 V @ 110 A 10 ma @ 150 V -65°C 〜190°C 35a -
MBR20100CT-E3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR20100CT-E3/4W 2.0700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 MBR20100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 10a 800 mv @ 10 a 100 µA @ 100 V -65°C〜150°C
PTV11B-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division PTV11B-M3/84A 0.1223
RFQ
ECAD 3475 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% 150°C 表面安装 do-220aa PTV11 600兆 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.5 V @ 200 ma 10 µA @ 8 V 11.7 v 8欧姆
VS-125NQ015PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-125NQ015PBF 19.5000
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 D-67半粉 125NQ015 肖特基 D-67半粉 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 15 v 430 MV @ 120 A 40 mA @ 15 V 120a 7700pf @ 5V,1MHz
BZD27C120P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C120P-M3-08 0.1733
RFQ
ECAD 6016 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27-m 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27C120 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 91 V 120 v 250欧姆
UG18DCT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG18DCT-E3/45 -
RFQ
ECAD 6001 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 UG18 标准 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 18a 1.1 V @ 9 A 30 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C
RS1KHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1KHE3/61T -
RFQ
ECAD 1654年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-214ac,SMA RS1K 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 800 V -55°C〜150°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
RGP10MHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10MHE3/54 -
RFQ
ECAD 5383 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 RGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.3 V @ 1 A 500 ns 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
AZ23B27-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B27-G3-08 0.0594
RFQ
ECAD 4751 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 AZ23-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23B27 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 1对公共阳极 100 na @ 20 V 27 V 80欧姆
GP10-4007EHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4007EHE3/53 -
RFQ
ECAD 3149 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,epleaTectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
3N253-M4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3N253-M4/51 -
RFQ
ECAD 6713 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C〜165°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm 3N253 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.1 V @ 3.14 A 5 µA @ 50 V 2 a 单相 50 V
BZT52B56-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B56-G3-08 0.0483
RFQ
ECAD 1290 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT52-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52B56 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 56 v 135欧姆
SGL41-60HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-60HE3/96 0.6500
RFQ
ECAD 842 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-213ab,Melf SGL41 肖特基 GL41(do-213ab) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 700 mv @ 1 A 500 µA @ 60 V -55°C〜150°C 1a 80pf @ 4V,1MHz
FESF16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESF16DT-E3/45 2.1000
RFQ
ECAD 5724 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 FESF16 标准 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 16a -
RGP5020-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP5020-E3/54 -
RFQ
ECAD 6528 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 轴向 RGP50 标准 轴向 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v - 500mA -
1N5254C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5254C-TAP 0.0288
RFQ
ECAD 3899 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5254 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 21 V 27 V 41欧姆
SB3H90-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB3H90-E3/73 0.5200
RFQ
ECAD 874 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-201 AD,轴向 SB3H90 肖特基 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 800 mv @ 3 a 20 µA @ 90 V 175°c (最大) 3a -
V20202G-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20202G-M3/4W 0.9689
RFQ
ECAD 2116 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 V20202 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 10a 920 MV @ 10 A 150 µA @ 200 V -40°C〜175°C
VS-VSKD320-12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD320-12PBF 201.1700
RFQ
ECAD 4504 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 3-magn-a-pak™ VSKD320 标准 Magn-A-Pak® 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSVSKD32012PBF Ear99 8541.10.0080 2 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1200 v 160a 50 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
VS-10ETF02STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF02STRL-M3 0.9682
RFQ
ECAD 5059 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB 10ETF02 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.2 V @ 10 A 200 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 10a -
BYT54J-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byt54J-Tr 0.2871
RFQ
ECAD 8615 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 BYT54 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 1 A 100 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1.25a -
VS-25TTS16SPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25TTS16SPBF -
RFQ
ECAD 3124 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 -40°C〜125°C 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2 + Tab),TO-263AB 25TTS16 TO-263AB(D²Pak) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS25TTS16SPBF Ear99 8541.30.0080 50 150 ma 1.6 kV 25 a 2 v 300A @ 50Hz 45 MA 1.25 v 16 a 500 µA 标准恢复
V10PM15-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v10pm15-m3/h 0.6800
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn v10pm15 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.08 V @ 10 A 200 µA @ 150 V -40°C〜175°C 10a 680pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库