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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) (CIES) @ vce
SGL41-60HE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-60HE3/96 0.6500
RFQ
ECAD 842 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-213ab,Melf SGL41 肖特基 GL41(do-213ab) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 700 mv @ 1 A 500 µA @ 60 V -55°C〜150°C 1a 80pf @ 4V,1MHz
GBU6D-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU6D-E3/45 2.2100
RFQ
ECAD 636 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU6 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1 V @ 3 A 5 µA @ 200 V 3.8 a 单相 200 v
GBU8KL-5301E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8KL-5301E3/45 -
RFQ
ECAD 2241 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 800 V 3.9 a 单相 800 v
DF04SA-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF04SA-E3/45 0.2751
RFQ
ECAD 3511 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF04 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 400 V 1 a 单相 400 v
VS-36MB20A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-36MB20A 8.4600
RFQ
ECAD 2451 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方,D-34 36MB20 标准 D-34 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 10 µA @ 200 V 35 a 单相 200 v
VS-26MB160A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-26MB160A 12.8100
RFQ
ECAD 5051 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) QC终端 4平方,D-34 26MB160 标准 D-34 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 10 µA @ 1600 V 25 a 单相 1.6 kV
VS-KBPC802 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-KBPC802 4.7300
RFQ
ECAD 3477 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 VS-KBPC8 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4平方英尺,D-72 KBPC802 标准 D-72 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 1 V @ 3 A 10 µA @ 200 V 8 a 单相 200 v
60MT120KB Vishay General Semiconductor - Diodes Division 60mt120kb -
RFQ
ECAD 1421 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 MTK 60MT120 标准 MTK 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 60 a 三期 1.2 kV
VS-GT100DA120UF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100DA120UF 41.5000
RFQ
ECAD 1995 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 hexfred® 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 SOT-227-4,迷你布洛克 GT100 890 w 标准 SOT-227 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 1200 v 187 a 2.55V @ 15V,100A 100 µA 6.15 NF @ 25 V
BZM55B5V1-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55B5V1-Tr 0.3200
RFQ
ECAD 6201 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZM55 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 175°C 表面安装 2-SMD,没有铅 BZM55B5V1 500兆 微型 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 1 V 5.1 v 60欧姆
BZT52C24-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C24-E3-18 0.2700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT52 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52C24 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 18 V 24 V 28欧姆
M100M-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division M100m-E3/54 -
RFQ
ECAD 4641 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 M100 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 1 µA @ 1000 V -50°C〜150°C 1a -
ES1CHE3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES1CHE3/61T -
RFQ
ECAD 8974 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-214ac,SMA ES1 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 920 MV @ 1 A 25 ns 5 µA @ 150 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
PB5010-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PB5010-E3/45 4.4200
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ISOCINK+™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,PB PB5010 标准 ISOCINK+™PB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 PB5010-E3/45GI Ear99 8541.10.0080 20 1.1 V @ 22.5 A 10 µA @ 1000 V 4.5 a 单相 1 kV
B6S-E3/80 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B6S-E3/80 0.5900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-269AA,4-Besop B6S 标准 TO-269AA(MBS) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 3,000 1 V @ 500 MA 5 µA @ 600 V 500 MA 单相 600 v
SML4729-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4729-E3/61 -
RFQ
ECAD 8564 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% 150°C 表面安装 do-214ac,SMA SML4729 1 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,800 100 µA @ 1 V 3.6 v 10欧姆
BU2008-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2008-M3/45 1.9276
RFQ
ECAD 3750 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU2008 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 800 V 20 a 单相 800 v
BZT52B2V4-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V4-HE3_A-08 0.0533
RFQ
ECAD 6463 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZT52 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 300兆 SOD-123 下载 112-BZT52B2V4-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 50 µA @ 1 V 2.4 v 100欧姆
AZ23B5V1-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B5V1-HE3-08 0.0534
RFQ
ECAD 9109 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,AZ23 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23B5V1 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 1对公共阳极 100 NA @ 800 mV 5.1 v 60欧姆
BZX84C27-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C27-E3-18 0.0306
RFQ
ECAD 9471 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX84 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C27 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 18.9 V 27 V 80欧姆
KBP01M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP01M-E4/51 -
RFQ
ECAD 2682 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP01 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V 1.5 a 单相 100 v
BZG03B51TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B51TR3 -
RFQ
ECAD 7229 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZG03B 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG03 1.25 w DO-214AC - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 39 V 51 v 60欧姆
TLZ39F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ39F-GS18 0.0335
RFQ
ECAD 3475 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TLZ39 500兆 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 40 NA @ 36.2 V 39 v 85欧姆
BZD27C3V6P-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C3V6P-M-08 -
RFQ
ECAD 2060 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27-m 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27C3V6 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.6 v 8欧姆
VI20120SG-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI20120SG-M3/4W 0.5618
RFQ
ECAD 7161 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA vi20120 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.33 V @ 20 A 250 µA @ 120 V -40°C〜150°C 20a -
MPG06M-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06M-E3/53 0.4100
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 MPG06,轴向 MPG06 标准 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 600 ns 5 µA @ 1000 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
S1J-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1J-E3/5AT 0.3700
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA S1J 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 1.8 µs 1 µA @ 600 V -55°C〜150°C 1a 12pf @ 4V,1MHz
DF01S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF01S-E3/45 0.8300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 4-SMD,鸥翼 DF01 标准 DFS 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 100 V 1 a 单相 100 v
KBP08M-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP08M-E4/51 -
RFQ
ECAD 8323 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP08 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V 1.5 a 单相 800 v
BZG04-68-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-68-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 3314 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZG04-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 - 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG04-68 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 mA 5 µA @ 68 V 82 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库