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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
VS-6EWL06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6EWL06FNTRR-M3 0.3800
RFQ
ECAD 4066 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 6ewl06 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS6EWL06FNTRRM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.25 V @ 6 A 70 ns 5 µA @ 600 V -65°C〜175°C 6a -
V60100P-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60100P-E3/45 -
RFQ
ECAD 6903 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 V60100 肖特基 TO-247AD(TO-3P) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 V60100P-E3/45GI Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 30a 790 mv @ 30 a 800 µA @ 100 V -40°C〜150°C
MBR30H35CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H35CTHE3/45 -
RFQ
ECAD 6322 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 35 v 15a 820 MV @ 15 A 5 µA @ 35 V -65°C〜175°C
PLZ4V7C-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ4V7C-G3/h 0.2800
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 plz 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.6% 150°C(TJ) 表面安装 DO-219AC PLZ4V7 960兆 DO-219AC(MicroSMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,500 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 1 V 4.81 v 25欧姆
EGP10A-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10A-M3/73 -
RFQ
ECAD 2614 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 22pf @ 4V,1MHz
AZ23C3V0-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C3V0-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 8506 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,AZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23-3 下载 112-AZ23C3V0-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1对公共阳极 10 µA @ 1 V 3 V 95欧姆
SB040-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB040-E3/73 -
RFQ
ECAD 3197 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 MPG06,轴向 SB040 肖特基 MPG06 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 40 V 550 mv @ 600 mA 500 µA @ 40 V -65°C〜125°C 600mA -
MBRF2045CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRF2045CT-E3/45 0.8765
RFQ
ECAD 6917 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3完整包,隔离选项卡 MBRF2045 肖特基 ITO-220AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 10a 650 MV @ 10 A 100 µA @ 45 V -65°C〜150°C
VS-GT100TS065S Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GT100TS065S 85.9800
RFQ
ECAD 5207 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 盒子 积极的 -40°C〜175°C(TJ) 底盘安装 模块 517 w 标准 - rohs3符合条件 (1 (无限) 112-VS-GT100TS065S 15 半桥逆变器 650 v 247 a 100 µA
VS-VSKC166/08PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKC166/08PBF 60.4067
RFQ
ECAD 5400 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 int-a-pak VSKC166 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSVSKC16608PBF Ear99 8541.10.0080 15 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对系列连接 800 v 82.5a 1.43 V @ 259 A 20 ma @ 800 V -55°C 〜175°C
PLZ11C-G3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ11C-G3/h 0.3100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 plz 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±3% 150°C 表面安装 DO-219AC PLZ11 500兆 DO-219AC(MicroSMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,500 900 mv @ 10 ma 200 na @ 8 V 11 V 10欧姆
BZX384C18-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C18-G3-08 0.0389
RFQ
ECAD 1319 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX384-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 BZX384C18 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 2266-BZX384C18-G3-08 Ear99 8541.10.0050 15,000 50 NA @ 12.6 V 18 V 45欧姆
VS-30APF10-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30APF10-M3 5.5000
RFQ
ECAD 2393 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 30APF10 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS-30APF10-M3GI Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.41 V @ 30 A 450 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 30a -
TZM5230C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5230C-GS08 -
RFQ
ECAD 1137 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% 175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZM5230 500兆 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 19欧姆
BAT81S-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT81S-TAP 0.3400
RFQ
ECAD 49 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (CT) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BAT81 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 40 V 1 V @ 15 ma 200 NA @ 40 V 125°c (最大) 30mA 1.6pf @ 1V,1MHz
VS-VSKD196/12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKD196/12PBF 66.6933
RFQ
ECAD 4025 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘安装 int-a-pak VSKD196 标准 int-a-pak 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSVSKD19612PBF Ear99 8541.10.0080 15 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1200 v 97.5A 20 ma @ 1200 V -40°C〜150°C
AZ23B24-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B24-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 7081 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,AZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23-3 下载 112-AZ23B24-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 1对公共阳极 50 NA @ 16.8 V 24 V 70欧姆
V60100C-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division V60100C-E3/45 -
RFQ
ECAD 3271 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 V60100 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 V60100C-E3/45GI Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 100 v 30a 790 mv @ 30 a 1 mA @ 100 V -40°C〜150°C
BZG05C8V2-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C8V2-M3-08 0.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZG05C-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6.1% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG05C8V2 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 6.2 V 8.2 v 5欧姆
BYS10-35HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYS10-35HE3_A/H 0.3800
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA BYS10 肖特基 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 500 mv @ 1 A 500 µA @ 35 V -65°C〜150°C 1.5a -
AZ23C24-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C24-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 3572 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 AZ23-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23C24 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1对公共阳极 100 na @ 18 V 24 V 80欧姆
SBLB2040CTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBLB2040CTHE3/81 -
RFQ
ECAD 1874年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB SBLB2040 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 600 mv @ 10 a 1 mA @ 40 V -55°C〜150°C
VS-EPU6006L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EPU6006L-N3 2.5000
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 EPU6006 标准 TO-247AD 下载 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 60 A 110 ns 30 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 60a -
VS-APU6006-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-APU6006-N3 3.2200
RFQ
ECAD 45 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 APU6006 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2 V @ 30 A 45 ns 30 µA @ 600 V -40°C〜150°C 30a -
GBU8JL-6088E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8JL-6088E3/51 -
RFQ
ECAD 1388 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU GBU8 标准 gbu - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 8 A 5 µA @ 600 V 3.9 a 单相 600 v
SS35-1HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS35-1HE3_B/i -
RFQ
ECAD 2282 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC SS35 肖特基 DO-214AB(SMC) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 750 mv @ 3 a 500 µA @ 50 V -55°C〜150°C 3a -
BZD27B8V2P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B8V2P-HE3-18 0.1238
RFQ
ECAD 7559 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZD27B 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27B8V2 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 3 V 8.2 v 2欧姆
BZX584C8V2-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C8V2-G3-08 0.3000
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX584C 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 SC-79,SOD-523 BZX584C 200兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 8,000 700 na @ 5 V 8.2 v 6欧姆
VS-2EYH02HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-2EYH02HM3/h 0.4500
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-221ac,sma平面线索 2eyh02 标准 Slimsmaw(DO-221AD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 930 mv @ 2 a 28 ns 2 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 2a 12pf @ 200V
G3SBA60L-5702E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA60L-5702E3/45 -
RFQ
ECAD 9482 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G3SBA60 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 1 V @ 2 A 5 µA @ 600 V 2.3 a 单相 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库