SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 结构 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 (ih)(IH)) 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) ((av)(av)) 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f SCR,二极管的数量 IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 当前 -收集器截止(最大) NTC热敏电阻 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT)) (CIES) @ vce
TZX30B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX30B-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (CT) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX30 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 1 µA @ 23 V 30 V 100欧姆
G5SBA20L-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G5SBA20L-E3/45 -
RFQ
ECAD 6008 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,GBU G5SBA20 标准 gbu 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 3 A 5 µA @ 200 V 2.8 a 单相 200 v
BZX84C75-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C75-HE3-18 0.0323
RFQ
ECAD 6363 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX84 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C75 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 52.5 V 75 v 255欧姆
AZ23C3V0-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C3V0-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 3808 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,AZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23-3 下载 112-AZ23C3V0-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 1对公共阳极 10 µA @ 1 V 3 V 95欧姆
TZMC9V1-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC9V1-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZM 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZMC9V1 500兆 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 6.8 V 9.1 v 10欧姆
BZD27B5V1P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B5V1P-M3-08 0.4200
RFQ
ECAD 29 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27B-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27B5V1 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 5.1 v 6欧姆
BZX84B36-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B36-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 6444 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX84 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23-3 下载 112-BZX84B36-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 50 NA @ 25.2 V 36 V 90欧姆
AZ23C36-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C36-G3-18 0.0483
RFQ
ECAD 3333 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 AZ23-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23C36 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1对公共阳极 100 na @ 27 V 36 V 90欧姆
VS-GB150TH120U Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-GB150TH120U -
RFQ
ECAD 6104 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 150°C(TJ) 底盘安装 双int-a-pak(3 + 4) GB150 1147 w 标准 双int-a-pak - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSGB150TH120U Ear99 8541.29.0095 12 半桥 - 1200 v 280 a 3.6V @ 15V,150a 5 ma 12.7 NF @ 30 V
EGP10AHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10AHE3/73 -
RFQ
ECAD 3930 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 EGP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 950 MV @ 1 A 50 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜150°C 1a 22pf @ 4V,1MHz
MMBZ5255C-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5255C-E3-18 -
RFQ
ECAD 5018 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5255 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 21 V 28 V 44欧姆
BZT03C6V8-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C6V8-TAP 0.2970
RFQ
ECAD 9347 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 积极的 ±5.88% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C6V8 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 mA @ 5.1 V 6.8 v 2欧姆
BZX85C91-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C91-TAP -
RFQ
ECAD 3050 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (TB) 过时的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C91 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 68 V 91 v 250欧姆
VS-VSKT250-14PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKT250-14PBF 233.4650
RFQ
ECAD 1193 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 底盘安装 Magn-a-pak VSKT250 系列连接 -SCR/二极管 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 2 500 MA 1.4 kV 555 a 3 V 8500A,8900A 200 ma 250 a 1 sc,1二极管
TZM5249F-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5249F-GS18 -
RFQ
ECAD 8717 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 - 175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZM5249 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 14 V 19 v 600欧姆
BZG03C20TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C20TR3 -
RFQ
ECAD 7266 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZG03C 胶带和卷轴((tr) 过时的 - -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA BZG03 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 15 V 20 v 15欧姆
BZX84C16-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C16-HE3-08 0.2400
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX84 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C16 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 50 NA @ 11.2 V 16 V 40欧姆
V8PM10HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division v8pm10hm3/h 0.6400
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn v8pm10 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 750 MV @ 8 A 60 µA @ 100 V -40°C〜150°C 8a -
SML4754AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4754AHE3/5A -
RFQ
ECAD 2136 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 在sic中停产 ±5% 150°C 表面安装 do-214ac,SMA SML4754 1 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 29.7 V 39 v 60欧姆
BZX84B39-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B39-E3-18 0.0324
RFQ
ECAD 1681年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX84 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84B39 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 50 na @ 27.3 V 39 v 130欧姆
VT60M120CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT60M120CHM3/4W -
RFQ
ECAD 2278 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT60M120 肖特基 TO-220AB - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT60M120CHM3/4WGI Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 120 v 30a 970 mv @ 30 a 500 µA @ 120 V -40°C〜175°C
RS1D-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1D-E3/61T 0.4700
RFQ
ECAD 72 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA RS1D 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 200 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
VS-15ETU12-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETU12-N3 -
RFQ
ECAD 2944 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 15ETU12 标准 TO-220AC 下载 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 2.78 V @ 15 A 167 ns 80 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 15a -
BZD27C9V1P-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C9V1P-M-08 -
RFQ
ECAD 7146 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27-m 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27C9V1 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 5 V 9.1 v 4欧姆
SML4764HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4764HE3_A/i 0.2063
RFQ
ECAD 9980 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 do-214ac,SMA SML4764 1 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µA @ 76 V 100 v 350欧姆
MMBZ4693-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4693-G3-18 -
RFQ
ECAD 3924 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ4693 350兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 10 µA @ 5.7 V 7.5 v
VSB3200-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB3200-M3/73 -
RFQ
ECAD 4770 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® (TB) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 B3200 肖特基 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VSB3200M373 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.2 V @ 3 A 60 µA @ 200 V -40°C〜150°C 3a 175pf @ 4V,1MHz
MMBZ5266C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5266C-E3-08 -
RFQ
ECAD 9846 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5266 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 100 na @ 52 V 68 v 230欧姆
1N5245B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5245B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5245 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 11 V 15 v 16欧姆
BZX84C10-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C10-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX84 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C10 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 200 na @ 7 V 10 v 20欧姆
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库