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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 (ih)(IH)) 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
MMBZ5264C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5264C-E3-08 -
RFQ
ECAD 8993 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5264 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 100 NA @ 46 V 60 V 170欧姆
BZW03D220-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D220-Tr -
RFQ
ECAD 1105 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 158 V 220 v 700欧姆
DZ23C11-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C11-HE3_A-18 -
RFQ
ECAD 4729 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,DZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23-3 下载 112-DZ23C11-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 1对普通阴极 100 na @ 8.5 V 11 V 6欧姆
BZT52C11-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C11-HE3_A-18 0.0533
RFQ
ECAD 3096 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZT52 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 150°C(TJ) 表面安装 SOD-123 300兆 SOD-123 下载 112-BZT52C11-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 8.5 V 11 V 20欧姆
BZG05B5V6-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B5V6-HM3-18 0.2079
RFQ
ECAD 8973 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZG05B-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±1.96% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG05B5V6 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 2 V 5.6 v 7欧姆
VS-E5PX3012L-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-E5PX3012L-N3 3.5700
RFQ
ECAD 1925年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 E5PX3012 标准 TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 3.15 V @ 30 A 100 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 30a -
PLZ20A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ20A-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,PLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±3% 150°C 表面安装 DO-219AC PLZ20 500兆 DO-219AC(MicroSMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,500 900 mv @ 10 ma 200 na @ 15 V 20 v 28欧姆
BZG05C7V5-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C7V5-M3-08 0.3900
RFQ
ECAD 3795 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZG05C-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG05C7V5 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 200 ma 1 µA @ 4.5 V 7.5 v 3欧姆
RS1B-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1B-E3/5AT 0.4700
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-214ac,SMA RS1B 标准 DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 7,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 100 v 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 100 V -55°C〜150°C 1a 10pf @ 4V,1MHz
VT1080S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT1080S-M3/4W 0.5561
RFQ
ECAD 1227 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 VT1080 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VT1080SM34W Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 810 MV @ 10 A 600 µA @ 80 V -55°C〜150°C 10a -
10ETF10S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10etf10s -
RFQ
ECAD 6188 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 10etf10 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 *10etf10s Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.33 V @ 10 A 310 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 10a -
KBP02M-61E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBP02M-61E4/51 -
RFQ
ECAD 7852 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 托盘 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,kbpm KBP02 标准 kbpm 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 600 1.3 V @ 1.57 A 5 µA @ 200 V 1.5 a 单相 200 v
TZMA18-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMA18-GS08 0.1497
RFQ
ECAD 6251 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZMA18 500兆 SOD-80最小 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 13 V 18 V 50欧姆
MBR30H150CT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR30H150CT-E3/45 -
RFQ
ECAD 1385 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3 MBR30 肖特基 TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 MBR30H150CT-E3/45GI Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 150 v 15a 900 mv @ 15 A 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C
SS2H9HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2H9HE3_A/H 0.1739
RFQ
ECAD 5853 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q100 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AA,SMB SS2H9 肖特基 DO-214AA(SMB) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 750 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 90 v 790 mv @ 2 a 10 µA @ 90 V -65°C〜175°C 2a -
VS-ST103S08PFN2 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST103S08PFN2 -
RFQ
ECAD 7081 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -40°C〜125°C 底盘,螺柱坐骑 TO-209AC,TO-94-4,Stud ST103 TO-209AC((94) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 VSST103S08PFN2 Ear99 8541.30.0080 25 600 MA 800 v 165 a 3 V 2530a,2650a 200 ma 1.73 v 105 a 30 ma 标准恢复
MBRB1635-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB1635-E3/81 0.8473
RFQ
ECAD 3140 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB MBRB1635 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 630 MV @ 16 A 200 µA @ 35 V -65°C〜150°C 16a -
VS-20CTQ040STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ040STRR-M3 0.9298
RFQ
ECAD 6752 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 20CTQ040 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 40 V 10a 640 mv @ 10 a 2 ma @ 40 V -55°C 〜175°C
PLZ15B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ15B-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,PLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±3% 150°C 表面安装 DO-219AC PLZ15 500兆 DO-219AC(MicroSMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,500 900 mv @ 10 ma 200 na @ 11 V 15 v 16欧姆
GI854-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI854-E3/54 -
RFQ
ECAD 4390 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 通过洞 DO-201 AD,轴向 GI854 标准 Do-201 AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,400 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 3 A 200 ns 10 µA @ 400 V -50°C〜150°C 3a 28pf @ 4V,1MHz
AZ23B8V2-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B8V2-HE3_A-08 -
RFQ
ECAD 1650 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,AZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% 150°C(TJ) 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 300兆 SOT-23-3 下载 112-AZ23B8V2-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1对公共阳极 700 na @ 5 V 8.2 v 15欧姆
MSS1P6-E3/89A Vishay General Semiconductor - Diodes Division MSS1P6-E3/89A -
RFQ
ECAD 6014 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 microSMP MSS1P6 肖特基 MicroSMP(do-219AD) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 4,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 680 mv @ 1 a 150 µA @ 60 V -55°C〜150°C 1a 40pf @ 4V,1MHz
GP10MHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10MHM3/73 -
RFQ
ECAD 9804 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 GP10 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 3 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 7pf @ 4V,1MHz
8TQ080STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8TQ080STRR -
RFQ
ECAD 4928 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 8TQ080 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 720 MV @ 8 A 550 µA @ 80 V -55°C 〜175°C 8a -
VS-8EWS12SLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS12SLHM3 1.6100
RFQ
ECAD 7900 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 8ews12 标准 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.1 V @ 8 A 50 µA @ 1200 V -55°C〜150°C 8a -
VS-1N2133A Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N2133A -
RFQ
ECAD 3842 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 1N2133 标准 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 300 v 1.3 V @ 188 A 10 ma @ 300 V -65°C 〜200°C 60a -
SS3P3HE3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS3P3HE3/84A -
RFQ
ECAD 9500 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q100,ESMP® 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 do-220aa SS3p3 肖特基 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 580 mv @ 3 a 200 µA @ 30 V -55°C〜150°C 3a -
BZG03C47-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C47-M3-08 0.5000
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZG03C-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6.38% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG03C47 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 36 V 47 V 45欧姆
ES3CHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3CHE3_A/H 0.3138
RFQ
ECAD 5945 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-214AB,SMC ES3C 标准 DO-214AB(SMC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 850 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 900 mv @ 3 a 30 ns 10 µA @ 150 V -55°C〜150°C 3a 45pf @ 4V,1MHz
VS-MURB1620CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MURB1620CT-M3 1.1900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB Murb1620 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 200 v 8a 975 mv @ 8 a 35 ns 5 µA @ 200 V -65°C〜175°C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库