SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大) 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BZX85B75-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B75-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B75 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 56 V 75 v 135欧姆
MMSZ5259B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5259B-G3-18 0.0409
RFQ
ECAD 4579 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 MMSZ5259 500兆 SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 30 V 39 v 80欧姆
BZD27C7V5P-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C7V5P-M-08 -
RFQ
ECAD 4565 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZD27-m 胶带和卷轴((tr) 积极的 - -65°C〜175°C 表面安装 do-219ab BZD27C7V5 800兆 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 50 µA @ 3 V 7.5 v 2欧姆
SMZJ3788B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3788B-E3/5B 0.1817
RFQ
ECAD 5905 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMZJ3788 1.5 w DO-214AA(SMBJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3200 50 µA @ 7 V 9.1 v 4欧姆
BZW03D130-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D130-TAP -
RFQ
ECAD 2681 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZW03 (TB) 过时的 ±10% -65°C〜175°C 通过洞 SOD-64,轴向 BZW03 1.85 w SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 V @ 1 A 2 µA @ 100 V 130 v 190欧姆
BZT03C20-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C20-TAP 0.2970
RFQ
ECAD 5545 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (TB) 积极的 ±6% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C20 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 15 V 20 v 15欧姆
BZT52B3V3-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B3V3-HE3-18 0.0454
RFQ
ECAD 4049 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZT52 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52B3V3 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 3.3 v 80欧姆
BZX584C3V0-V-G-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C3V0-VG-08 -
RFQ
ECAD 6412 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX584C-VG 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C〜150°C 表面安装 SC-79,SOD-523 BZX584C 200兆 SOD-523 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µA @ 1 V 3 V 95欧姆
SMZJ3798BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3798BHE3_A/h 0.1597
RFQ
ECAD 6237 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMZJ3798 1.5 w DO-214AA(SMBJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 750 5 µA @ 18.2 V 24 V 19欧姆
TZM5240B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5240B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 33 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZM5240 500兆 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 8 V 10 v 17欧姆
GDZ36B-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ36B-HG3-18 0.0523
RFQ
ECAD 3721 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,GDZ-G 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SC-76,SOD-323 GDZ36 200兆 SOD-323 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 100 na @ 27 V 36 V 300欧姆
MBR1060-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1060-E3/45 1.0600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 MBR106 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 800 mv @ 10 a 100 µA @ 60 V -65°C〜150°C 10a -
TZX5V1A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX5V1A-TAP 0.0287
RFQ
ECAD 8478 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,TZX (TB) 积极的 - -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 TZX5V1 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v 100欧姆
FGP50C-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP50C-E3/73 -
RFQ
ECAD 9755 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-201aa,do-27,轴向 FGP50 标准 GP20 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 950 mv @ 5 a 35 ns 5 µA @ 150 V -65°C〜175°C 5a 100pf @ 4V,1MHz
BZT52B2V7-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B2V7-E3-18 0.0433
RFQ
ECAD 1444 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT52 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 SOD-123 BZT52B2V7 410 MW SOD-123 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 2.7 v 75欧姆
V10P15-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P15-m3/i 0.2805
RFQ
ECAD 8951 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn V10P15 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 6,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 150 v 1.08 V @ 10 A 200 µA @ 150 V -40°C〜150°C 10a -
DZ23C3V0-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C3V0-E3-18 0.0415
RFQ
ECAD 8422 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 DZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DZ23 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1对普通阴极 3 V 95欧姆
GLL4760-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4760-E3/96 0.3053
RFQ
ECAD 8083 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±10% -65°C〜150°C 表面安装 do-213ab,Melf GLL4760 1 w Melf DO-213AB 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,500 5 µA @ 51.7 V 68 v 150欧姆
MMBZ5240C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5240C-E3-08 -
RFQ
ECAD 3129 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5240 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 8 V 10 v 17欧姆
SMBZ5919B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5919B-E3/52 0.4400
RFQ
ECAD 4182 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMBZ5919 3 W DO-214AA(SMBJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 750 1.5 V @ 200 ma 200 µA @ 3 V 5.6 v 5欧姆
AZ23B12-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B12-E3-08 0.0509
RFQ
ECAD 2277 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 AZ23 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23B12 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 1对公共阳极 100 na @ 9 V 12 v 20欧姆
FESB8JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB8JT-E3/81 1.3200
RFQ
ECAD 800 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB FESB8 标准 TO-263AB(D²Pak) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.5 V @ 8 A 50 ns 10 µA @ 600 V -55°C〜150°C 8a -
VS-50WQ06FNTRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ06FNTRHM3 0.9913
RFQ
ECAD 8157 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 50WQ06 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS50WQ06FNTRHM3 Ear99 8541.10.0080 2,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 60 V 570 mv @ 5 a 3 ma @ 60 V -40°C〜150°C 5.5a 360pf @ 5V,1MHz
VS-30EPF04-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF04-M3 3.4444
RFQ
ECAD 3719 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 30epf04 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS30EPF04M3 Ear99 8541.10.0080 500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.41 V @ 30 A 100 µA @ 400 V -40°C〜150°C 30a -
BZG03C20-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C20-HM3-18 0.1898
RFQ
ECAD 1788年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZG03C-M 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±6% 150°C(TJ) 表面安装 do-214ac,SMA BZG03C20 1.25 w DO-214AC(SMA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 V @ 500 mA 1 µA @ 15 V 20 v 15欧姆
SMZJ3805BHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3805BHE3_A/h -
RFQ
ECAD 1435 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 DO-214AA,SMB SMZJ3805 1.5 w DO-214AA(SMBJ) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 750 5 µA @ 35.8 V 47 V 67欧姆
BZT03C13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03C13-TAP 0.7200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZT03 (CT) 积极的 ±6.54% 175°C(TJ) 通过洞 SOD-57,轴向 BZT03C13 1.3 w SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 1.2 V @ 500 mA 2 µA @ 10 V 13 V 10欧姆
MMBZ5239C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5239C-HE3-08 -
RFQ
ECAD 4211 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5239 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
BU2008-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2008-E3/51 3.0400
RFQ
ECAD 1794年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU2008 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 800 V 3.5 a 单相 800 v
VS-C20CP07L-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-C20CP07L-M3 -
RFQ
ECAD 7083 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 C20CP07 SIC (碳化硅) TO-220AC 下载 不适用 到达不受影响 751-VS-C20CP07L-M3 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 650 v 1.8 V @ 10 A 55 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 10a 430pf @ 1V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库