SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
BZX55C6V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C6V2-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C6V2 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 2 V 6.2 v 10欧姆
BZX55C6V8-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C6V8-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 86 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C6V8 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 3 V 6.8 v 8欧姆
BZX55C7V5-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C7V5-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C7V5 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 5 V 7.5 v 7欧姆
BZX55C8V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C8V2-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 31 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C8V2 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 6.2 V 8.2 v 7欧姆
BZX55C9V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C9V1-TAP 0.2300
RFQ
ECAD 18 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C9V1 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 NA @ 6.8 V 9.1 v 10欧姆
BZX85B11-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B11-TAP 0.0561
RFQ
ECAD 2433 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (TB) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B11 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 8.2 V 11 V 8欧姆
BZX85B13-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B13-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B13 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 10 V 13 V 10欧姆
BZX85B16-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B16-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B16 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 12 V 16 V 15欧姆
BZX85B18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B18-TAP 0.5500
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B18 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 13 V 18 V 20欧姆
BZX85B20-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B20-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B20 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 na @ 15 V 20 v 24欧姆
BZX85B33-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B33-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 25 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B33 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 24 V 33 V 35欧姆
BZX85B36-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B36-TAP 0.0561
RFQ
ECAD 9088 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (TB) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B36 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 27 V 36 V 40欧姆
BZX85B43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B43-TAP 0.0561
RFQ
ECAD 9113 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (TB) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B43 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 33 V 43 V 50欧姆
BZX85B4V7-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B4V7-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B4V7 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 3 µA @ 1 V 4.7 v 13欧姆
BZX85B5V1-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B5V1-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 28 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B5V1 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1 µA @ 1.5 V 5.1 v 10欧姆
BZX85B68-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B68-TAP 0.0561
RFQ
ECAD 3215 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (TB) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B68 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 51 V 68 v 130欧姆
BZX85B75-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B75-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 6351 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B75 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 25,000 500 NA @ 56 V 75 v 135欧姆
BZX85B7V5-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B7V5-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 22 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B7V5 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1 µA @ 4.5 V 7.5 v 3欧姆
BZX85B8V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85B8V2-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±2% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85B8V2 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1 µA @ 6.2 V 8.2 v 5欧姆
BZX85C18-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C18-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C18 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 500 NA @ 13 V 18 V 20欧姆
BZX85C2V7-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C2V7-TAP 0.3800
RFQ
ECAD 38 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 (CT) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C2V7 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 150 µA @ 1 V 2.7 v 20欧姆
1N4005GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4005GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 6730 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4005 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 600 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4006-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006-E3/53 -
RFQ
ECAD 2212 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4006GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4006GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 5017 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4006 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 800 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4007GP-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GP-E3/53 -
RFQ
ECAD 3639 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPE-E3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-E3/53 -
RFQ
ECAD 2106 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 积极的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPEHE3/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPEHE3/53 -
RFQ
ECAD 2749 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 2 µs 5 µA @ 1000 V -65°C〜175°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
1N4007GPE-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4007GPE-M3/73 -
RFQ
ECAD 3589 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4007 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 1 A 5 µA @ 1000 V -50°C〜150°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
1N4151TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4151TAP 0.2000
RFQ
ECAD 20 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4151 标准 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 50 V 1 V @ 50 mA 4 ns 50 na @ 50 V -65°C〜175°C 150mA 2pf @ 0v,1MHz
1N4246GP-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4246GP-M3/73 -
RFQ
ECAD 4255 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® (TB) 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4246 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.2 V @ 1 A 1 µA @ 400 V -65°C〜160°C 1a 8pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库