SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
TZM5231B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5231B-GS08 0.2300
RFQ
ECAD 70 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 表面安装 DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 TZM5231 500兆 SOD-80最小 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 5.1 v
1N4150TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4150TR 0.2700
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4150 标准 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1 V @ 200 MA 4 ns 100 na @ 50 V 175°c (最大) 300mA 2.5pf @ 0v,1MHz
1N4448TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4448TR 0.2100
RFQ
ECAD 56 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N4448 标准 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 100 v 1 V @ 100 ma 8 ns 5 µA @ 75 V 175°c (最大) 150mA 4pf @ 0v,1MHz
1N4728A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4728A-Tr 0.3700
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4728 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 100 µA @ 1 V 3.3 v 10欧姆
1N4734A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4734A-Tr 0.3700
RFQ
ECAD 63 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4734 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 2 V 5.6 v 5欧姆
1N4736A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4736A-Tr 0.3700
RFQ
ECAD 52 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4736 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 4 V 6.8 v 3.5欧姆
1N4737A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4737A-Tr 0.3500
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4737 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 5 V 7.5 v 4欧姆
1N4742A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4742A-Tr 0.3700
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4742 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 9.1 V 12 v 9欧姆
1N4747A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4747A-Tr 0.3700
RFQ
ECAD 21 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4747 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 15.2 V 20 v 22欧姆
1N4752A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4752A-Tr 0.3600
RFQ
ECAD 24 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4752 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 25.1 V 33 V 45欧姆
1N4755A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4755A-Tr 0.3600
RFQ
ECAD 13 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4755 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 32.7 V 43 V 70欧姆
1N4757A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4757A-Tr 0.3600
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4757 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 38.8 V 51 v 95欧姆
1N4763A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4763A-Tr -
RFQ
ECAD 9096 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% 175°C(TJ) 通过洞 do-204al,do-41,轴向 1N4763 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 V @ 200 ma 5 µA @ 69.2 V 91 v 250欧姆
1N5229B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5229B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5229 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 1 V 4.3 v 22欧姆
1N5230B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5230B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 127 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5230 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 2 V 4.7 v 19欧姆
1N5232B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5232B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 80 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5232 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 3 V 5.6 v 11欧姆
1N5234B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5234B-tr 0.2300
RFQ
ECAD 68 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5234 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 5 µA @ 4 V 6.2 v 7欧姆
1N5236B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5236B-Tr 0.1900
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5236 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 3 µA @ 6 V 7.5 v 6欧姆
1N5244B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5244B-tr 0.1900
RFQ
ECAD 6 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5244 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 10 V 14 V 15欧姆
1N5245B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5245B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 46 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5245 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 11 V 15 v 16欧姆
1N5246B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5246B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 66 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5246 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 12 V 16 V 17欧姆
1N5250B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5250B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 39 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5250 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 15 V 20 v 25欧姆
1N5262B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5262B-Tr 0.2300
RFQ
ECAD 77 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% - 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 1N5262 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 V @ 200 ma 100 na @ 39 V 51 v 125欧姆
1N5626-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5626-Tr 1.0500
RFQ
ECAD 10 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 1N5626 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 600 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BAT85S-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT85S-Tr 0.3800
RFQ
ECAD 37 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BAT85 肖特基 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0070 10,000 小信号= <200ma(io(io),任何速度 30 V 800 mv @ 100 ma 5 ns 2 µA @ 25 V -65°C〜150°C 200mA 10pf @ 1V,1MHz
BY228TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division By228tr 1.1300
RFQ
ECAD 725 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 By228 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1500 v 1.5 V @ 5 A 20 µs 5 µA @ 1500 V 140°C (最大) 3a -
BYV26C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV26C-TAP 0.6700
RFQ
ECAD 67 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (CT) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv26 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 2.5 V @ 1 A 30 ns 5 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 1a -
BYV26E-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division byv26e-tr 0.7200
RFQ
ECAD 59 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byv26 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 5,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 2.5 V @ 1 A 75 ns 5 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1a -
VT2045BP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VT2045BP-M3/4W 1.3300
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 VT2045 肖特基 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 660 mv @ 20 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 20a -
VFT2045BP-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VFT2045BP-M3/4W 1.2900
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 TMBS® 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包,隔离选项卡 VFT2045 肖特基 ITO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VFT2045BPM34W Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 660 mv @ 20 a 2 ma @ 45 V 200°C (最大) 20a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库