SIC
close
参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 ECCN htsus 标准包 速度 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 二极管类型 电压 -峰值反向(最大)
AR1PK-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1PK-M3/85A 0.1271
RFQ
ECAD 7198 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa AR1 雪崩 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 10,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 800 v 1.6 V @ 1 A 120 ns 1 µA @ 800 V -55°C 〜175°C 1a 8.5pf @ 4V,1MHz
AR1PMHM3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AR1PMHM3/84A 0.2030
RFQ
ECAD 8198 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-220aa AR1 雪崩 DO-220AA(SMP) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.6 V @ 1 A 120 ns 1 µA @ 1000 V -55°C 〜175°C 1a 8.5pf @ 4V,1MHz
VS-10ETF10FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF10FPPBF -
RFQ
ECAD 7131 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 10etf10 标准 TO-220AC Full Pack 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.33 V @ 10 A 310 ns -40°C〜150°C 10a -
VS-40EPF02PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40EPF02PBF -
RFQ
ECAD 2318 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 40 EPF02 标准 TO-247AC修改了 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.25 V @ 40 A 180 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 40a -
VS-60CPF10PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60CPF10PBF -
RFQ
ECAD 2215 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 60CPF10 标准 TO-247AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.4 V @ 60 A 480 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 60a -
VS-20ETF10FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF10FPPBF -
RFQ
ECAD 8001 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 20ETF10 标准 TO-220AC Full Pack - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.31 V @ 20 A 400 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 20a -
VS-20ETF12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF12PBF -
RFQ
ECAD 2882 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 20ETF12 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.3 V @ 20 A 400 ns 100 µA @ 1200 V -40°C〜150°C 20a -
VS-20ETS08FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETS08FPPBF -
RFQ
ECAD 3414 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2完整包 20ETS08 标准 TO-220AC Full Pack 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 20 A 100 µA @ 800 V -40°C〜150°C 20a -
VS-30EPF10PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF10PBF -
RFQ
ECAD 7076 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 30epf10 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1000 v 1.41 V @ 30 A 450 ns 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 30a -
VS-60APU06PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60APU06PBF -
RFQ
ECAD 5855 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 Fredpt® 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 60APU06 标准 TO-247AC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 600 v 1.68 V @ 60 A 81 ns 50 µA @ 600 V -55°C 〜175°C 60a -
VS-60EPF02PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-60EPF02PBF -
RFQ
ECAD 5170 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 60 EPF02 标准 TO-247AC修改了 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 1.3 V @ 60 A 180 ns 100 µA @ 200 V -40°C〜150°C 60a -
VS-10ETF12PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF12PBF -
RFQ
ECAD 1467 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 10etf12 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1200 v 1.33 V @ 10 A 310 ns -40°C〜150°C 10a -
VS-20ETF04FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETF04FPPBF -
RFQ
ECAD 5169 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-3完整包 20ETF04 标准 TO-220AB全盘 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.3 V @ 20 A 160 ns 100 µA @ 400 V -40°C〜150°C 20a -
VS-20ETS08PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20ETS08PBF -
RFQ
ECAD 2319 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 在sic中停产 通过洞 TO-220-2 20ETS08 标准 TO-220AC 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 50 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 20 A 100 µA @ 1000 V -40°C〜150°C 20a -
VS-40EPF04PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40EPF04PBF -
RFQ
ECAD 2594 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 40 EPF04 标准 TO-247AC修改了 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 400 v 1.25 V @ 40 A 180 ns 100 µA @ 400 V -40°C〜150°C 40a -
VS-40EPS08PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40EP08PBF -
RFQ
ECAD 2751 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-2 40EPS08 标准 TO-247AC修改了 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 800 v 1.1 V @ 40 A 100 µA @ 800 V -40°C〜150°C 40a -
BU10065S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU10065S-E3/45 -
RFQ
ECAD 7371 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ISOCINK+™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU10065 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 3.2 a 单相 600 v
BU1006A5S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1006A5S-E3/45 -
RFQ
ECAD 2948 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU1006 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.1 V @ 5 A 10 µA @ 600 V 3 a 单相 600 v
BU1008-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1008-E3/51 1.1466
RFQ
ECAD 6575 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1008 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 5 A 5 µA @ 800 V 3.2 a 单相 800 v
BU10105S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU10105S-E3/45 1.7900
RFQ
ECAD 247 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU10105 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 5 A 5 µA @ 1000 V 3.2 a 单相 1 kV
BU1010A-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1010A-E3/45 1.4076
RFQ
ECAD 3164 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1010 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.1 V @ 5 A 5 µA @ 1000 V 3 a 单相 1 kV
BU1010A-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1010A-E3/51 2.3100
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1010 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1.1 V @ 5 A 5 µA @ 1000 V 3 a 单相 1 kV
BU1010-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1010-E3/45 1.4649
RFQ
ECAD 3707 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1010 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 5 A 5 µA @ 1000 V 3.2 a 单相 1 kV
BU1210-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1210-E3/51 1.1466
RFQ
ECAD 3196 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1210 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 6 A 5 µA @ 1000 V 3.4 a 单相 1 kV
BU1510-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU1510-E3/51 1.3650
RFQ
ECAD 3506 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU1510 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 7.5 A 5 µA @ 1000 V 3.4 a 单相 1 kV
BU20065S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU20065S-E3/45 -
RFQ
ECAD 1271 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU20065 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
BU2006-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2006-E3/45 3.0400
RFQ
ECAD 799 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU2006 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
BU2008-E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2008-E3/51 3.0400
RFQ
ECAD 1794年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU2008 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 800 V 3.5 a 单相 800 v
BU20105S-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU20105S-E3/45 -
RFQ
ECAD 5987 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-SIP,BU-5 BU20105 标准 ISOCINK+™BU-5S 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 1.05 V @ 10 A 5 µA @ 1000 V 3.5 a 单相 1 kV
BU2506-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BU2506-E3/45 2.9900
RFQ
ECAD 780 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 4-sip,bu BU2506 标准 ISOCINK+™BU 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 20 1.05 V @ 12.5 A 5 µA @ 600 V 3.5 a 单相 600 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库