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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 速度 (ih)(IH)) 电压 -偏离状态 ((rms)(rms)(最大) (VGT)(VGT)(最大) 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) (IGT)(IGT)(最大) (vtm)(VTM)(最大) ((av)(av)) 当前 -关闭状态(最大) scr 二极管配置 ((dc)(vr)(vr)(最大) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) ((ZZT))
VS-72HFR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-72HFR100 8.7623
RFQ
ECAD 7182 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 72HFR100 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS72HFR100 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.35 V @ 220 A -65°C〜180°C 70a -
FESE16DT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESE16DT-E3/45 -
RFQ
ECAD 9139 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-220-2 FESE16 标准 TO-220AC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 200 v 975 MV @ 16 A 35 ns 10 µA @ 200 V -65°C〜150°C 16a 175pf @ 4V,1MHz
V10P8HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P8HM3_A/H 0.9100
RFQ
ECAD 8 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-277,3-PowerDfn V10P8 肖特基 TO-277A(SMPC) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 80 V 680 mv @ 10 a 800 µA @ 80 V -40°C〜150°C 10a -
BYW53-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYW53-TAP 0.2475
RFQ
ECAD 8764 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - (TB) 积极的 通过洞 SOD-57,轴向 Byw53 雪崩 SOD-57 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 25,000 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1 V @ 1 A 4 µs 1 µA @ 400 V -55°C 〜175°C 2a -
ZMM5263B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5263B-7 -
RFQ
ECAD 4283 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -65°C 〜175°C(TJ) 表面安装 do-213aa ZMM52 500兆 迷你梅尔 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) ZMM5263B-7GI Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 43 V 56 v 150欧姆
AZ23B20-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B20-HE3-18 0.0534
RFQ
ECAD 4455 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,AZ23 胶带和卷轴((tr) 上次购买 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 AZ23B20 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1对公共阳极 100 na @ 15 V 20 v 50欧姆
VS-97PFR120 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-97PFR120 7.4006
RFQ
ECAD 9297 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203ab,do-5,螺柱 97PFR120 标准,反极性 DO-203AB(DO-5) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS97PFR120 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1200 v 1.4 V @ 267 A -55°C〜180°C 95a -
IRKC236/12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKC236/12 -
RFQ
ECAD 6747 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 int-a-pak(3) IRKC236 标准 模块 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1对普通阴极 1200 v 230a 20 ma @ 1200 V
BZX55C43-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C43-TAP 0.0285
RFQ
ECAD 9665 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (TB) 积极的 ±5% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55C43 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 33 V 43 V 90欧姆
VS-50WQ03FNTRLHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ03FNTRLHM3 0.5016
RFQ
ECAD 5466 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 50WQ03 肖特基 D-pak(TO-252AA) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 30 V 460 mv @ 5 a 3 ma @ 30 V -40°C〜150°C 5.5a 590pf @ 5V,1MHz
BZX55B6V2-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B6V2-TAP 0.2200
RFQ
ECAD 92 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX55 (CT) 积极的 ±2% -65°C〜175°C 通过洞 DO-204AH,DO-35,轴向 BZX55B6V2 500兆 DO-35(do-204AH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 V @ 200 ma 100 na @ 2 V 6.2 v 10欧姆
MMBZ5239C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5239C-HE3-18 -
RFQ
ECAD 3826 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±2% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ5239 225兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 3 µA @ 7 V 9.1 v 10欧姆
TVR06G-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TVR06G-E3/73 -
RFQ
ECAD 1668年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 大部分 过时的 通过洞 do-204al,do-41,轴向 TVR06 标准 DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) Ear99 8541.10.0080 1 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 400 v 1.4 V @ 600 mA 10 µA @ 400 V -65°C〜175°C 600mA 15pf @ 4V,1MHz
15CTQ045STRL Vishay General Semiconductor - Diodes Division 15ctq045strl -
RFQ
ECAD 1781年 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 15ctq 肖特基 TO-263AB(D²Pak) 下载 Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 800 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 45 v 7.5a 550 MV @ 7.5 A 800 µA @ 45 V -55°C〜150°C
225CMQ015 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 225cmq015 -
RFQ
ECAD 1167 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 TO-244AB隔离选项卡 225cmq 肖特基 TO-244AB (孤立) - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *225cmq015 Ear99 8541.10.0080 30 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 15 v 110a 380 mv @ 110 A 40 mA @ 15 V -55°C〜150°C
VI30120S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI30120S-M3/4W 0.7945
RFQ
ECAD 5598 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 积极的 通过洞 TO-262-3长的线索,I²Pak,TO-262AA VI30120 肖特基 TO-262AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 120 v 1.1 V @ 30 A 500 µA @ 120 V -40°C〜150°C 30a -
PLZ5V6B-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division PLZ5V6B-HG3_A/H 0.3600
RFQ
ECAD 12 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,PLZ 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±2.5% 150°C(TJ) 表面安装 DO-219AC PLZ5V6 960兆 DO-219AC(MicroSMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 4,500 900 mv @ 10 ma 5 µA @ 2.5 V 5.59 v 13欧姆
RGL41A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGL41A-E3/96 0.4600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 epletectifier® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 DO-213AB,MELF(MELF)) RGL41 标准 do-213ab 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 1,500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 50 V 1.3 V @ 1 A 150 ns 5 µA @ 50 V -65°C〜175°C 1a 15pf @ 4V,1MHz
VS-40TPS08PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-40TPS08PBF -
RFQ
ECAD 4945 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 -40°C〜125°C 通过洞 TO-247-3 40TPS08 TO-247AC - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.30.0080 25 150 ma 800 v 55 a 2.5 v 600A @ 50Hz 150 ma 1.85 v 35 a 500 µA 标准恢复
129NQ135 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 129NQ135 -
RFQ
ECAD 9335 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 底盘安装 D-67半粉 129NQ135 肖特基 D-67半粉 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 *129NQ135 Ear99 8541.10.0080 50 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 135 v 1.07 V @ 120 A 3 ma @ 135 V 120a 3000pf @ 5V,1MHz
MMBZ4713-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4713-E3-18 -
RFQ
ECAD 8550 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 过时的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MMBZ4713 350兆 SOT-23-3 - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 10,000 10 na @ 22.8 V 30 V
VS-6F100M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6F100M 8.5474
RFQ
ECAD 5628 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 6f100 标准 DO-203AA(DO-4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 VS6F100M Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 1000 v 1.1 V @ 19 A -65°C〜175°C 6a -
1N5624-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5624-Tr 0.9700
RFQ
ECAD 15 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 通过洞 SOD-64,轴向 1N5624 雪崩 SOD-64 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 2,500 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 200 v 1 V @ 3 A 7.5 µs 1 µA @ 200 V -55°C 〜175°C 3a 60pf @ 4V,1MHz
BZX84C5V6-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C5V6-E3-08 0.2300
RFQ
ECAD 32 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 BZX84 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C〜150°C 表面安装 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 BZX84C5V6 300兆 SOT-23-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 2 V 5.6 v 40欧姆
30CPQ140 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30CPQ140 -
RFQ
ECAD 6377 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 管子 过时的 通过洞 TO-247-3 30cpq 肖特基 TO-247AC - Rohs不合规 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 500 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 1对普通阴极 140 v 15a 1 V @ 15 A 100 µA @ 140 V -
VS-25F10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-25F10 5.5900
RFQ
ECAD 4484 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 25f10 标准 DO-203AA(DO-4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.3 V @ 78 A 12 ma @ 100 V -65°C〜175°C 25a -
BZX85C8V2-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C8V2-Tr 0.3700
RFQ
ECAD 19 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 汽车,AEC-Q101,BZX85 胶带和卷轴((tr) 积极的 ±5% -55°C 〜175°C 通过洞 do-204al,do-41,轴向 BZX85C8V2 1.3 w DO-204AL(DO-41) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 5,000 1 µA @ 6.2 V 8.2 v 5欧姆
VS-90SQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-90SQ035 -
RFQ
ECAD 1441 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 过时的 通过洞 do-204ar,轴向 90平方英尺 肖特基 do-204ar 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 300 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 35 v 480 mv @ 9 a 1.75 ma @ 35 V -55°C〜150°C 9a -
VS-12F10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12F10 4.8300
RFQ
ECAD 4073 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 - 大部分 积极的 底盘,螺柱坐骑 do-203AA,do-4,螺柱 12f10 标准 DO-203AA(DO-4) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 100 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) 100 v 1.26 V @ 38 A 12 ma @ 100 V -65°C〜175°C 12a -
V3FL45-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3FL45-m3/h 0.3700
RFQ
ECAD 23 0.00000000 Vishay通用半导体 -二极管部门 ESMP®,TMBS® 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 do-219ab V3FL45 肖特基 DO-219AB(SMF) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.10.0080 3,000 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) 45 v 580 mv @ 3 a 750 µA @ 45 V -40°C〜150°C 3a 370pf @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库