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离散半导体产品（（5131）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BZX84C68_R1_00001	0.0216	RFQ	6189	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		410 MW	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,252,000																		100 na @ 51 V							68 v	200欧姆
MMBT3904_R1_00001	0.1100	RFQ	91	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT3904		225兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-MMBT3904_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0075	3,000																						40 V	200 ma	50NA			NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
S3J_R1_00001	0.4500	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC	S3J	标准		SMC（do-214ab）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-S3J_R1_00001DKR	Ear99	8541.10.0080	800	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													600 v		1.2 V @ 3 A		1 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	3a	53pf @ 4V，1MHz
BZX84C36-AU_R1_000A1	0.2100	RFQ	2	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BZX84		410 MW	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		100 na @ 25.2 V							36 V	90欧姆
SB36AFC_R1_00001	0.3800	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	do-221ac，sma平面线索	SB36	肖特基		smaf-c	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-SB36AFC_R1_00001TR	Ear99	8541.10.0080	3,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													60 V		750 mv @ 3 a		100 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	3a	385pf @ 0v，1MHz
PJP9NA90_T0_00001	-	RFQ	2389	Panjit International Inc.	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	PJP9	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		3757-PJP9NA90_T0_001	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	900 v	9a（9a）	10V	1.4OHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1634 PF @ 25 V	-	205W（TC）
SBT3080UFCT_T0_00001	-	RFQ	5867	Panjit International Inc.	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	SBT3080	肖特基		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		3757-SBT3080UFCT_T0_00001	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	80 V	15a	650 mv @ 15 A		50 µA @ 80 V	-55°C〜150°C
MMBZ5253A_R1_00001	0.0189	RFQ	4348	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±2％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ5253		410 MW	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,252,000																		100 na @ 19 V							25 v	35欧姆
MMSZ5232A_R1_00001	0.1900	RFQ	11	Panjit International Inc.	MMSZ5229A	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±1.96％	-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123	MMSZ5232		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		5 µA @ 3 V							5.6 v	11欧姆
PCDP15120G1_T0_00001	18.1700	RFQ	2	Panjit International Inc.	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2	PCDP15120	SIC （碳化硅）		TO-220AC	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	3757-PCDP15120G1_T0_00001	Ear99	8541.10.0080	50	没有恢复t> 500mA（IO）													1200 v		1.7 V @ 15 A	0 ns	140 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	15a	815pf @ 1V，1MHz
PJA3415_R1_00001	0.3700	RFQ	22	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA3415	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	20 v	4A（ta）	1.8V，4.5V	57MOHM @ 4A，4.5V	1.2V @ 250µA	18 nc @ 4.5 V	±12V	756 pf @ 10 V	-	1.25W（TA）
UF154G_R2_00001	0.0567	RFQ	7230	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	UF154	标准		do-15	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	60,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.3 V @ 1.5 A	50 ns	1 µA @ 400 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
MMBT2907A_R1_00001	0.1600	RFQ	29	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBT2907		225兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-MMBT2907A_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0075	3,000																						60 V	600 MA	50NA			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
PJD10P10A_L2_00001	-	RFQ	1715年	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD10	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	100 v	2A（2A），10A（tc）	4.5V，10V	210MOHM @ 5A，10V	3V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	1419 PF @ 25 V	-	2W（TA），54W（tc）
MBR20150FCT_T0_00001	0.9200	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包	MBR20150	肖特基		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	3757-MBR20150FCT_T0_001	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	150 v	20a	900 mv @ 10 a		50 µA @ 150 V	-65°C〜175°C
MBR10100FAT_T0_00001	0.3078	RFQ	5652	Panjit International Inc.	MBR10100FAT	管子	不适合新设计			通过洞	TO-220-3完整包	MBR1010	肖特基		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-MBR10100FAT_T0_001	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对公共阳极	100 v	5a	800 mv @ 5 a		50 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
PJD12P06-AU_L2_000A1	0.4009	RFQ	2278	Panjit International Inc.	汽车，AEC-Q101	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	PJD12	MOSFET （金属 o化物）		TO-252	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJD12P06-AU_L2_000A1TR	Ear99	8541.29.0095	3,000		P通道	60 V	2.6a（ta），12a（tc）	10V	155mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA	10.9 NC @ 10 V	±20V	385 pf @ 25 V	-	2W（TA），50W（TC）
SB3040PT_T0_00001	1.1600	RFQ	1	Panjit International Inc.	SB3020PT	管子	积极的			通过洞	TO-247-3	SB3040	肖特基		TO-247AD（TO-3P）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-SB3040PT_T0_00001	Ear99	8541.10.0080	30	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	40 V	30a	550 mv @ 15 A		200 µA @ 40 V	-55°C〜150°C
MMBZ5261B_R1_00001	0.0243	RFQ	2034	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	MMBZ5261		410 MW	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,252,000																		100 na @ 36 V							47 V	105欧姆
1N5345B_R2_00001	0.1404	RFQ	6851	Panjit International Inc.	1N5338B	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-201 ae，轴向	1N5345		5 w	do-2011ae	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-1N5345B_R2_00001CT	Ear99	8541.10.0050	500,000																		10 µA @ 6.6 V							8.7 v	2欧姆
BAS20W_R1_00001	0.1900	RFQ	3	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	SC-70，SOT-323	BAS20	标准		SOT-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-BAS20W_R1_00001DKR	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度													150 v		1 V @ 100 ma	50 ns	100 NA @ 150 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
1N4755A_R2_00001	0.0270	RFQ	6444	Panjit International Inc.	1N4728A	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4755		1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-1N4755A_R2_00001CT	Ear99	8541.10.0050	500,000																		100 na @ 32.7 V							43 V	70欧姆
MBR645FCT_T0_00001	0.7695	RFQ	8224	Panjit International Inc.	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-3完整包	MBR645	肖特基		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-MBR645FCT_T0_001	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	45 v	6a	700 mv @ 3 a		50 µA @ 45 V	-65°C〜175°C
SBT20150LFCT_T0_00001	-	RFQ	9448	Panjit International Inc.	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包	SBT20150	肖特基		ITO-220AB	下载	rohs3符合条件	不适用		3757-SBT20150LFCT_T0_00001	Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	150 v	10a	850 mv @ 10 A		40 µA @ 150 V	-55°C〜150°C
PJMF600N65E1_T0_001	1.7700	RFQ	1	Panjit International Inc.	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	PJMF600	MOSFET （金属 o化物）		ITO-220AB-F	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	3757-PJMF600N65E1_T0_00001	Ear99	8541.29.0095	50		n通道	700 v	7.3A（TC）	10V	600mohm @ 2.1a，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	554 PF @ 400 V	-	32W（TC）
PJQ4476AP_R2_00001	0.3574	RFQ	3111	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	PJQ4476	MOSFET （金属 o化物）		DFN3333-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJQ4476AP_R2_00001TR	Ear99	8541.29.0095	5,000		n通道	100 v	6.3a（35A），35A（tc）	4.5V，10V	25mohm @ 15a，10v	2.5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±20V	1519 pf @ 30 V	-	2W（TA），62W（62W）（TC）
PJE138L_R1_00001	0.4900	RFQ	25	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-523	PJE138	MOSFET （金属 o化物）		SOT-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-PJE138L_R1_00001DKR	Ear99	8541.21.0095	4,000		n通道	60 V	160mA（TA）	1.8V，10V	4.2OHM @ 160mA，10V	1.5V @ 250µA	0.7 NC @ 4.5 V	±20V	15 pf @ 15 V	-	223MW（TA）
PJA138K_R1_00001	0.2100	RFQ	315	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	PJA138	MOSFET （金属 o化物）		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000		n通道	50 V	500mA（ta）	2.5V，10V	1.6ohm @ 500mA，10v	1.5V @ 250µA	1 NC @ 4.5 V	±20V	50 pf @ 25 V	-	500MW（TA）
BAW56_R1_00001	0.1600	RFQ	4	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BAW56	标准		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3757-BAW56_R1_00001DKR	Ear99	8541.10.0070	3,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												1对公共阳极	75 v	150mA	1.25 V @ 150 mA	4 ns	2.5 µA @ 75 V	-55°C〜150°C
1SMB3EZ19_R1_00001	0.1134	RFQ	9989	Panjit International Inc.	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	DO-214AA，SMB	1SMB3		3 W	SMB（do-214AA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	500,000																		500 NA @ 14.4 V							19 v	7欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5131）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²