SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() 二极管配置 电压-DC 反向((vr)(VR)) 电流 -io(io)(每个二极管) 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 trr) 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io(io) 电容 @ vr,f
IV1D12010O2 Inventchip IV1D12010O2 11.0300
RFQ
ECAD 190 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1D12010O2 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 28a 575pf @ 1V,1MHz
IV1D12020T3 Inventchip IV1D12020T3 17.9500
RFQ
ECAD 120 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1D12020T3 Ear99 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 30A(DC) 1.8 V @ 20 A 0 ns 100 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IV1D06006P3 Inventchip IV1D060063 4.2300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 发明 - 胶带和卷轴((tr) 积极的 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 SIC (碳化硅) TO-252-3 下载 rohs3符合条件 3(168)) Ear99 8541.10.0080 2,500 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.65 V @ 6 A 0 ns 10 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 16.7a 224pf @ 1V,1MHz
IV1D12020T2 Inventchip IV1D12020T2 17.9500
RFQ
ECAD 120 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1D12020T2 Ear99 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 20 A 0 ns 120 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 54a 1114pf @ 1V,1MHz
IV1Q12050T4 Inventchip IV1Q12050T4 38.5000
RFQ
ECAD 4491 0.00000000 发明 - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 sicfet (碳化硅) TO-247-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1Q12050T4 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 58A(TC) 20V 65mohm @ 20a,20v 3.2V @ 6mA 120 NC @ 20 V +20V,-5V 2750 PF @ 800 V - 344W(TC)
IV1Q12050T3 Inventchip IV1Q12050T3 37.4900
RFQ
ECAD 3 0.00000000 发明 - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 sicfet (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1Q12050T3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 58A(TC) 20V 65mohm @ 20a,20v 3.2V @ 6mA 120 NC @ 20 V +20V,-5V 2770 PF @ 800 V - 327W(TC)
IV1D12030U3 Inventchip IV1D12030U3 23.8500
RFQ
ECAD 110 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-3 SIC (碳化硅) TO-247-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1D12030U3 Ear99 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 44A(DC) 1.8 V @ 15 A 0 ns 80 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IV1D12015T2 Inventchip IV1D12015T2 13.6300
RFQ
ECAD 120 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1D12015T2 Ear99 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 15 A 0 ns 80 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 44a 888pf @ 1V,1MHz
IV1D12010T2 Inventchip IV1D12010T2 11.0300
RFQ
ECAD 110 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1D12010T2 Ear99 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 10 A 0 ns 50 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 30a 575pf @ 1V,1MHz
IV1D12005O2 Inventchip IV1D12005O2 6.1300
RFQ
ECAD 164 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1D12005O2 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 1200 v 1.8 V @ 5 A 0 ns 30 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C 17a 320pf @ 1V,1MHz
IV1D12040U2 Inventchip IV1D12040U2 27.8300
RFQ
ECAD 120 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-247-2 SIC (碳化硅) TO-247-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1D12040U2 Ear99 30 没有恢复t> 500mA(IO) 1对普通阴极 1200 v 102A(DC) 1.8 V @ 40 A 0 ns 200 µA @ 1200 V -55°C 〜175°C
IV1Q12160T4 Inventchip IV1Q12160T4 18.7400
RFQ
ECAD 106 0.00000000 发明 - 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-4 sicfet (碳化硅) TO-247-4 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1Q12160T4 Ear99 30 n通道 1200 v 20A(TC) 20V 195mohm @ 10a,20v 2.9V @ 1.9mA 43 NC @ 20 V +20V,-5V 885 PF @ 800 V - 138W(TC)
IV1D06006O2 Inventchip IV1D06006O2 4.0900
RFQ
ECAD 136 0.00000000 发明 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC (碳化硅) TO-220-2 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 4084-IV1D06006O2 Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA(IO) 650 v 1.65 V @ 6 A 0 ns 10 µA @ 650 V -55°C 〜175°C 17.4a 212pf @ 1V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库