电话: +86-0755-83501345
电子邮件:sales@swxic.com
参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | 电压-DC 反向((vr)(VR)) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IV1D12010O2 | 11.0300 | ![]() | 190 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1D12010O2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 28a | 575pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | IV1D12020T3 | 17.9500 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1D12020T3 | Ear99 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 30A(DC) | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 100 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | IV1D060063 | 4.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 发明 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | SIC (碳化硅) | TO-252-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 3(168)) | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.65 V @ 6 A | 0 ns | 10 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 16.7a | 224pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | IV1D12020T2 | 17.9500 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1D12020T2 | Ear99 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 20 A | 0 ns | 120 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 54a | 1114pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | IV1Q12050T4 | 38.5000 | ![]() | 4491 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1Q12050T4 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 58A(TC) | 20V | 65mohm @ 20a,20v | 3.2V @ 6mA | 120 NC @ 20 V | +20V,-5V | 2750 PF @ 800 V | - | 344W(TC) | |||||||||||
![]() | IV1Q12050T3 | 37.4900 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-3 | sicfet (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1Q12050T3 | Ear99 | 8541.29.0095 | 30 | n通道 | 1200 v | 58A(TC) | 20V | 65mohm @ 20a,20v | 3.2V @ 6mA | 120 NC @ 20 V | +20V,-5V | 2770 PF @ 800 V | - | 327W(TC) | |||||||||||
![]() | IV1D12030U3 | 23.8500 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-3 | SIC (碳化硅) | TO-247-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1D12030U3 | Ear99 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 44A(DC) | 1.8 V @ 15 A | 0 ns | 80 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | IV1D12015T2 | 13.6300 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1D12015T2 | Ear99 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 15 A | 0 ns | 80 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 44a | 888pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | IV1D12010T2 | 11.0300 | ![]() | 110 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1D12010T2 | Ear99 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 10 A | 0 ns | 50 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 30a | 575pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||
![]() | IV1D12005O2 | 6.1300 | ![]() | 164 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1D12005O2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1200 v | 1.8 V @ 5 A | 0 ns | 30 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | 17a | 320pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||
![]() | IV1D12040U2 | 27.8300 | ![]() | 120 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-247-2 | SIC (碳化硅) | TO-247-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1D12040U2 | Ear99 | 30 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 1对普通阴极 | 1200 v | 102A(DC) | 1.8 V @ 40 A | 0 ns | 200 µA @ 1200 V | -55°C 〜175°C | ||||||||||||||||
![]() | IV1Q12160T4 | 18.7400 | ![]() | 106 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-247-4 | sicfet (碳化硅) | TO-247-4 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1Q12160T4 | Ear99 | 30 | n通道 | 1200 v | 20A(TC) | 20V | 195mohm @ 10a,20v | 2.9V @ 1.9mA | 43 NC @ 20 V | +20V,-5V | 885 PF @ 800 V | - | 138W(TC) | ||||||||||||
![]() | IV1D06006O2 | 4.0900 | ![]() | 136 | 0.00000000 | 发明 | - | 管子 | 积极的 | 通过洞 | TO-220-2 | SIC (碳化硅) | TO-220-2 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 4084-IV1D06006O2 | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 没有恢复t> 500mA(IO) | 650 v | 1.65 V @ 6 A | 0 ns | 10 µA @ 650 V | -55°C 〜175°C | 17.4a | 212pf @ 1V,1MHz |
每日平均RFQ量
标准产品单位
全球制造商
智能仓库