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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 电流 - 保持 (Ih)(最大) | 全部可控硅类型 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电压-感应触发(Vgt)(最大) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) | 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) | 当前 - 关闭状态(最大) | 可控硅类型 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率-开头 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BTA208X-800CTQ | 0.3059 | ![]() | 5073 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BTA208 | TO-220F | 下载 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 40毫安 | 标准 | 800V | 8A | 1V | 80A、88A | 35毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA225-600B,127 | 2.0100 | ![]() | 29 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | BTA225 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 60毫安 | 标准 | 600伏 | 25A | 1.5V | 190A、209A | 50毫安 | |||||||||||||||||||||||||
| BT137X-600F,127 | 0.2677 | ![]() | 8713 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BT137 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 20毫安 | 标准 | 600伏 | 8A | 1.5V | 65A、71A | 25毫安 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT152-500RT,127 | 1.2700 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 通孔 | TO-220-3 | BT152 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 60毫安 | 500V | 20A | 1.5V | 200A、220A | 32毫安 | 1.75V | 13A | 1毫安 | 标准回报率 | |||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D101200CW6Q | 2.0518 | ![]() | 9405 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 10A | 1.6V@5A | 0纳秒 | 1200V时为25μA | -55℃~175℃ | |||||||||||||||||||||||||||
| WNSC6D08650Q | 1.5900 | ![]() | 3905 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC6 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 1(无限制) | 1740-WNSC6D08650Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.4V@8A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | 8A | 402pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC12650WQ | 2.5579 | ![]() | 4943 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 最后一次购买 | 通孔 | TO-247-2 | WNSC1 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | 1740-WNSC12650WQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@12A | 0纳秒 | 60μA@650V | 175℃ | 12A | 328pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 恩智浦SC08650B6J | 4.8600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@8A | 0纳秒 | 650V时为230μA | 175℃(最高) | 8A | 260pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| BTA312X-800B/DGQ | 1.0100 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BTA312 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 60毫安 | 逻辑 - 敏感门 | 800V | 12A | 1V | 100A、110A | 50毫安 | ||||||||||||||||||||||||||
| BUJD203AX,127 | 0.3059 | ![]() | 2215 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BUJD2 | 26W | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 425V | 4A | 2毫安 | NPN | 1V@600mA,3A | 10 @ 1mA,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||
| BTA420X-800CT/L02Q | 1.4500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BTA420 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934068604127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 40毫安 | 标准 | 800V | 20A | 1V | 200A、220A | 35毫安 | |||||||||||||||||||||||||
| BT236X-800G/L02Q | 0.3670 | ![]() | 1740 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BT236 | TO-220F | 下载 | 1(无限制) | 934067771127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 600 | 单身的 | 40毫安 | 标准 | 800V | 6A | 1V | 65A、71A | 100毫安 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC30-600P,127 | 2.7400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYC30 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.8V@30A | 35纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV32E-300PQ | 0.5940 | ![]() | 9788 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV32 | 标准 | TO-220E | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 300伏 | 10A | 1.25V@10A | 35纳秒 | 300V时为20μA | 175℃(最高) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA316-800B,127 | 1.2300 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | BTA316 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 60毫安 | 标准 | 800V | 16A | 1.5V | 140A、150A | 50毫安 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV410-600PQ | 0.4219 | ![]() | 9831 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV410 | 标准 | TO-220E | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 20A | 1.7V@10A | 55纳秒 | 600V时为10μA | 175℃ | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT138-800E/DG,127 | - | ![]() | 3183 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | SIC停产 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | BT138 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 30毫安 | 逻辑 - 敏感门 | 800V | 12A | 1.5V | 90A、100A | 10毫安 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT139-600,127 | 0.9900 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | BT139 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 45毫安 | 标准 | 600伏 | 16A | 1.5V | 155A、170A | 35毫安 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | PHE13003A,412 | 0.0720 | ![]() | 6599 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | PHE13 | 2.1W | TO-92-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934063927412 | EAR99 | 8541.29.0095 | 5,000 | 400V | 1A | 1毫安 | NPN | 1.5V@250mA、750mA | 10 @ 400mA,5V | - | ||||||||||||||||||||||||
| ACTT2X-800E,127 | 0.7100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | ACTT2 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 25毫安 | 逻辑 - 敏感门 | 800V | 2A | 1.5V | 14A、15.4A | 10毫安 | ||||||||||||||||||||||||||
| BT151S-800R,118 | 0.8300 | ![]() | 27 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -40℃~125℃ | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | BT151 | DPAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,500人 | 20毫安 | 800V | 12A | 1.5V | 120A、132A | 15毫安 | 1.75V | 7.5安 | 500微安 | 标准回报率 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | WB35SD160ALZ | 0.6908 | ![]() | 7815 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 死 | WB35 | 标准 | 晶圆 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.2V@35A | 1600V时为50μA | 150℃ | 35A | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYW29EX-200,127 | 1.1600 | ![]() | 17号 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYW29 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 200V | 1.05V@8A | 25纳秒 | 10μA@200V | 150℃(最高) | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||
| BT137S-800F,118 | 0.2677 | ![]() | 9939 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | BT137 | DPAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,500人 | 单身的 | 20毫安 | 标准 | 800V | 8A | 1.5V | 65A、71A | 25毫安 | ||||||||||||||||||||||||||
| BTA204S-800C,118 | 0.7200 | ![]() | 3712 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | BTA204 | DPAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,500人 | 单身的 | 20毫安 | 标准 | 800V | 4A | 1.5V | 25A、27A | 35毫安 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC12650T6J | 3.5400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | 4-VSFN 裸露焊盘 | WNSC1 | SiC(碳化硅)肖特基 | 5-DFN (8x8) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.8V@12A | 0纳秒 | 60μA@650V | 175℃ | 12A | 328pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC8X-600P,127 | 0.8900 | ![]() | 1766 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYC8 | 标准 | TO-220FP | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.9V@8A | 18纳秒 | 600V时为20μA | 175℃(最高) | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC5D08650X6Q | - | ![]() | 4656 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC5 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D08650X6Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@8A | 0纳秒 | 40μA@650V | -55℃~175℃ | 8A | 267pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||
| BT155W-1200TQ | 3.0600 | ![]() | 第944章 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | BT155 | TO-247-3 | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.30.0080 | 30 | 200毫安 | 1.2kV | 79一个 | 1V | 650A、715A | 50毫安 | 1.5V | 50A | 3毫安 | 标准回报率 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BT151-1000RT,127 | 0.9600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~150℃ | 通孔 | TO-220-3 | BT151 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 20毫安 | 1kV | 12A | 1.5V | 120A、131A | 15毫安 | 1.75V | 7.5安 | 2.5毫安 | 标准回报率 |

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