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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 场效应管类型 | 电流 - 保持 (Ih)(最大) | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 全部可控硅类型 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电压-感应触发(Vgt)(最大) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) | 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) | 当前 - 关闭状态(最大) | 可控硅类型 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BYV32EB-200PQ | - | ![]() | 9807 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | SIC停产 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYV32 | 标准 | D2PAK | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 20A | 1.15V@20A | 25纳秒 | 5μA@200V | 150℃(最高) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D10650BJ | 2.9500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | 10A | 310pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACTT10-800CTQ | 0.4219 | ![]() | 8451 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | ACTT10 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934068003127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 55毫安 | 标准 | 800V | 10A | 1.2V | 90A、99A | 35毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC8B-600PJ | 0.4455 | ![]() | 6695 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYC8 | 标准 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 3.4V@8A | 18纳秒 | 600V时为20μA | 175℃(最高) | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
| BYV42G-200,127 | 0.7590 | ![]() | 1754 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | BYV42 | 标准 | I2PAK (TO-262) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 15A | 850毫伏@15安 | 28纳秒 | 100μA@200V | 150℃(最高) | ||||||||||||||||||||||||||||||
| BT258X-800R,127 | 0.4129 | ![]() | 4452 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~125℃ | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BT258 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 6毫安 | 800V | 8A | 1.5V | 75A、82A | 200微安 | 1.6V | 5A | 500微安 | 灵敏门 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV29FB-600,118 | 0.4950 | ![]() | 9541 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYV29 | 标准 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.9V@8A | 35纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | 9A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV29-600,127 | 0.4290 | ![]() | 5902 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYV29 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.25V@8A | 60纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | 9A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACTT8-800CTNQ | 0.3888 | ![]() | 1510 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | ACTT8 | TO-220AB | 下载 | 1(无限制) | 934069231127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 40毫安 | 标准 | 800V | 8A | 1V | 80A、88A | 35毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC30X-600PSQ | 1.4400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYC30 | 标准 | TO-220F | 下载 | 1(无限制) | 1740-BYC30X-600PSQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.75V@30A | 45纳秒 | 600V时为10μA | 175℃ | 30A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BTA312-800C,127 | 1.1200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | BTA312 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 单身的 | 35毫安 | 标准 | 800V | 12A | 1.5V | 95A、105A | 35毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC5D10650D6J | - | ![]() | 7153 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | WNSC5 | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | - | 1740-WNSC5D10650D6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | -55℃~175℃ | 10A | 323pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT131-600DQP | 0.1150 | ![]() | 3749 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | BT131 | TO-92-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934058136116 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10,000 | 单身的 | 10毫安 | 逻辑 - 敏感门 | 600伏 | 1A | 1.5V | 12.5A、13.7A | 5毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSCM160120WQ | 5.2221 | ![]() | 第1676章 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | WNSCM160120 | MOSFET(金属O化物) | TO-247-3 | 下载 | EAR99 | 8541.29.0095 | 600 | N沟道 | 1200伏 | 24A(塔) | 20V | 196毫欧@10A,20V | 4.5V@3mA | 35nC@20V | +25V,-10V | 736 pF @ 1000 V | - | 155W(塔) | |||||||||||||||||||||||||||
| BT136S-800,118 | 0.2440 | ![]() | 6486 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | BT136 | DPAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,500人 | 单身的 | 15毫安 | 标准 | 800V | 4A | 1.5V | 25A、27A | 35毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 恩智浦SC06650D6J | 3.5800 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 650V时为200μA | 175℃(最高) | 6A | 190pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV40E-150,115 | 0.2970 | ![]() | 7460 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-261-4、TO-261AA | BYV40 | 标准 | SC-73 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 1.5A | 1V@1.5A | 25纳秒 | 150V时为10μA | 150℃(最高) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACTT12B-800CTNJ | 0.4747 | ![]() | 2279 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | ACTT12 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 800 | 单身的 | 30毫安 | 标准 | 800V | 12A | 1V | 120A、132A | 35毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TYN16X-600CT127 | - | ![]() | 8640 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不符合RoHS标准 | 供应商未定义 | 2156-TYN16X-600CT127-1740 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BYV10ED-600PJ | 0.8500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | BYV10 | 标准 | DPAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2V@10A | 50纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 10A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
| TYN16X-600CT,127 | 0.9300 | ![]() | 13 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | -40℃~150℃ | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | TYN16 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934066179127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 50 | 40毫安 | 600伏 | 16A | 1.3V | 180A、198A | 15毫安 | 1.6V | 10.2A | 1毫安 | 标准回报率 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | BT136-600/DG,127 | 0.2440 | ![]() | 8207 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | BT136 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 15毫安 | 标准 | 600伏 | 4A | 1.5V | 25A、27A | 35毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WND08P16DJ | 0.8800 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 温德08 | 标准 | DPAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 1600伏 | 1.25V@8A | 1600V时为50μA | 150℃ | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WND35P08XQ | 0.5480 | ![]() | 5262 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | WND35 | 标准 | TO-220F | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) | 800V | 1.4V@35A | 1600V时为50μA | -40℃~150℃ | 35A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | WN3S20H100CQ | 0.7000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | WN3S20 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 10A | 750毫伏@10安 | 100V时为50μA | 150℃ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| BTA204S-600F,118 | 0.2524 | ![]() | 9275 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 125°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | BTA204 | DPAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 2,500人 | 单身的 | 20毫安 | 标准 | 600伏 | 4A | 1.5V | 25A、27A | 25毫安 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | ACT108-600E,412 | 0.1606 | ![]() | 7809 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 行动108 | TO-92-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 5,000 | 单身的 | 25毫安 | 逻辑 - 敏感门 | 600伏 | 800毫安 | 1V | 8A、8.8A | 10毫安 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC40W-1200PQ | 1.8808 | ![]() | 第1282章 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | BYC40 | 标准 | TO-247-2 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 450 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 3.3V@40A | 91纳秒 | 1200V时为250μA | 175℃ | 40A | - | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC8B-600,118 | 0.5280 | ![]() | 8125 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYC8 | 标准 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 500V | 2.9V@8A | 52纳秒 | 600V时为150μA | 150℃(最高) | 8A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC8-600P,127 | 0.8500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYC8 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.9V@8A | 18纳秒 | 600V时为20μA | 175℃(最高) | 8A | - |

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