SIC
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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 全部可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) 当前 - 关闭状态(最大) 可控硅类型 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F
BYV32EB-200PQ WeEn Semiconductors BYV32EB-200PQ -
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ECAD 9807 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 SIC停产 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB BYV32 标准 D2PAK 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 20A 1.15V@20A 25纳秒 5μA@200V 150℃(最高)
WNSC2D10650BJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650BJ 2.9500
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 D2PAK 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 800 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@10A 0纳秒 50μA@650V 175℃ 10A 310pF@1V、1MHz
ACTT10-800CTQ WeEn Semiconductors ACTT10-800CTQ 0.4219
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ECAD 8451 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 ACTT10 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934068003127 EAR99 8541.30.0080 50 单身的 55毫安 标准 800V 10A 1.2V 90A、99A 35毫安
BYC8B-600PJ WeEn Semiconductors BYC8B-600PJ 0.4455
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ECAD 6695 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB BYC8 标准 D2PAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 3.4V@8A 18纳秒 600V时为20μA 175℃(最高) 8A -
BYV42G-200,127 WeEn Semiconductors BYV42G-200,127 0.7590
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ECAD 1754 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA BYV42 标准 I2PAK (TO-262) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 200V 15A 850毫伏@15安 28纳秒 100μA@200V 150℃(最高)
BT258X-800R,127 WeEn Semiconductors BT258X-800R,127 0.4129
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ECAD 4452 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 BT258 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 1,000 6毫安 800V 8A 1.5V 75A、82A 200微安 1.6V 5A 500微安 灵敏门
BYV29FB-600,118 WeEn Semiconductors BYV29FB-600,118 0.4950
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ECAD 9541 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB BYV29 标准 D2PAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.9V@8A 35纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 9A -
BYV29-600,127 WeEn Semiconductors BYV29-600,127 0.4290
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ECAD 5902 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYV29 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.25V@8A 60纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 9A -
ACTT8-800CTNQ WeEn Semiconductors ACTT8-800CTNQ 0.3888
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ECAD 1510 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 ACTT8 TO-220AB 下载 1(无限制) 934069231127 EAR99 8541.30.0080 1,000 单身的 40毫安 标准 800V 8A 1V 80A、88A 35毫安
BYC30X-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30X-600PSQ 1.4400
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ECAD 23 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYC30 标准 TO-220F 下载 1(无限制) 1740-BYC30X-600PSQ EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.75V@30A 45纳秒 600V时为10μA 175℃ 30A -
BTA312-800C,127 WeEn Semiconductors BTA312-800C,127 1.1200
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 BTA312 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 50 单身的 35毫安 标准 800V 12A 1.5V 95A、105A 35毫安
WNSC5D10650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D10650D6J -
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ECAD 7153 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 WNSC5 SiC(碳化硅)肖特基 DPAK - 1740-WNSC5D10650D6JTR EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@10A 0纳秒 50μA@650V -55℃~175℃ 10A 323pF@1V、1MHz
BT131-600DQP WeEn Semiconductors BT131-600DQP 0.1150
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ECAD 3749 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BT131 TO-92-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934058136116 EAR99 8541.30.0080 10,000 单身的 10毫安 逻辑 - 敏感门 600伏 1A 1.5V 12.5A、13.7A 5毫安
WNSCM160120WQ WeEn Semiconductors WNSCM160120WQ 5.2221
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ECAD 第1676章 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 WNSCM160120 MOSFET(金属O化物) TO-247-3 下载 EAR99 8541.29.0095 600 N沟道 1200伏 24A(塔) 20V 196毫欧@10A,20V 4.5V@3mA 35nC@20V +25V,-10V 736 pF @ 1000 V - 155W(塔)
BT136S-800,118 WeEn Semiconductors BT136S-800,118 0.2440
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ECAD 6486 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 BT136 DPAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 2,500人 单身的 15毫安 标准 800V 4A 1.5V 25A、27A 35毫安
NXPSC06650D6J WeEn Semiconductors 恩智浦SC06650D6J 3.5800
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 最后一次购买 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 恩克斯普SC SiC(碳化硅)肖特基 DPAK 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 2,500人 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为200μA 175℃(最高) 6A 190pF@1V、1MHz
BYV40E-150,115 WeEn Semiconductors BYV40E-150,115 0.2970
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ECAD 7460 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-261-4、TO-261AA BYV40 标准 SC-73 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 1.5A 1V@1.5A 25纳秒 150V时为10μA 150℃(最高)
ACTT12B-800CTNJ WeEn Semiconductors ACTT12B-800CTNJ 0.4747
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ECAD 2279 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB ACTT12 D2PAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 800 单身的 30毫安 标准 800V 12A 1V 120A、132A 35毫安
TYN16X-600CT127 WeEn Semiconductors TYN16X-600CT127 -
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ECAD 8640 0.00000000 瑞能半导体 * 大部分 的积极 - 不符合RoHS标准 供应商未定义 2156-TYN16X-600CT127-1740 1
BYV10ED-600PJ WeEn Semiconductors BYV10ED-600PJ 0.8500
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 BYV10 标准 DPAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 2,500人 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2V@10A 50纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 10A -
TYN16X-600CT,127 WeEn Semiconductors TYN16X-600CT,127 0.9300
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ECAD 13 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 -40℃~150℃ 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 TYN16 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934066179127 EAR99 8541.30.0080 50 40毫安 600伏 16A 1.3V 180A、198A 15毫安 1.6V 10.2A 1毫安 标准回报率
BT136-600/DG,127 WeEn Semiconductors BT136-600/DG,127 0.2440
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ECAD 8207 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 BT136 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 1,000 单身的 15毫安 标准 600伏 4A 1.5V 25A、27A 35毫安
WND08P16DJ WeEn Semiconductors WND08P16DJ 0.8800
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ECAD 26 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 温德08 标准 DPAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 2,500人 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 1600伏 1.25V@8A 1600V时为50μA 150℃ 8A -
WND35P08XQ WeEn Semiconductors WND35P08XQ 0.5480
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ECAD 5262 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 WND35 标准 TO-220F 下载 EAR99 8541.10.0080 1,000 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 800V 1.4V@35A 1600V时为50μA -40℃~150℃ 35A -
WN3S20H100CQ WeEn Semiconductors WN3S20H100CQ 0.7000
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3 WN3S20 肖特基 TO-220AB 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 10A 750毫伏@10安 100V时为50μA 150℃
BTA204S-600F,118 WeEn Semiconductors BTA204S-600F,118 0.2524
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ECAD 9275 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 BTA204 DPAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 2,500人 单身的 20毫安 标准 600伏 4A 1.5V 25A、27A 25毫安
ACT108-600E,412 WeEn Semiconductors ACT108-600E,412 0.1606
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ECAD 7809 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 行动108 TO-92-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 5,000 单身的 25毫安 逻辑 - 敏感门 600伏 800毫安 1V 8A、8.8A 10毫安
BYC40W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC40W-1200PQ 1.8808
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ECAD 第1282章 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-2 BYC40 标准 TO-247-2 下载 EAR99 8541.10.0080 450 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 3.3V@40A 91纳秒 1200V时为250μA 175℃ 40A -
BYC8B-600,118 WeEn Semiconductors BYC8B-600,118 0.5280
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ECAD 8125 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB BYC8 标准 D2PAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 500V 2.9V@8A 52纳秒 600V时为150μA 150℃(最高) 8A -
BYC8-600P,127 WeEn Semiconductors BYC8-600P,127 0.8500
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ECAD 3 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYC8 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.9V@8A 18纳秒 600V时为20μA 175℃(最高) 8A -
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