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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 配置 速度 电流 - 保持 (Ih)(最大) 全部可控硅类型 电压 - 关闭状态 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) 电压-感应触发(Vgt)(最大) 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) 电流-感应触发(Igt)(最大) 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) 当前 - 关闭状态(最大) 可控硅类型 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
BYV29G-600,127 WeEn Semiconductors BYV29G-600,127 0.4620
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ECAD 5838 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA BYV29 标准 I2PAK (TO-262) 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934063969127 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.25V@8A 60纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 9A -
WNSC2D30650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650WQ 6.5500
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ECAD 1 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-2 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-2 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@30A 0纳秒 650V时为100μA 175℃ 30A 980pF @ 1V、1MHz
WNSC6D20650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC6D20650CW6Q 5.3200
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ECAD 第465章 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 WNSC6 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 650伏 20A 1.45V@10A 0纳秒 50μA@650V 175℃
NXPS20H100C,127 WeEn Semiconductors NXPS20H100C,127 -
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ECAD 9839 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 SIC停产 通孔 TO-220-3 恩智浦20 肖特基 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 10A 770 毫伏 @ 10 安 100V时为4.5μA 175℃(最高)
WNSC2D201200CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D201200CWQ 5.7953
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ECAD 8132 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-247-3 WNSC2 SiC(碳化硅)肖特基 TO-247-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 1740-WNSC2D201200CWQ EAR99 8541.10.0080 30 无恢复T>500mA(Io) 1对共轴线 1200伏 20A 1.65V@10A 0纳秒 110μA@1200V 175℃
BYC8-1200PQ WeEn Semiconductors BYC8-1200PQ 0.4620
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ECAD 4368 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 BYC8 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934072036127 EAR99 8541.10.0080 1,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 3.2V@8A 55纳秒 100μA@1200V 175℃(最高) 8A -
NUR460P/L01U WeEn Semiconductors NUR460P/L01U -
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ECAD 1190 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 过时的 通孔 DO-201AD,缝合 NUR460 标准 DO-201AD 下载 1(无限制) REACH 不出行 934067358112 EAR99 8541.10.0080 500 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.05V@3A 75纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 4A -
BYV29B-600,118 WeEn Semiconductors BYV29B-600,118 0.4703
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ECAD 4340 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB BYV29 标准 D2PAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 800 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.25V@8A 60纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 9A -
BYC15-600PQ WeEn Semiconductors BYC15-600PQ 1.2300
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ECAD 1 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYC15 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 3.2V@15A 18纳秒 600V时为10μA 175℃(最高) 15A -
WNSC5D12650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D12650T6J -
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ECAD 4059 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 4-VSFN 裸露焊盘 WNSC5 SiC(碳化硅)肖特基 5-DFN (8x8) - 1740-WNSC5D12650T6JTR EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@12A 0纳秒 60μA@650V -55℃~175℃ 12A 420pF@1V、1MHz
WN3S20H100CXQ WeEn Semiconductors WN3S20H100CXQ 0.7500
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ECAD 5 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 WN3S20 肖特基 TO-220F 下载 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 10A 750毫伏@10安 100V时为50μA 150℃
BTA202X-1000ETQ WeEn Semiconductors BTA202X-1000ETQ 0.6500
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 BTA202 TO-220F 下载 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 50 单身的 25毫安 Alternistor - 无故障 1kV 2A 1V 25A、27.5A 10毫安
BTA410X-600BT,127 WeEn Semiconductors BTA410X-600BT,127 0.4671
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ECAD 9047 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 BTA410 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934066146127 EAR99 8541.30.0080 1,000 单身的 60毫安 标准 600伏 10A 1.5V 100A、110A 50毫安
PHD13005,127 WeEn Semiconductors PHD13005,127 0.6200
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ECAD 6 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 博士13 75W TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 50 400V 4A 100微安 NPN 1V@1A、4A 10 @ 2A,5V -
BT139-800E,127 WeEn Semiconductors BT139-800E,127 1.0600
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ECAD 17号 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 BT139 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 50 单身的 45毫安 逻辑 - 敏感门 800V 16A 1.5V 155A、170A 10毫安
BT258S-800R,118 WeEn Semiconductors BT258S-800R,118 0.9200
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ECAD 17号 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 -40℃~150℃ 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 BT258 DPAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 2,500人 6毫安 800V 8A 1.5V 75A、82A 200微安 1.6V 5A 500微安 灵敏门
BTA202-1000CTQP WeEn Semiconductors BTA202-1000CTQP 0.4500
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ECAD 10 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 BTA202 TO-92-3 下载 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 2,000 单身的 40毫安 Alternistor - 无故障 1kV 2A 1V 25A、27.5A 35毫安
BYT79-600,127 WeEn Semiconductors BYT79-600,127 1.4600
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ECAD 5 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYT79 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.38V@15A 60纳秒 50μA@600V 150℃(最高) 15A -
PHE13003C,412 WeEn Semiconductors PHE13003C,412 0.4500
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ECAD 19 0.00000000 瑞能半导体 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) PHE13 2.1W TO-92-3 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934063922412 EAR99 8541.29.0095 5,000 400V 1.5A 100微安 NPN 1.5V@500mA,1.5A 5@1A,2V -
BTA410-800CT,127 WeEn Semiconductors BTA410-800CT,127 0.4596
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ECAD 7451 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 BTA410 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) 934066144127 EAR99 8541.30.0080 1,000 单身的 35毫安 标准 800V 10A 1.5V 100A、110A 35毫安
BUJ105AD,118 WeEn Semiconductors BUJ105AD,118 0.3365
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ECAD 8213 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 BUJ105 80W DPAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.29.0095 2,500人 400V 8A 100微安 NPN 1V@800mA,4A 13@500mA,5V -
TYN50W-1400TQ WeEn Semiconductors TYN50W-1400TQ 2.7300
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ECAD 2 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 TYN50 TO-247E 下载 符合ROHS3标准 1(无限制) 1740-TYN50W-1400TQ EAR99 8541.30.0080 30 200毫安 1.4kV 79一个 1V 650A @ 50Hz, 715A @ 60Hz 50毫安 1.5V 50A 10微安 标准回报率
BT139-800G,127 WeEn Semiconductors BT139-800G,127 0.4144
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ECAD 1650 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3 BT139 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 1,000 单身的 60毫安 标准 800V 16A 1.5V 155A、170A 50毫安
MUR440J WeEn Semiconductors 穆尔440J 0.1249
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ECAD 5660 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 DO-214AB、SMC 毛里求斯440 标准 SMC 下载 EAR99 8541.10.0080 3,000 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.25V@4A 75纳秒 400V时为10μA 175℃ 4A -
BTA312X-800C,127 WeEn Semiconductors BTA312X-800C,127 0.4747
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ECAD 8184 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 125°C(太焦) 通孔 TO-220-3全封装,隔离片 BTA312 TO-220F 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 50 单身的 35毫安 标准 800V 12A 1.5V 95A、105A 35毫安
BTA208B-1000C,118 WeEn Semiconductors BTA208B-1000C,118 0.9800
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ECAD 8 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 125°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB BTA208 D2PAK 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 800 单身的 50毫安 标准 1kV 8A 1.5V 65A、71A 35毫安
BYV79E-200,127 WeEn Semiconductors BYV79E-200,127 1.1700
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ECAD 8 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2 BYV79 标准 TO-220AC 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1.05V@14A 30纳秒 200V时为50μA 150℃(最高) 14A -
WNSC5D06650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D06650D6J -
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ECAD 4757 0.00000000 瑞能半导体 - 卷带式 (TR) 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 WNSC5 SiC(碳化硅)肖特基 DPAK - 1740-WNSC5D06650D6JTR EAR99 8541.10.0080 1 无恢复T>500mA(Io) 650伏 1.7V@6A 0纳秒 650V时为30μA -55℃~175℃ 6A 201pF@1V、1MHz
BT152-800R,127 WeEn Semiconductors BT152-800R,127 1.2700
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ECAD 4 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 -40℃~125℃ 通孔 TO-220-3 BT152 TO-220AB 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.30.0080 1,000 60毫安 800V 20A 1.5V 200A、220A 32毫安 1.75V 13A 1毫安 标准回报率
BYC20X-600,127 WeEn Semiconductors BYC20X-600,127 1.9100
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ECAD 3 0.00000000 瑞能半导体 - 管子 的积极 通孔 TO-220-2全封装,隔离片 BYC20 标准 TO-220FP 下载 符合RoHS标准 1(无限制) EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 500V 2.9V@20A 55纳秒 600V时为200μA 150℃(最高) 20A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库