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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 配置 | 速度 | 电流 - 保持 (Ih)(最大) | 全部可控硅类型 | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电压-感应触发(Vgt)(最大) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | WNSC2D201200W6Q | 3.2301 | ![]() | 9693 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 600 | 无恢复T>500mA(Io) | 1200伏 | 1.8V@20A | 0纳秒 | 1200V时为200μA | 175℃ | 20A | 845pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BYC20DX-600PQ | 1.7400 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2全封装,隔离片 | BYC20 | 标准 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2.9V@20A | 20纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 20A | - | ||||||||||||||||||||||
| WN3S30H100CXQ | 0.9100 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | WN3S30 | 肖特基 | TO-220F | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 15A | 710 毫伏 @ 15 安 | 100V时为50μA | 150℃ | |||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV32E-100,127 | 0.5610 | ![]() | 6344 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV32 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 20A | 1.15V@20A | 25纳秒 | 100V时为30μA | 150℃(最高) | ||||||||||||||||||||||
| ACTT12X-800CTNQ | 0.4551 | ![]() | 2606 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | ACTT12 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934069689127 | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 30毫安 | 标准 | 800V | 12A | 1V | 120A、132A | 35毫安 | ||||||||||||||||||||||
![]() | BUJ106A,127 | 0.4219 | ![]() | 3878 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | BUJ106 | 80W | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 400V | 10A | 100微安 | NPN | 1V@1.2A、6A | 14 @ 500mA,5V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | WB60FV60ALZ | 1.1948 | ![]() | 7510 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | 死 | WB60 | 标准 | 晶圆 | 下载 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2V@60A | 55纳秒 | 600V时为10μA | -40℃~175℃ | 60A | - | ||||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC5D046506Q | - | ![]() | 8122 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | WNSC5 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | - | 1740-WNSC5D046506Q | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@4A | 0纳秒 | 650V时为20μA | -55℃~175℃ | 4A | 138pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
| 恩智浦SC10650Q | 5.5700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-2 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-220AC | 下载 | 不适用 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 650V时为250μA | 175℃(最高) | 10A | 300pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
![]() | WNS40100CQ | 1.2000年 | ![]() | 15 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | WNS40 | 肖特基 | TO-220E | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 20A | 780 毫伏 @ 20 安 | 100V时为50μA | 150℃ | ||||||||||||||||||||||||
| BTA208X-600D,127 | 0.3541 | ![]() | 5987 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BTA208 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 15毫安 | 逻辑 - 敏感门 | 600伏 | 8A | 1.5V | 65A、72A | 5毫安 | |||||||||||||||||||||||
![]() | BYV10-600PQ | 0.7400 | ![]() | 75 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | BYV10 | 标准 | TO-220AC | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 2V@10A | 50纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 10A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D16650CWQ | 2.6160 | ![]() | 1862年 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | 1740-WNSC2D16650CWQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 16A | 1.7V@8A | 0纳秒 | 40μA@650V | 175℃ | ||||||||||||||||||||||
![]() | 恩智浦SC06650B6J | 3.7000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@6A | 0纳秒 | 650V时为200μA | 175℃(最高) | 6A | 190pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||
![]() | NUR460P/L06U | - | ![]() | 1821 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | NUR460 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.28V@4A | 75纳秒 | 600V时为10μA | - | 4A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | BUJ105A,127 | 0.3617 | ![]() | 8091 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | BUJ105 | 80W | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 400V | 8A | 100微安 | NPN | 1V@800mA,4A | 13@500mA,5V | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | WN3S20H150CQ | 0.7500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | WN3S20 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 150伏 | 10A | 1.1V@10A | 150V时为50μA | 150℃ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | NXPS20H100C,127 | - | ![]() | 9839 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | SIC停产 | 通孔 | TO-220-3 | 恩智浦20 | 肖特基 | TO-220AB | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 10A | 770 毫伏 @ 10 安 | 100V时为4.5μA | 175℃(最高) | |||||||||||||||||||||||
| WNSC6D20650CW6Q | 5.3200 | ![]() | 第465章 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC6 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 650伏 | 20A | 1.45V@10A | 0纳秒 | 50μA@650V | 175℃ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | BYV29G-600,127 | 0.4620 | ![]() | 5838 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | BYV29 | 标准 | I2PAK (TO-262) | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934063969127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.25V@8A | 60纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | 9A | - | |||||||||||||||||||||
| WNSC2D30650WQ | 6.5500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-2 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@30A | 0纳秒 | 650V时为100μA | 175℃ | 30A | 980pF @ 1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||
| BYC405X-400PQ | 0.4257 | ![]() | 9709 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3全封装,隔离片 | BYC405 | 标准 | TO-220F | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 50 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.5V@5A | 40纳秒 | 400V时为10μA | 150℃ | 10A | - | |||||||||||||||||||||||
![]() | WNSC2D201200CWQ | 5.7953 | ![]() | 8132 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-247-3 | WNSC2 | SiC(碳化硅)肖特基 | TO-247-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 1740-WNSC2D201200CWQ | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 无恢复T>500mA(Io) | 1对共轴线 | 1200伏 | 20A | 1.65V@10A | 0纳秒 | 110μA@1200V | 175℃ | |||||||||||||||||||||
![]() | BYV430J-600PQ | 2.4300 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-3P-3、SC-65-3 | BYV430 | 标准 | TO-3P | 下载 | 1(无限制) | 934071202127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 30 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 600伏 | 30A | 2V@30A | 90纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | ||||||||||||||||||||||
| 恩智浦SC10650DJ | - | ![]() | 5878 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 最后一次购买 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 恩克斯普SC | SiC(碳化硅)肖特基 | DPAK | 下载 | 1(无限制) | 934070011118 | EAR99 | 8541.10.0080 | 2,500人 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@10A | 0纳秒 | 650V时为250μA | 175℃(最高) | 10A | 300pF@1V、1MHz | |||||||||||||||||||||||
![]() | BYV32E-200PQ | 0.5940 | ![]() | 4153 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 管子 | 的积极 | 通孔 | TO-220-3 | BYV32 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 1(无限制) | 934069527127 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 200V | 10A | 850毫伏@8安 | 25纳秒 | 5μA@200V | 175℃(最高) | ||||||||||||||||||||||
![]() | NUR460P/L01U | - | ![]() | 1190 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 过时的 | 通孔 | DO-201AD,缝合 | NUR460 | 标准 | DO-201AD | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 934067358112 | EAR99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.05V@3A | 75纳秒 | 600V时为10μA | 175℃(最高) | 4A | - | |||||||||||||||||||||
![]() | BYV29B-600,118 | 0.4703 | ![]() | 4340 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | BYV29 | 标准 | D2PAK | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.25V@8A | 60纳秒 | 50μA@600V | 150℃(最高) | 9A | - | ||||||||||||||||||||||
![]() | ACT108-600EQP | 0.1606 | ![]() | 6251 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 大部分 | 的积极 | 125°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成型插头 | 行动108 | TO-92-3 | 下载 | 符合RoHS标准 | 1(无限制) | 934063938116 | EAR99 | 8541.30.0080 | 10,000 | 单身的 | 20毫安 | 标准 | 600伏 | 800毫安 | 1V | 13A、14.3A | 10毫安 | |||||||||||||||||||||
![]() | WNSC5D12650T6J | - | ![]() | 4059 | 0.00000000 | 瑞能半导体 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | 4-VSFN 裸露焊盘 | WNSC5 | SiC(碳化硅)肖特基 | 5-DFN (8x8) | - | 1740-WNSC5D12650T6JTR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 无恢复T>500mA(Io) | 650伏 | 1.7V@12A | 0纳秒 | 60μA@650V | -55℃~175℃ | 12A | 420pF@1V、1MHz |

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