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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | (ih)(IH)) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | cmush2-4c bk | - | ![]() | 9286 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CMUSH2-4 | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | cmush2 | 肖特基 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-CMUSH2-4CBK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 40 V | 200ma(dc) | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1277 bk | - | ![]() | 5466 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | CEN1277 | - | 到达不受影响 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH5-40M833 BK | - | ![]() | 6430 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 肖特基 | TLM833 | 下载 | 1514-CTLSH5-40M833BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 520 mv @ 5 a | 200 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 5a | 220pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3738 | - | ![]() | 1584年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-213AA,TO-66-2 | 20 w | 到66 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-2N3738 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 225 v | 1 a | 250µA | 2.5V @ 25mA,250mA | 40 @ 100mA,10v | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5355B bk | - | ![]() | 1659年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | T-18,轴向 | 5 w | AX-5W | 下载 | 1514-1N5355BBK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 13.7 V | 18 V | 2.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C22 TR | 0.3800 | ![]() | 869 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 15.4 V | 22 v | 55欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5039 | - | ![]() | 5888 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 140 w | TO-3 | 下载 | 不适用 | 2n5039cs | Ear99 | 8541.29.0075 | 20 | 75 v | 20 a | 50mA | NPN | 2.5V @ 5a,20a | 30 @ 2a,5v | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4713 Tr | - | ![]() | 7837 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMHZ4713TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS220-12B | - | ![]() | 2635 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 400 | 20 ma | 200 v | 12 a | 1.5 v | - | 15 ma | 1.6 v | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CJD41C BK锡/铅 | - | ![]() | 5039 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | 1.75 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CJD41CBKTIN/LEAD | Ear99 | 8541.29.0095 | 150 | 100 v | 6 a | 50µA | NPN | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6422 PBFRE | - | ![]() | 9231 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | 过时的 | 30 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ5223B TR PBFRE | 0.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | CMHZ5223 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5246B TR | - | ![]() | 3712 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 12 V | 16 V | 17欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
cmz5941b bk pbfree | 0.2315 | ![]() | 2098 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMZ5941 | 500兆 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4618 TR PBFRE | 0.2190 | ![]() | 8450 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 MA | 1 µA @ 1 V | 2.7 v | 1500欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5350B bk | - | ![]() | 4261 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | T-18,轴向 | 5 w | AX-5W | 下载 | 1514-1N5350BBK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 2.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5554 tr | - | ![]() | 4102 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5554 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 10 mA | 4 µs | 1 µA @ 1000 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MMPQ6502 TR13 | - | ![]() | 4148 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 16-Soic(0.154英寸,宽度为3.90mm) | MMPQ6502 | 1W | 16-Soic | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 30V | 1a | 30na(icbo) | 2 NPN,2个PNP | 1.4V @ 30mA,300mA | 30 @ 300mA,10v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5258b Tr tin/铅 | 0.4000 | ![]() | 16 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | CLL5258 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSTB567 BK | - | ![]() | 7039 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | do-35 | 下载 | 1514-CSTB567BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1.61 V @ 10 mA | - | 10mA | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5948B tr | - | ![]() | 3712 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 69.2 V | 91 v | 200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmdz1l8 tr pbfree | 0.3600 | ![]() | 18 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ1 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 25 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7181-M832D BK | - | ![]() | 7002 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7181 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM7181-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 1a | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5796 | - | ![]() | 6972 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N579 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 600mA | - | 2 PNP (双) | - | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHSH5-4 TR PBFRE | 0.4300 | ![]() | 26 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-123 | CMHSH5 | 肖特基 | SOD-123 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 620 MV @ 1 A | 20 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 500mA | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmjh150 tr pbfree | 6.5000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJH150 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50V | 18mA | 4.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHz4614 bk | - | ![]() | 1440 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMHZ4614BK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5333B TR | - | ![]() | 1401 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | T-18,轴向 | 5 w | AX-5W | 下载 | 1514-1N5333BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 300 µA @ 1 V | 3.3 v | 3欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5275B TR | - | ![]() | 9845 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 NA @ 106 V | 140 v | 1300欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4944 bk | - | ![]() | 2878 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | R-1,轴向 | 标准 | GPR-1A | 下载 | 1514-1N4944BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.3 V @ 1 A | 150 ns | 1 µA @ 400 V | - | 1a | - |
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