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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | (ih)(IH)) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CP547-MJ11013-CT | - | ![]() | 9591 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5360B bk pbfree | 0.4526 | ![]() | 4995 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | CZ5360 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 500 | 1.2 V @ 1 A | 500 na @ 19 V | 25 v | 4欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5419 bk锡/铅 | - | ![]() | 5557 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 标准 | GPR-4am | 下载 | 到达不受影响 | 1514-1N5419BKTIN/铅 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.1 V @ 3 A | 250 ns | 1 µA @ 500 V | -65°C 〜200°C | 3a | 110pf @ 12V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4399 PBFRE | 4.9812 | ![]() | 2408 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 5 w | TO-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 60 V | 30 a | 5mA | PNP | 4V @ 6a,30a | 15 @ 15a,2v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMSH1-200HE TR13 PBFRE | 0.6600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMSH1 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 1 A | 50 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ5930B TR13 PBFRE | 0.2175 | ![]() | 2423 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMZ5930 | 500兆 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CS202-4D | - | ![]() | 2064 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | to-202长标签 | 到202 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 500 | 2 ma | 400 v | 4 a | 800 mv | - | 200 µA | 1.8 v | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmpsh-3e tr pbfree | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPSH-3 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 200 MA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | 200mA | 7pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M832DS BK | - | ![]() | 4694 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM8120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832DS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2(p 通道(双) | 20V | 860ma(ta) | 150MOHM @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA | 3.56NC @ 4.5V | 200pf @ 16V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ19-BZX55C22-CT | - | ![]() | 9768 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5.68% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 到达不受影响 | 1514-CPZ19-BZX55C22-CT | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 1 V @ 100 ma | 100 na @ 16 V | 22 v | 55欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMOZ16L TR PBFRE | 0.1500 | ![]() | 3361 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | CMOZ16 | 250兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 14 V | 16 V | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1U-01 TR13 PBFRE | 0.6700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | CMR1U-01 | 标准 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 1 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5914B TR | - | ![]() | 7654 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 75 µA @ 1 V | 3.5 v | 9欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS218i-30p | - | ![]() | 4022 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | TO-218-3 | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 75 MA | 1 kV | 30 a | 1.5 v | 400A @ 100Hz | 50 mA | 2.1 v | 20 µA | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ220I-16N | - | ![]() | 8208 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 50 mA | 内部触发 | 800 v | 16 a | 1.5 v | - | 100 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCY59-X PBFRE | 1.0545 | ![]() | 4591 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BCY59 | 1 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45 v | 100 ma | 10NA(ICBO) | NPN | 700mv @ 2.5mA,100mA | 380 @ 2mA,5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CSHD8-200 TR13 PBFRE | 1.3200 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | CSHD8 | 肖特基 | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 8 a | 50 µA @ 200 V | -65°C〜175°C | 8a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR2U-02 BK PBFRE | 0.1425 | ![]() | 5653 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | CMR2U-02 | 标准 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 1 V @ 2 A | 50 ns | 10 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 2a | 28pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4464 bk pbfree | 0.3465 | ![]() | 1695年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 300 NA @ 5.46 V | 9.1 v | 4欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ5951B TR13 | 0.9700 | ![]() | 4024 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMZ5951 | 500兆 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 91.2 V | 120 v | 360欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCY79-IX PBFRE | 1.0545 | ![]() | 6358 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BCY79 | 1 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 800mv @ 2.5mA,100mA | 250 @ 2mA,5v | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5271B bk | - | ![]() | 3722 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 ma | 100 NA @ 76 V | 100 v | 500欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5623 bk | - | ![]() | 5857 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5623 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.2 V @ 10 mA | 500 ns | 500 NA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 1a | 18pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5621 tr | - | ![]() | 7882 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5621 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 10 mA | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 1a | 18pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | baw100 tr pbfree | - | ![]() | 3230 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | TO-253-4,TO-253AA | BAW100 | 标准 | SOT-143 | - | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | 1514-BAW100TRPBFREETR | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 2独立 | 75 v | 250ma(dc) | 1.25 V @ 150 mA | 6 ns | 1 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4002SP TR | - | ![]() | 6137 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5341B tr pbfree | 1.0200 | ![]() | 35 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | CZ5341 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,400 | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 3 V | 6.2 v | 2欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N6071A锡/铅 | - | ![]() | 2748 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜110°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | TO-126 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-2N6071ATIN/LEAD | Ear99 | 8541.30.0080 | 1,000 | 单身的 | 15 ma | 逻辑 -敏感门 | 200 v | 4 a | 2 v | 30a @ 60Hz | 10 MA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP710V-MPSA92-CT | - | ![]() | 5940 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP710 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 300 v | 500 MA | 250NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 2mA,20mA | 25 @ 30mA,10v | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ220I-10D | - | ![]() | 4755 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜110°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 25 ma | 内部触发 | 400 v | 10 a | 1.5 v | - | 50 mA |
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