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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | (ih)(IH)) | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CMSD2836 TR PBFRE | 0.4100 | ![]() | 172 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMSD2836 | 标准 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 75 v | 200mA | 1.2 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 50 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1233 TR | - | ![]() | 7533 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmjh120 tr pbfree | 6.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJH120 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 50V | 14.4mA | 3.8V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC108B PBFRE | 1.3530 | ![]() | 3615 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BC108 | 600兆 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 25 v | 200 ma | 15NA(icbo) | NPN | 600mv @ 5mA,100mA | 200 @ 2mA,5V | 150MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n991b bk | - | ![]() | 7928 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 136.8 V | 180 v | 2200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N969B bk pbfree | 0.0734 | ![]() | 1740年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 16.7 V | 22 v | 29欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmdz4l3 tr pbfree | 0.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ4 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 v | 900欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4729c bk | - | ![]() | 4873 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±2% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1 w | 梅尔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.2 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.6 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4116 Tr锡/铅 | 0.6300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | CLL4116 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5995B TR PBFRE | 0.0494 | ![]() | 1721年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 ma | 1 µA @ 4 V | 6.2 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPZ5222B TR PBFRE | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPZ5222 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 µA @ 1 V | 2.5 v | 30欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH1-50M832DS BK | - | ![]() | 7061 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | 肖特基 | TLM832DS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 50 V | 550 mv @ 1 a | 500 µA @ 50 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmpzda12v tr pbfree | 0.1600 | ![]() | 44 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPZDA12 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1对公共阳极 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 8 V | 12.05 v | 250欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4947 tr | - | ![]() | 2784 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N4947 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 800 v | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 1 µA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP337V-2N3725-CT | - | ![]() | 4227 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 800兆 | 死 | 下载 | 1514-CP337V-2N3725-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 400 | 50 V | 1.2 a | 10µA | NPN | 950mv @ 100mA,1a | 60 @ 100mA,1V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ220I-8N | - | ![]() | 2252 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜110°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 25 ma | 内部触发 | 800 v | 8 a | 1.5 v | - | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH1-40M832DS TR | - | ![]() | 4402 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | 肖特基 | TLM832DS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 550 mv @ 1 a | 200 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4627 TR PBFRE | 0.2190 | ![]() | 2090 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP742X-CEN320-CM200 | - | ![]() | 5735 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 1514-CP742X-CEN320-CM200 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5259B bk pbfree | 0.0353 | ![]() | 5251 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 30 V | 39 v | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2905 PBFRE | 1.2173 | ![]() | 3119 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 3 W | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 600 MA | 20NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 200MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cllsh1-40 bk | - | ![]() | 9780 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 肖特基 | SMA | - | 1514-CLLSH1-40BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 1 A | 500 µA @ 40 V | - | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP547-MJ11013-CT | - | ![]() | 9591 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5360B bk pbfree | 0.4526 | ![]() | 4995 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | CZ5360 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 500 | 1.2 V @ 1 A | 500 na @ 19 V | 25 v | 4欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5419 bk锡/铅 | - | ![]() | 5557 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 标准 | GPR-4am | 下载 | 到达不受影响 | 1514-1N5419BKTIN/铅 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 500 v | 1.1 V @ 3 A | 250 ns | 1 µA @ 500 V | -65°C 〜200°C | 3a | 110pf @ 12V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4399 PBFRE | 4.9812 | ![]() | 2408 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 上次购买 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 5 w | TO-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 20 | 60 V | 30 a | 5mA | PNP | 4V @ 6a,30a | 15 @ 15a,2v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
CMSH1-200HE TR13 PBFRE | 0.6600 | ![]() | 22 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMSH1 | 肖特基 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 900 mv @ 1 A | 50 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ5930B TR13 PBFRE | 0.2175 | ![]() | 2423 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMZ5930 | 500兆 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 12.2 V | 16 V | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
CS202-4D | - | ![]() | 2064 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | to-202长标签 | 到202 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 500 | 2 ma | 400 v | 4 a | 800 mv | - | 200 µA | 1.8 v | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmpsh-3e tr pbfree | 0.5000 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPSH-3 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 40 V | 1 V @ 200 MA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | 200mA | 7pf @ 1V,1MHz |
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