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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
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![]() | CWDM3011P TR13 PBFRE | 0.9300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Soic(0.154英寸,宽3.90mm) | CWDM3011 | MOSFET (金属 o化物) | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | P通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 20mohm @ 11a,10v | 3V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | 20V | 3100 pf @ 8 V | - | 2.5W(TA) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5270B TR | - | ![]() | 5330 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 69 V | 91 v | 400欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5279B bk | - | ![]() | 2432 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35a | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 NA @ 137 V | 180 v | 2200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ220-8M | - | ![]() | 4173 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜110°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 25 ma | 内部触发 | 600 v | 8 a | 1.5 v | - | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5188 bk | - | ![]() | 3683 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5188 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.5 V @ 10 mA | 250 ns | 2 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N3810 | - | ![]() | 3429 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N380 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2n3810cs | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mA | 10NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 250mv @ 1mA,100µA | 150 @ 1mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCY79-VII PBFRE | 1.0545 | ![]() | 3006 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | BCY79 | 1 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 800mv @ 2.5mA,100mA | 120 @ 2mA,5V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N753A bk pbfree | 0.0878 | ![]() | 1829年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 100 na @ 1 V | 6.2 v | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cbat54c tr pbfree | 0.4500 | ![]() | 38 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CBAT54 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 30 V | 200mA | 800 mv @ 100 ma | 5 ns | 2 µA @ 25 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP327V-MPSA27-WN | - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp327 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP327V-MPSA27-WN | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 60 V | 500 MA | 500NA | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 100mA,5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP327V-2N5308-CT | - | ![]() | 5152 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP327V-2N5308-CT | Ear99 | 8541.21.0040 | 400 | 40 V | 300 MA | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.4V @ 200µA,200mA | 7000 @ 2mA,5V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBCP68 TR PBFRE | 0.9700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | CBCP68 | 2 w | SOT-223 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 20 v | 1 a | 10µA(ICBO) | NPN | 500mv @ 100mA,1a | 85 @ 500mA,1V | 65MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4747A BK PBFRE | 0.0742 | ![]() | 9118 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CLL4747 | 1 w | 梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 15.2 V | 20 v | 22欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4385 bk pbfree | - | ![]() | 3480 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-1N4385BKPBFRE | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µs | 10 µA @ 600 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5272B AP | - | ![]() | 9390 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 1N5272BAP | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 84 V | 110 v | 750欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5255B TR | - | ![]() | 5927 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 21 V | 28 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5225B TR PBFRE | 0.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLSH-4 bk | - | ![]() | 4411 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | 肖特基 | SOT-563 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 40 V | 200ma(dc) | 330 mv @ 2 ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4709 bk | - | ![]() | 3327 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | 1514-CLL4709BK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 na @ 18.2 V | 24 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5237B TR | - | ![]() | 7158 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 6.5 V | 8.2 v | 8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5347B bk | - | ![]() | 6821 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CZ5347BBK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 5 µA @ 7.6 V | 10 v | 2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN5503 | - | ![]() | 1258 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | 1514-CEN5503 | 过时的 | 500 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP617-CEN1271-CM | - | ![]() | 8260 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | 1514-CP617-CEN1271-CM | 过时的 | 500 | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4730a Tr | - | ![]() | 3860 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1 w | 梅尔 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 50 µA @ 1 V | 3.9 v | 9欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4710 TR PBFRE | 0.2190 | ![]() | 7392 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 ma | 10 na @ 19 V | 25 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4384 tr锡/铅 | - | ![]() | 8124 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-1N4384TRTIN/LEADTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µs | 10 µA @ 400 V | -65°C 〜200°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPZ4101 bk | - | ![]() | 5010 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | CMPZ4101BK | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 1 V @ 200 MA | 1 µA @ 6.3 V | 8.2 v | 200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHz4685 Tr tin/lead | - | ![]() | 1864年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMHZ4685TRTIN/铅 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4745A TR PBFRE | 0.4000 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | CLL4745 | 1 w | 梅尔 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 12.2 V | 16 V | 16欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5248B BK PBFRE | 0.1464 | ![]() | 5585 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | CLL5248 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 100 na @ 14 V | 18 V | 21欧姆 |
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