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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 频率 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (amp) | 当前 -测试 | 功率 -输出 | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 噪音图 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 电压 -测试 | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CYTA4494D BK | - | ![]() | 5230 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-228 | CYTA4494 | 2W | SOT-228 | - | 1514-CYTA4494DBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 400V | 300mA | 500NA | NPN,PNP互补 | 750mv @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,10v | 20MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5559B TR锡/铅 | 0.4200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | T-18,轴向 | 5 w | AX-5W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 1 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4466 bk pbfree | 0.3465 | ![]() | 9503 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 300 NA @ 8.8 V | 11 V | 6欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5230c bk | - | ![]() | 1957年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±2% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 v | 19欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM7004VL BK | - | ![]() | 9380 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883VL | 下载 | (1 (无限) | 1514-CEDM7004VLBK | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 450mA(ta) | 1.8V,4.5V | 460MOHM @ 200MA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.792 NC @ 4.5 V | 8V | 43 pf @ 25 V | - | 100mW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHz4627 bk | - | ![]() | 7801 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMHZ4627BK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 µA @ 5 V | 6.2 v | 1200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3416 PBFRE | 1.0800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 50 V | 100NA(ICBO) | NPN | - | 75 @ 2mA,4.5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBRHDSH2-40 TR13 PBFRE | 0.7300 | ![]() | 56 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | CBRHDSH2 | 肖特基 | 4-HD蘸酱 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 500 mv @ 2 a | 50 µA @ 40 V | 2 a | 单相 | 40 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDM7-600LR TR13 PBFRE | 1.6600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | CDM7-600 | MOSFET (金属 o化物) | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | n通道 | 600 v | 7A(TC) | 10V | 580MOHM @ 3.5A,10V | 4V @ 250µA | 14.5 NC @ 10 V | 30V | 440 pf @ 100 V | - | 60W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3F-100 TR | - | ![]() | 7003 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 标准 | DO-201-201 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.2 V @ 3 A | 500 ns | 5 µA @ 1000 V | -55°C〜125°C | 3a | 40pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4392 PBFRE | 3.0000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | 1.8 w | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,000 | n通道 | 14pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDFSHC3-100 TR13 PBFRE | 0.5000 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | 肖特基 | SMC | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 100 v | 850 mv @ 3 a | 500 µA @ 100 V | -55°C〜125°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ5260B TR PBFRE | 0.3600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SOD-123 | CMHZ5260 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 33 V | 43 V | 93欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4476 TR PBFRE | 0.3465 | ![]() | 8816 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 50 NA @ 24 V | 30 V | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5486 | 0.4704 | ![]() | 7658 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 25 v | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 400MHz | JFET | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | 30mA | 4 mA | - | - | 4DB | 15 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP398X-CTLDM303N-CT | - | ![]() | 1125 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | cp398 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 30 V | 3.6a(ta) | 2.5V,4.5V | 78MOHM @ 1.8A,2.5V | 1.2V @ 250µA | 13 NC @ 4.5 V | 12V | 590 pf @ 10 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT900K bk | - | ![]() | 4382 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 2 w | SOT-223 | 下载 | 1514-CZT900KBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 900000 @ 100mA,5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSZ5252B TR TIN/LEAD | 0.0569 | ![]() | 2266 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMSZ5252 | 275兆 | SOT-323 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 33欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4732a Tr | - | ![]() | 3800 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1 w | 梅尔 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmpz5231b tr pbfree | 0.4500 | ![]() | 14 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPZ5231 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5252B tr pbfree | 0.4100 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 33欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5950B bk | - | ![]() | 1696年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 83.6 V | 110 v | 300欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPZ5244B TR PBFRE | 0.4300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPZ5244 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 10 V | 14 V | 13欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5228b Tr | - | ![]() | 8787 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 23欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP208-2N4923-CT | - | ![]() | 3145 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 30 W | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP208-2N4923-CTTB | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 80 V | 1 a | 500µA | NPN | 600mv @ 100mA,1a | 40 @ 50mA,1V | 3MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM7120G TR PBFRE | 0.7600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM7120 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 20 v | 1A(1A) | 1.5V,4V | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4 NC @ 4.5 V | 8V | 220 pf @ 10 V | - | 150MW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5370B bk | - | ![]() | 2633 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CZ5370BBK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 42.6 V | 56 v | 35欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-CEN1103-WS | - | ![]() | 3590 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 积极的 | CP647 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR10A-J060 | - | ![]() | 9720 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | 4平方英尺,厘米 | 雪崩 | 厘米 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.2 V @ 5 A | 10 µA @ 600 V | 10 a | 单相 | 600 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5210 PBFRE | 0.5600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 350兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 50 V | 50 mA | 50NA(iCBO) | NPN | 700mv @ 1mA,10mA | 200 @ 100µA,5V | 30MHz |
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