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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
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![]() | 1N4614 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 9557 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 7.5 µA @ 1 V | 1.8 v | 1200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4448 tr | - | ![]() | 9687 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 标准 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 10,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 100 v | 720 mv @ 5 ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | -65°C 〜200°C | 150mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ5945B bk pbfree | 0.1512 | ![]() | 9220 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMZ5945 | 500兆 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 51.7 V | 68 v | 120欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
cmz5921b bk pbfree | 0.3345 | ![]() | 5008 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMZ5921 | 500兆 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 2.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2n2060m | - | ![]() | 5359 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N2060 | 3W | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 500mA | 2NA(ICBO) | 2 NPN (双) | 1.2V @ 5mA,50mA | 50 @ 10mA,5V | 60MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM7585 TR PBFRE | 0.6600 | ![]() | 103 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM7585 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n和p通道 | 20V | 650mA | 230MOHM @ 600mA,4.5V | 1.1V @ 250µA | 1.58nc @ 4.5V | 100pf @ 16V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmdz3v0 tr pbfree | 0.7000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜175°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ3 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 1 V | 3 V | 95欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT3410-M521 BK | - | ![]() | 2378 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 5-POWERTFDFN | 900兆 | TLM521 | 下载 | 1514-CTLT3410-M521BK | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 25 v | 1 a | 100NA(ICBO) | NPN | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4700 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 4821 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 100 ma | 50 NA @ 9.8 V | 13 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmpd2004c bk pbfree | 0.2250 | ![]() | 2967 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD2004 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1对普通阴极 | 240 v | 225ma(dc) | 1 V @ 100 ma | 50 ns | 100 NA @ 240 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDM22011-600LRFP SL | 2.3400 | ![]() | 580 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | CDM22011 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 600 v | 11A(TC) | 10V | 360MOHM @ 5.5A,10V | 4V @ 250µA | 23.05 NC @ 10 V | 30V | 763 PF @ 100 V | - | 25W(TC) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4735d bk | - | ![]() | 1773年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±1% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1 w | 梅尔 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 3 V | 6.2 v | 2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmj2000 tr pbfree | 6.2800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ2000 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 2.32mA | 2.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP742X-CN4209-CM200 | - | ![]() | 9116 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 到达不受影响 | 1514-CP742X-CN4209-CM200 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5949B bk | - | ![]() | 4194 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 76 V | 100 v | 250欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4469 TR PBFRE | 0.4815 | ![]() | 4848 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 50 na @ 12 V | 15 v | 9欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5243B bk | - | ![]() | 4545 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 500 NA @ 9.9 V | 13 V | 13欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSSH-3C bk pbfree | 0.2100 | ![]() | 7757 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | CMSSH-3 | 肖特基 | SMC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 5,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对普通阴极 | 30 V | 100mA(dc) | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP147-2N6284-CM | - | ![]() | 6010 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 160 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP147-2N6284-CM | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 a | 1ma | npn-达灵顿 | 3V @ 200mA,20a | 750 @ 10a,3v | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4731A BK锡/铅 | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.3 v | 9欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5352B Tr | - | ![]() | 9221 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CZ5352BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 11.5 V | 15 v | 2.5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N918 PBFRE | 6.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | TO-206AF,TO-72-4金属可以 | 200MW | 到72 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | - | 15V | 50mA | NPN | 20 @ 3mA,1V | 600MHz | 6DB @ 60kHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDSH05-4 TR PBFRE | 0.3700 | ![]() | 367 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDSH05 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 470 mv @ 500 mA | 100 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | 500mA | 50pf @ 1V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BDW83B | - | ![]() | 4331 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-218-3 | 130 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 80 V | 15 a | - | NPN | - | 750 @ 6a,3v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP611-2N6107-CM | - | ![]() | 4157 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP611 | 40 W | 死 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CP611-2N6107-CM | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 70 v | 7 a | 1ma | PNP | 3.5V @ 3a,7a | 30 @ 2a,4v | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT853-M833S BK | - | ![]() | 1335 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-Powervdfn | 2.5 w | TLM833S | 下载 | (1 (无限) | CTLT853-M833SBK | Ear99 | 8541.29.0075 | 5,000 | 100 v | 6 a | 10NA | NPN | 340mv @ 500mA,5a | 100 @ 2a,2v | 190MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ5933B BK | - | ![]() | 6047 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMZ5933 | 500兆 | SMA | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 16.7 V | 22 v | 17.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5387B Tr | - | ![]() | 8576 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | (1 (无限) | CZ5387BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,400 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 144 V | 190 v | 450欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP247-2N6284-WN | - | ![]() | 4971 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 160 w | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP247-2N6284-WN | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 100 v | 20 a | 1ma | npn-达灵顿 | 3V @ 200mA,20a | 750 @ 10a,3v | 4MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ58X-1N4099-CT | - | ![]() | 7523 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | - | 1514-CPZ58X-1N4099-CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 200欧姆 |
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