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离散半导体产品（（4522）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
1N5619 bk	-	RFQ	3249	中央半导体公司	-	大部分	上次购买			通过洞	R-1，轴向	1N5619	标准		GPR-1A	-			到达不受影响				1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																			600 v	1.2 V @ 1 A	250 ns	500 NA @ 600 V	-65°C 〜200°C	1a	27pf @ 5V，1MHz
CJD350 TR13/铅	-	RFQ	8316	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			1.56 w	DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CJD350TR13TIN/LEADTR	Ear99	8541.29.0095	2,500																												300 v	500 MA						100µA				PNP	2.6V @ 10mA，100mA	30 @ 50mA，10v	10MHz
CMKZ5221B BK	-	RFQ	8454	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	1	3独立																					900 mv @ 10 ma		100 µA @ 1 V												2.4 v	30欧姆
CMPDM303NH TR	-	RFQ	8466	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-3平线		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23F	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	40mohm @ 1.8A，4.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	350MW（TA）
CMHz4627 bk	-	RFQ	7801	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOD-123			500兆	SOD-123	下载			到达不受影响	1514-CMHZ4627BK	Ear99	8541.10.0050	1																						1.5 V @ 100 ma		10 µA @ 5 V												6.2 v	1200欧姆
1N5559B TR锡/铅	0.4200	RFQ	4	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	T-18，轴向			5 w	AX-5W	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	5,000																						1.2 V @ 1 A
CBR10A-J060	-	RFQ	9720	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	通过洞	4平方英尺，厘米		雪崩		厘米	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.10.0080	1																						1.2 V @ 5 A		10 µA @ 600 V		10 a				单相	600 v
CDM7-600LR TR13 PBFRE	1.6600	RFQ	2	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	CDM7-600	MOSFET （金属 o化物）		DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		600 v	7A（TC）	10V	580MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	14.5 NC @ 10 V	30V	440 pf @ 100 V	-	60W（TC）
CBRHDSH2-40 TR13 PBFRE	0.7300	RFQ	56	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-50°C〜125°C（TJ）	表面安装	4-SMD，鸥翼	CBRHDSH2	肖特基		4-HD蘸酱	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	3,000																						500 mv @ 2 a		50 µA @ 40 V		2 a				单相	40 V
2N4392 PBFRE	3.0000	RFQ	4	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AA，TO-18-3			1.8 w	TO-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道									14pf @ 20V																				40 V	25 ma @ 20 V	2 V @ 1 na				60欧姆
CMPZ5243B bk pbfree	0.0709	RFQ	2941	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPZ5243		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,500																						900 mv @ 10 ma		500 NA @ 9.9 V												13 V	13欧姆
Cllsh1-20 bk	-	RFQ	2911	中央半导体公司	-	大部分	过时的			表面安装	do-214ac，SMA		肖特基		SMA	-				1514-CLLSH1-20BK	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			20 v	500 mv @ 1 A		500 µA @ 20 V	-	1a	-
CP647-CEN1103-WS	-	RFQ	3590	中央半导体公司	*	大部分	积极的					CP647				-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0040	1
CP588-BCY70-WN	-	RFQ	8494	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-	表面安装	死			350兆	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-CP588-BCY70-WN	Ear99	8541.21.0095	1																												45 v	200 ma						-					250mv @ 1mA，10mA	60 @ 10µA，1V
cllr1u-02 tr	-	RFQ	1970年	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的			表面安装	do-213ab，Melf		标准		梅尔	下载				1514-CLLR1U-02TR	Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																			200 v	1 V @ 1 A	50 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	-
cmpz5231b tr pbfree	0.4500	RFQ	14	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	CMPZ5231		350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		5 µA @ 2 V												5.1 v	17欧姆
CMLDM7120G TR PBFRE	0.7600	RFQ	2	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM7120	MOSFET （金属 o化物）		SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000			n通道		20 v	1A（1A）	1.5V，4V	100mohm @ 500mA，4.5V	1.2V @ 1mA	2.4 NC @ 4.5 V	8V	220 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
CP398X-CTLDM303N-CT	-	RFQ	1125	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	cp398	MOSFET （金属 o化物）		死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	3.6a（ta）	2.5V，4.5V	78MOHM @ 1.8A，2.5V	1.2V @ 250µA	13 NC @ 4.5 V	12V	590 pf @ 10 V	-	-
CQ220-8M	-	RFQ	4173	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-40°C〜110°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.30.0080	1	单身的			25 ma											内部触发	600 v	8 a	1.5 v	-	50 mA
CMHZ5245B TR PBFRE	0.3600	RFQ	4	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SOD-123	CMHZ5245		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																						900 mv @ 10 ma		100 na @ 11 V												15 v	16欧姆
MPQ3467 PBFRE	-	RFQ	3988	中央半导体公司	-	管子	过时的		-	通过洞	14 浸（0.300英寸，7.62mm）	MPQ3467		3W	TO-116	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	25																												40V	-						200NA（ICBO）				4 pnp（（	-	-	125MHz
MMPQ6502 TR13	-	RFQ	4148	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	MMPQ6502		1W	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	2,500																												30V	1a						30na（icbo）				2 NPN，2个PNP	1.4V @ 30mA，300mA	30 @ 300mA，10v	200MHz
1N4618 TR PBFRE	0.2190	RFQ	8450	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	10,000																						1 V @ 200 MA		1 µA @ 1 V												2.7 v	1500欧姆
CSTB567 BK	-	RFQ	7039	中央半导体公司	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		do-35	下载				1514-CSTB567BK	Ear99	8541.10.0080	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																				1.61 V @ 10 mA			-	10mA	-
1N5350B bk	-	RFQ	4261	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	T-18，轴向			5 w	AX-5W	下载				1514-1N5350BBK	Ear99	8541.10.0050	1																						1.2 V @ 1 A		1 µA @ 9.9 V												13 V	2.5欧姆
1N5554 tr	-	RFQ	4102	中央半导体公司	-	（TB）	上次购买			通过洞	R-4，轴向	1N5554	标准		GPR-4am	-			到达不受影响				1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																			1000 v	1.1 V @ 10 mA	4 µs	1 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	3a	-
CMKZ5246B TR	-	RFQ	3712	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-TSSOP，SC-88，SOT-363			200兆	SOT-363	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.10.0050	3,000	3独立																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V												16 V	17欧姆
cmz5941b bk pbfree	0.2315	RFQ	2098	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	do-214ac，SMA	CMZ5941		500兆	SMA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	800																						1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 35.8 V												47 V	67欧姆
TIP36C TO-247 SL	-	RFQ	9264	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			125 w	TO-247	下载				1514-TIP36CTO-247SL	过时的		1																												100 v	25 a						1ma				NPN	4V @ 5a，25a	25 @ 1.5A，4V	1MHz
CTLDM7181-M832D BK	-	RFQ	7002	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tdfn暴露垫	CTLDM7181	MOSFET （金属 o化物）	1.65W	TLM832D	下载				1514-CTLDM7181-M832DBK	Ear99	8541.29.0095	1	2 n 通道（双）				20V	1a		100mohm @ 500mA，4.5V	1.2V @ 1mA	2.4NC @ 4.5V		220pf @ 10V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4522）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²