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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 电压 -故障( v br(br)GSS) | 电流 -idss) @ vds(vgs = 0) | 电压 -截止( -vgs Off) @ ID | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 电阻-RDS((在) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | (ID) - 最大 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CP232V-2N4416A-WN | - | ![]() | 4449 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CP232 | SOT-23 | - | 到达不受影响 | 1514-CP232V-2N4416A-WN | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | n通道 | 35 v | 4.5pf @ 15V | 35 v | 5 ma @ 15 V | 2.5 V @ 1 na | 5 ma | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP232V-2N5486-CT | - | ![]() | 6297 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | CP232 | - | 到达不受影响 | 1514-CP232V-2N5486-CT | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP216-2N4392-CT | - | ![]() | 3201 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP216-2N4392-CT | 过时的 | 400 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP216-2N4393-WN | - | ![]() | 8416 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP216-2N4393-WN | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 5 ma @ 20 V | 500 mv @ 1 na | 100欧姆 | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP216-2N4392-CM | - | ![]() | 1359 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP216-2N4392-CM | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP216-2N4856-CT | - | ![]() | 4211 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP216-2N4856-CT | 0000.00.0000 | 400 | n通道 | 40 V | 18pf @ 10V | 40 V | 50 mA @ 15 V | 4 V @ 0.5 NA | 25欧姆 | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP206-2N4392-WN | - | ![]() | 1036 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP206-2N4392-WN | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP373-CMPDM303-CT20 | - | ![]() | 7197 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | - | - | - | - | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP788X-BC556B-CT | - | ![]() | 7981 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | - | 表面安装 | 死 | CP788 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP788X-BC556B-CT | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP588-2N2605-CT | - | ![]() | 7688 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | 400兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP588-2N2605-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 1 | 45 v | 30 ma | - | 500MV @ 500µA,10mA | 100 @ 10µA,5V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5457 | - | ![]() | 8183 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 310 MW | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2N5457锡/铅 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | n通道 | 25 v | 7pf @ 15V | 25 v | 1 mA @ 15 V | 500 mv @ 10 na | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5460 | 0.4410 | ![]() | 6024 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 310 MW | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | P通道 | 7pf @ 15V | 40 V | 1 mA @ 15 V | 750 mv @ 1 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBRHDSH1-100 TR13 PBFRE | 0.2295 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | CBRHDSH1 | 肖特基 | 4-HD蘸酱 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 750 MV @ 1 A | 10 µA @ 100 V | 1 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBRHDSH2-100 TR13 PBFRE | 0.9800 | ![]() | 103 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -50°C〜125°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | CBRHDSH2 | 肖特基 | 4-HD蘸酱 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 840 mv @ 2 a | 4 µA @ 100 V | 2 a | 单相 | 100 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMOZ6L8 TR PBFRE | 0.5800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | CMOZ6 | 250兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 3.5 V | 6.8 v | 200欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPD4448 TR PBFRE | 0.4100 | ![]() | 37 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD4448 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | -65°C〜150°C | 250mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBRDFA4-100 TR13 PBFRE | 0.8700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -55°C〜175°C(TJ) | 表面安装 | 4-DLFN | CBRDFA4 | 标准 | 4-DFN-A(10.5x8.1) | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 1 V @ 4 A | 5 µA @ 1000 V | 4 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-CEN1359-CM | - | ![]() | 4759 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | (1 (无限) | 1514-CP647-CEN1359-CM | 过时的 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 1000 @ 20a,5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-HPMD19K100-CM | - | ![]() | 9856 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | (1 (无限) | 1514-CP647-HPMD19K100-CM | 过时的 | 1 | 120 v | 30 a | 1ma | pnp-达灵顿 | 4V @ 300mA,30a | 1000 @ 20a,5v | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP206-2N4393-CM | - | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜175°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 1.8 w | 死 | 下载 | (1 (无限) | 1514-CP206-2N4393-CM | 过时的 | 1 | n通道 | 400 mv | 14pf @ 20V | 40 V | 5 ma @ 20 V | 500 mv @ 1 na | 100欧姆 | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CET3904EVL TR | - | ![]() | 1214 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | 250兆 | SOT-883VL | - | (1 (无限) | 1514-CET3904EVLTR | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 40 V | 200 ma | - | NPN | 200mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM8001VL BK | - | ![]() | 2551 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883VL | 下载 | (1 (无限) | 1514-CEDM8001VLBK | Ear99 | 8541.21.0095 | 1 | P通道 | 20 v | 200ma(ta) | 1.5V,4V | 8ohm @ 10mA,4V | 1.1V @ 250µA | 0.658 NC @ 4.5 V | 10V | 45 pf @ 3 V | - | 100mW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP216-2N4392-CT20 | - | ![]() | 1546年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 350兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP216-2N4392-CT20 | 过时的 | 20 | n通道 | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 ma @ 20 V | 2 V @ 1 na | 60欧姆 | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3646 TRE TIN/LEAD | - | ![]() | 3327 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 1514-PN3646TRETIN/LEADTR | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1-D060S | 0.8800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CBR1 | 管子 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 4-SMD,鸥翼 | 标准 | 4-smdip | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CBR1-D060S | Ear99 | 8541.10.0080 | 50 | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | 1 a | 单相 | 600 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP246-PN3646-WN | - | ![]() | 6375 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | (1 (无限) | 1514-CP246-PN3646-WN | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP372-CT | - | ![]() | 2043 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 过时的 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP372-CT | 过时的 | 340 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1-100锡/铅 | 1.4800 | ![]() | 218 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CBR1 | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | 4圆,一个情况 | 标准 | 案件 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 1000 V | 1.5 a | 单相 | 1 kV | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5559B BK锡/铅 | 0.4200 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | T-18,轴向 | 5 w | AX-5W | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 1 A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ28X-1N4109-CT | - | ![]() | 3557 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 250兆 | 死 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CPZ28X-1N4109-CT | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 50 NA @ 11.4 V | 15 v | 100欧姆 |
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