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离散半导体产品（（4522）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	电压 -输出	fet	电压	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	电阻-RDS（（在）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	（ID） - 最大	电压 -偏移（ vt）	电流 -阳极泄漏的门（ -igao）	电流-iv（iv）	电流 -峰值	电压 -阳极 -阴极（ -vak）（vak）（最大）	（（（）	电压 -限制（最大）
CMOZ3V9 TR PBFRE	0.5800	RFQ	1000	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		表面安装	SC-79，SOD-523	CMOZ3		300兆	SOD-523	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		2 µA @ 1 V												3.9 v	90欧姆
2N2639	-	RFQ	4564	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-		通过洞	TO-78-6金属罐	2N263		600MW	TO-78-6	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																							45V	30mA						-				2 NPN （双）	-	50 @ 10µA，5V	40MHz
cmdz3v0 tr pbfree	0.7000	RFQ	2	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜175°C		表面安装	SC-76，SOD-323	CMDZ3		250兆	SOD-323	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		5 µA @ 1 V												3 V	95欧姆
CMLDM7585 TR PBFRE	0.6600	RFQ	103	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	SOT-563，SOT-666	CMLDM7585	MOSFET （金属 o化物）	350MW	SOT-563	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道					20V	650mA		230MOHM @ 600mA，4.5V	1.1V @ 250µA	1.58nc @ 4.5V		100pf @ 16V	逻辑级别门
1N4614 bk pbfree	0.2190	RFQ	9557	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			250兆	do-35	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1 V @ 200 MA		7.5 µA @ 1 V												1.8 v	1200欧姆
CDM22011-600LRFP SL	2.3400	RFQ	580	中央半导体公司	-	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3完整包	CDM22011	MOSFET （金属 o化物）		TO-220FP	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				n通道		600 v	11A（TC）	10V	360MOHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	23.05 NC @ 10 V	30V	763 PF @ 100 V	-	25W（TC）
cmj2000 tr pbfree	6.2800	RFQ	1	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	硅场效应	表面安装	SOD-123F	CMJ2000		500MW	SOD-123FL	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000																																											100V	2.32mA	2.3V
CP327V-MPSA27-WN	-	RFQ	5273	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	死	cp327			死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP327V-MPSA27-WN	Ear99	8541.21.0040	1																							60 V	500 MA						500NA				npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
1N753A bk pbfree	0.0878	RFQ	1829年	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V												6.2 v	7欧姆
CP327V-2N5308-CT	-	RFQ	5152	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	死				死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP327V-2N5308-CT	Ear99	8541.21.0040	400																							40 V	300 MA						100NA（ICBO）				npn-达灵顿	1.4V @ 200µA，200mA	7000 @ 2mA，5V	60MHz
1N5272B AP	-	RFQ	9390	中央半导体公司	-	（TB）	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载		（1 （无限）		1N5272BAP	Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.1 V @ 200 ma		100 na @ 84 V												110 v	750欧姆
1N4385 bk pbfree	-	RFQ	3480	中央半导体公司	-	大部分	过时的				通过洞	do-204al，do-41，轴向		标准		do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）		1514-1N4385BKPBFRE	Ear99	8541.10.0080	50		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														600 v	1.1 V @ 1 A	10 µs	10 µA @ 600 V	-65°C 〜200°C	1a	-
CBCP68 TR PBFRE	0.9700	RFQ	1	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	TO-261-4，TO-261AA	CBCP68		2 w	SOT-223	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	1,000																							20 v	1 a						10µA（ICBO）				NPN	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	65MHz
CWDM3011P TR13 PBFRE	0.9300	RFQ	6	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	CWDM3011	MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500				P通道		30 V	11a（11a）	4.5V，10V	20mohm @ 11a，10v	3V @ 250µA	80 NC @ 10 V	20V	3100 pf @ 8 V	-	2.5W（TA）
CMPP6027R TR	-	RFQ	2536	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的					TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					下载		（1 （无限）		CMPP6027RTR	Ear99	8541.21.0095	3,000			6V		40V										167兆																								1.6 v	10 na	50 µA	2 µA
CLL5233B BK TIN/LEAD	0.3800	RFQ	2	中央半导体公司	-	盒子	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）		表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	4,000																	1.25 V @ 200 ma		5 µA @ 3.5 V												6 V	7欧姆
CTLM7110-M832D BK	-	RFQ	7515	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	8-tdfn暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		TLM832D	下载				1514-CTLM7110-M832DBK	Ear99	8541.29.0095	1				n通道		20 v	1A（1A）	1.5V，4.5V	250MOHM @ 100mA，1.5V	1.2V @ 1mA	2.4 NC @ 4.5 V	8V	220 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.65W（TA）
CP388X-BC546B-CT	-	RFQ	3885	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	死	cp388		500兆	死	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP388X-BC546B-CT	Ear99	8541.21.0095	400																							65 v	100 ma						15NA（icbo）					600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5V
CP210-2N4416A-WN	-	RFQ	3600	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）		表面安装	死				死	-				1514-CP210-2N4416A-WN	过时的		72,000				n通道		35 v							4pf @ 15V														35 v	5 ma @ 20 V	2.5 V @ 1 na									15 ma
2N2218 PBFRE	1.2173	RFQ	9757	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	到205AD，TO-39-3			3 W	到39	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0075	500																							30 V	800 MA						10NA（ICBO）				NPN	1V @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，10v	250MHz
1N4476 TR PBFRE	0.3465	RFQ	8816	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																			50 NA @ 24 V												30 V	20欧姆
CMHZ5260B TR PBFRE	0.3600	RFQ	4	中央半导体公司	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	±5％	-65°C〜150°C		表面安装	SOD-123	CMHZ5260		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																	900 mv @ 10 ma		100 na @ 33 V												43 V	93欧姆
1N5949B bk	-	RFQ	4194	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,000																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 76 V												100 v	250欧姆
CP216-2N4856-CM	-	RFQ	1149	中央半导体公司	-	托盘	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）		表面安装	死				死	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	1514-CP216-2N4856-CM		0000.00.0000	400				n通道		40 V							18pf @ 10V														40 V	50 mA @ 15 V	4 V @ 0.5 NA				25欧姆					50 mA
CBR25-020p	-	RFQ	2191	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）		QC终端	4平方英尺，fp		标准		4 fp	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	100																	1.2 V @ 12.5 A		10 µA @ 200 V		25 a				单相	200 v
2N4393 PBFRE	3.0500	RFQ	3	中央半导体公司	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）		通过洞	TO-206AA，TO-18-3			1.8 w	TO-18	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,000				n通道									14pf @ 20V														40 V	5 ma @ 20 V	500 mv @ 1 na				100欧姆
1N4471 bk pbfree	0.4815	RFQ	3835	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,000																			50 NA @ 14.4 V												18 V	11欧姆
1N5244B bk pbfree	0.0353	RFQ	2082	中央半导体公司	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C		通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.1 V @ 200 ma		100 na @ 10 V												14 V	15欧姆
PN4302	-	RFQ	2745	中央半导体公司	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载		供应商不确定		PN4302CS	Ear99	8541.21.0095	2,500				n通道									-														30 V	500 µA @ 15 V	4 V @ 1 na
1N5926B bk pbfree	-	RFQ	7871	中央半导体公司	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）		通过洞	do-204al，do-41，轴向			1.5 w	do-41	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,000																	1.5 V @ 200 ma		1 µA @ 8.4 V												11 V	6欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（4522）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²