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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | (ih)(IH)) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 1N4618 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 6770 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 1 µA @ 1 V | 2.7 v | 1500欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP788X-BC556B-WN | - | ![]() | 6343 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 表面安装 | 死 | CP788 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP788X-BC556B-WN | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLM7410-M832D TR | - | ![]() | 7795 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLM7410 | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLM7410-M832DTR | Ear99 | 8541.29.0075 | 1 | 25V | 1a | 100NA(ICBO) | 2 PNP (双) | 450mv @ 100mA,1a | 100 @ 500mA,1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmush2-4a tr pbfree | - | ![]() | 7368 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CMUSH2-4 | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | cmush2 | 肖特基 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 40 V | 200mA | 750 mv @ 100 ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5366 PBFRE | 0.3795 | ![]() | 5054 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | 到92 | - | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 40 V | 300 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 1V @ 30mA,300mA | 100 @ 50mA,1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP547-PMD19K100-CT | - | ![]() | 2416 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP547 | 托盘 | 过时的 | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 49 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5920B bk pbfree | - | ![]() | 1929年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ218-45D | - | ![]() | 7598 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-218-3 | TO-218 | - | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 单身的 | 80 ma | 标准 | 400 v | 45 a | 1.5 v | 300A @ 100Hz | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5240B TR | - | ![]() | 8620 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 8 V | 10 v | 17欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPZ5247B bk pbfree | 0.0718 | ![]() | 3682 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPZ5247 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,500 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMJ1000 TR | - | ![]() | 1782年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ1000 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMJ1000TR | Ear99 | 8542.39.0001 | 1 | 100V | 1.32mA | 1.7V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5264B tr锡/铅 | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 V @ 200 ma | 100 NA @ 46 V | 60 V | 170欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CN645 bk | - | ![]() | 6964 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | (1 (无限) | CN645BK | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 225 v | 1 V @ 400 MA | 200 NA @ 225 V | -65°C〜150°C | 400mA | 11pf @ 12V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHz4709 bk | - | ![]() | 9350 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMHZ4709BK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 na @ 18.2 V | 24 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cxta27 tr pbfree | 0.8900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | CXTA27 | 1.2 w | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 60 V | 500 MA | 500NA | npn-达灵顿 | 1.5V @ 100µA,100mA | 10000 @ 100mA,5V | 125MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP42 PBFRE | 0.6296 | ![]() | 6154 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | 提示42 | 65 w | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 40 V | 6 a | 400µA | PNP | 1.5V @ 600mA,6a | 30 @ 300mA,4V | 3MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPD2003 TR PBFRE | 0.4800 | ![]() | 36 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD2003 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1.25 V @ 200 ma | 50 ns | 100 na @ 200 V | -65°C〜150°C | 200mA | 5pf @ 0v,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLDM5757 TR PBFRE | 0.6300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLDM5757 | MOSFET (金属 o化物) | 350MW | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 430mA | 900MOHM @ 430mA,4.5V | 1V @ 250µA | 1.2nc @ 4.5V | 175pf @ 16V | 逻辑级别门 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP588-HBC556B-CM | - | ![]() | 3503 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CP588 | 托盘 | 过时的 | - | 表面安装 | 死 | 死 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-CP588-HBC556B-CM | 过时的 | 1 | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5913B bk | - | ![]() | 4883 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 1.5 V @ 200 ma | 100 µA @ 1 V | 3.3 v | 10欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N6730应用锡/铅 | 1.5200 | ![]() | 4528 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (CT) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-237AA | 1 w | TO-237 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 100 v | 2 a | 100NA(ICBO) | PNP | 500mv @ 10mA,250mA | 80 @ 50mA,1V | 500MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4685 TR PBFRE | 0.2190 | ![]() | 4447 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 ma | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5990B bk pbfree | 0.0494 | ![]() | 2775 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 100 ma | 10 µA @ 1 V | 3.9 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ220-6B | - | ![]() | 1170 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜110°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 15 ma | 内部触发 | 200 v | 6 a | 1.5 v | - | 5 ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDSH05-45 TR PBFRE | 0.4400 | ![]() | 60 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDSH05 | 肖特基 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 45 v | 470 mv @ 500 mA | 100 µA @ 30 V | -65°C〜150°C | 500mA | 50pf @ 1V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N967B TR PBFRE | 0.0734 | ![]() | 6828 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 13.7 V | 18 V | 21欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4759a bk | - | ![]() | 7432 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1 w | 梅尔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 47.1 V | 62 v | 125欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N708 PBFRE | 6.7400 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | - | 通过洞 | TO-206AA,TO-18-3 | TO-18 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 15 v | 25µA(ICBO) | NPN | - | 30 @ 10mA,1V | 400MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CN649 bk | - | ![]() | 2658 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 2,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 400 MA | 200 NA @ 600 V | -65°C〜150°C | 400mA | 11pf @ 12V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CQ202-4BS-LF02 | - | ![]() | 4115 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | to-202长标签 | 到202 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 500 | 单身的 | 5 ma | 内部触发 | 200 v | 4 a | 1.75 v | 40a,35a | 9 ma |
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