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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | CMHz4689 bk锡/铅 | - | ![]() | 8594 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMHZ4689BKTIN/铅 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5259B TR | - | ![]() | 3233 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 30 V | 39 v | 80欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4625 bk pbfree | 0.4320 | ![]() | 9856 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 10 µA @ 3 V | 5.1 v | 1500欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4264 PBFRE | 0.2805 | ![]() | 1221 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 15 v | 200 ma | - | NPN | 350mv @ 10mA,100mA | 40 @ 30mA,1V | 350MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZT5401E TR | - | ![]() | 4014 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-261-4,TO-261AA | 2 w | SOT-223 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 220 v | 600 MA | 50NA | PNP | 500mv @ 5mA,50mA | 60 @ 10mA,5V | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C5V1 TR PBFRE | 0.5000 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 2 µA @ 2 V | 5.1 v | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5337B Tr | - | ![]() | 4958 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | (1 (无限) | CZ5337BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,400 | 1.2 V @ 1 A | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 2欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH01-30 TR PBFRE | 0.4800 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | 0201(0603公制) | CTLSH01 | 肖特基 | TLM2D3D6 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 30 V | 460 mv @ 10 mA | 300 na @ 10 V | -65°C〜125°C | 100mA | 7pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ5928B TR13 PBFRE | 0.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMZ5928 | 500兆 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 9.9 V | 13 V | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ5242B TR PBFRE | 0.7500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | 150°C | 表面安装 | SOD-123 | CMHZ5242 | 500兆 | SOD-123 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4033 W/GOLD | - | ![]() | 3647 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 到39 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | pn2906a tre pbfree | - | ![]() | 9293 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA) | 625兆 | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-PN2906ATREPBFREETR | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 60 V | 600 MA | 50NA | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 40 @ 500mA,10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ218I-25D | - | ![]() | 4507 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-218-3 | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 1 | 单身的 | 80 ma | 标准 | 400 v | 25 a | 1.5 v | 250a @ 100Hz | 50 mA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT5401E BK | - | ![]() | 5353 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 220 v | 600 MA | 50NA | PNP | 150mv @ 5mA,50mA | 100 @ 10mA,5v | 300MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5376B Tr | - | ![]() | 8032 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-201aa,do-27,轴向 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | (1 (无限) | CZ5376BTR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,400 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 66 V | 87 v | 75欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4701 TR PBFRE | 0.2190 | ![]() | 4351 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 ma | 50 NA @ 10.6 V | 14 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5234b Tr | - | ![]() | 3388 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5250B TR | - | ![]() | 7055 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mpsa56 pbfree | 0.5100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | MPSA56 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 80 V | 500 MA | 100NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 10mA,100mA | 100 @ 100mA,1V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSSH-3S tr pbfree | 0.6600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMSSH | 肖特基 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对系列连接 | 30 V | 100mA(dc) | 1 V @ 100 ma | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP140 | - | ![]() | 8166 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-218-3 | 125 w | TO-218 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | TIP140CS | Ear99 | 8541.29.0095 | 400 | 60 V | 10 a | - | NPN | - | 1000 @ 5A,4V | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2n3866a锡/铅 | - | ![]() | 9675 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 5W | 到39 | - | 1514-2N3866ATIN/LEAD | 过时的 | 500 | 10dB | 30V | 400mA | NPN | 25 @ 50mA,5V | 800MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BZX84C3V9 TR PBFRE | 0.5000 | ![]() | 674 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | BZX84 | 350兆 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 1 V | 3.9 v | 90欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N746A bk pbfree | 0.4000 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP802-CWDM3011P-WN | - | ![]() | 1231 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | CP802 | MOSFET (金属 o化物) | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP802-CWDM3011P-WN | Ear99 | 8541.29.0040 | 8,000 | P通道 | 30 V | 11a(11a) | 4.5V,10V | 13mohm @ 1a,10v | 3V @ 250µA | 80 NC @ 10 V | ±20V | 3100 pf @ 8 V | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ58X-CMPZ5235B-CT | - | ![]() | 3843 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | - | 1514-CPZ58X-CMPZ5235B-CT | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 900 mv @ 10 ma | 3 µA @ 5 V | 6.8 v | 5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5194 | - | ![]() | 6975 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-225AA,TO-126-3 | 40 W | TO-126 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 2N5194C | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | 60 V | 4 a | 1ma | PNP | 1.4V @ 1A,4A | 25 @ 1.5A,2V | 2MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cllr1-06 tr | - | ![]() | 8763 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | 标准 | 梅尔 | - | 1514-CLLR1-06TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 1 A | 10 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5943B tr pbfree | - | ![]() | 8858 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 42.6 V | 56 v | 86欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | bc856bt tr pbfree | 0.4300 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-89,SOT-490 | BC856 | 250兆 | SOT-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 65 v | 100 ma | 15NA(icbo) | PNP | 400mv @ 5mA,100mA | 220 @ 2mA,5V | 100MHz |
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