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参考图片 | 产品编号 | 定价(美元) | 数量 | ECAD | 可用数量 | 重量(kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 - 最大 | 供应商设备包 | 数据表 | ROHS状态 | 水分灵敏度水平(MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 速度 | 电流 - 保持(ih)(最大) | 获得 | 电压 - 偏离状态 | 电流 - 在状态(IT(RMS))(最大) | 电压 - 栅极触发(VGT)(最大) | 当前-NonRep。Suger50,60Hz(ITSM) | 电流 - 门触发器(IGT)(最大) | 电压 - 状态(VTM)(最大) | 当前 - 关闭状态(最大) | SCR类型 | 电压-DC反向(VR)(最大) | 电压 - 向前(vf)(max) @如果 | 反向恢复T(TRR) | 电流 - 反向泄漏 @ vr | 工作温度 - 交界处 | 电流 - 平均纠正(IO) | 电容 @ vr,f | 电压 - 收集器发射器故障(最大) | 电流 - 收集器(IC)(最大) | 当前 - 收集器截止(最大) | 电压-Zener(nom)(VZ) | 阻抗(最大)(ZZT) | 晶体管类型 | VCE饱和度(Max) @ IB,IC | 直流电流增益(HFE)(min) @ ic,vce | 频率 - 过渡 | 噪声图(db typ @ f) |
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![]() | CPR5U-040 bk | - | ![]() | 9978 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | CPR5U | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200mA(IO) | 400 v | 1.25 V @ 10 mA | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 3a | 100pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
1N5061 TR PBFRE | 1.2600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴(TR) | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 标准 | GPR-1A | 下载 | ROHS3符合条件 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 4,500 | 标准恢复> 500NS,> 200mA(IO) | 600 v | 1.2 V @ 1 A | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5359B tr pbfree | 1.0000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴(TR) | 积极的 | ±5% | -65°C〜200°C | 通过洞 | DO-201AA,DO-27,轴向 | CZ5359 | 5 w | DO-201-201 | 下载 | ROHS3符合条件 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 1,400 | 1.2 V @ 1 A | 500 na @ 18.2 V | 24 V | 3.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4469 bk pbfree | 0.4815 | ![]() | 2125 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AL,DO-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | ROHS3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 50 na @ 12 V | 15 v | 9欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4006 tr | - | ![]() | 7018 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴(TR) | 过时的 | 通过洞 | DO-204AL,DO-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 标准恢复> 500NS,> 200mA(IO) | 800 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 800 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4705 Tr | - | ![]() | 2446 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴(TR) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOD-123 | 500兆W | SOD-123 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMHZ4705TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 50 NA @ 13.6 V | 18 V | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5624 bk | - | ![]() | 8149 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5624 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500NS,> 200mA(IO) | 200 v | 1 V @ 3 A | 5 µA @ 200 V | -65°C〜200°C | 5a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP591X-2N2907A-CT20 | 150.5200 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | ROHS3符合条件 | 1(无限) | 到达不受影响 | CP591X-2N2907A-CT20 PBFREE | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 60 V | 600 MA | 10NA(ICBO) | PNP | 1.6V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10v | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n691a | - | ![]() | 1173 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C | 底盘,螺柱坐骑 | TO-208AA,TO-48-3,螺柱 | TO-48 | 下载 | Rohs不合规 | 1(无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 100 | 50 mA | 700 v | 25 a | 2 v | 200a @ 60Hz | 40 MA | 2 v | 4.5 ma | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4734a bk | - | ![]() | 9938 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C〜200°C | 表面安装 | Do-213ab,Melf | 1 w | 梅尔 | 下载 | 请求库存验证 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 v | 5欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N692 | - | ![]() | 1983 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C | 底盘,螺柱坐骑 | TO-208AA,TO-48-3,螺柱 | TO-48 | 下载 | Rohs不合规 | 1(无限) | 到达不受影响 | 2n692cs | 过时的 | 0000.00.0000 | 100 | 100 ma | 800 v | 25 a | 2 v | 200a @ 60Hz | 40 MA | 2 v | 4 mA | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N915 PBFRE | - | ![]() | 1151 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | to-206aa,to-18-3金属可以 | 2N915 | TO-18 | 下载 | ROHS3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,000 | - | NPN | - | 50 @ 10mA,10V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CllRH-04 Tr | - | ![]() | 5164 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴(TR) | 过时的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你Melf,Sod-80 | 标准 | SOD-80 | 下载 | 请求库存验证 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 标准恢复> 500NS,> 200mA(IO) | 400 v | 1.1 V @ 500 mA | 200 NA @ 400 V | -65°C〜175°C | 500mA | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5622 Tr | - | ![]() | 1837年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和盒子(TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5622 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500NS,> 200mA(IO) | 1000 v | 1.2 V @ 10 mA | 2 µs | 500 NA @ 1000 V | -65°C〜200°C | 1a | 35pf @ 12V,130kHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS220-16M | - | ![]() | 5104 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 400 | 20 ma | 600 v | 16 a | 1.5 v | - | 15 ma | 1.6 v | 标准恢复 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5257B TR PBFRE | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴(TR) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ5257 | 250兆W | SOD-323 | 下载 | ROHS3符合条件 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 25 V | 33 V | 58欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLT3906E TR | 0.5000 | ![]() | 225 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴(TR) | 过时的 | -65°C〜150°C(TJ) | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLT3906 | 150MW | SOT-563 | 下载 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 3,000 | 40V | 200mA | - | 2 PNP(双) | 200mv @ 5mA,50mA | 150 @ 10mA,1V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N960B bk pbfree | 0.0734 | ![]() | 3598 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆W | do-35 | 下载 | ROHS3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 200 ma | 25 µA @ 6.9 V | 9.1 v | 7.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
2N3807 | - | ![]() | 5140 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N380 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50mA | - | 2 PNP(双) | - | 300 @ 1MA,5V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4619 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 1853年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆W | do-35 | 下载 | ROHS3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1 V @ 200 MA | 800 na @ 1 V | 3 V | 1600欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N2857 PBFRE | 6.9900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C〜200°C(TJ) | 通过洞 | to-206af,to-72-4金属可以 | 200MW | 到72 | 下载 | ROHS3符合条件 | 1(无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,000 | - | 15V | 40mA | NPN | 30 @ 3mA,1V | 1.9GHz | 4.5dB @ 450MHz | ||||||||||||||||||||||||||
1N4753A bk pbfree | 0.0522 | ![]() | 1365 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AL,DO-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | ROHS3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50欧姆 |
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