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| 参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 电流 - 保持 (Ih)(最大) | 电压 - 关闭状态 | 电流 - 通态 (It (RMS))(峰值) | 电压-感应触发(Vgt)(最大) | 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 电流-感应触发(Igt)(最大) | 电压 - 导通状态 (Vtm)(顶部) | 可控硅类型 | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 电极电极电流(最大) | 电压 - 齐纳分化(标称)(Vz) | 阻抗(最大)(Zzt) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N3053A PBFREE | 5.0933 | ![]() | 8275 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-205AD、TO-39-3金属罐 | 5W | TO-39 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 500 | 60V | 700毫安 | - | NPN | 300毫伏@15毫安,150毫安 | 50@150mA,10V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CP327V-MPSA13-WN | - | ![]() | 8515 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 死 | CP327 | 死 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1514-CP327V-MPSA13-WN | EAR99 | 8541.21.0040 | 1 | 30V | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN-达林顿 | 1.5V@100μA,100mA | 10000@100mA,5V | 125兆赫 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3585 无PB | 12.4700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-213AA、TO-66-2 | 35W | TO-66 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | 300伏 | 2A | 5毫安 | NPN | 750mV@125mA,1A | 25@1A,10V | 10兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CMUD7000 黑色 | - | ![]() | 5982 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 条 | 过时的 | 表面贴装 | SC-89、SOT-490 | 标准 | SOT-523 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | 1514-CMUD7000BK | 过时的 | 100 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 1对中央 | 100伏 | 200毫安 | 1.1V@100mA | 4纳秒 | 100V时为500nA | -65℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3640 | - | ![]() | 7903 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通孔 | TO-106-3 圆顶 | TO-106 | - | 1(无限制) | REACH 不出行 | 过时的 | 0000.00.0000 | 2,500人 | 12V | 10nA(ICBO) | 国民党 | - | 30@10毫安,300毫伏 | 500兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP31A PBFREE | 0.6296 | ![]() | 5729 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 最后一次购买 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 提示31 | 40W | TO-220-3 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 60V | 3A | 300微安 | NPN | 1.2V@375mA,3A | 25@1A,4V | 3兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1041模组 | - | ![]() | 7287 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 管子 | 过时的 | - | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 1514-CEN1041MOD | 过时的 | 30 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N3810A | - | ![]() | 8061 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-78-6 金属罐 | 2N3810 | 600毫W | TO-78-6 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 50毫安 | 10nA(ICBO) | 2 PNP(双) | 250mV@1mA,100μA | 150@1mA,5V | 100兆赫兹 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5930C 黑色 | - | ![]() | 4576 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±2% | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1.5W | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | 1514-1N5930CBK | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5V@200mA | 1μA@12.2V | 16V | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPD1001A TR PBFREE | 0.5500 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | CMPD1001 | 标准 | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共阳极 | 90V | 250毫安(直流) | 1V@200mA | 50纳秒 | 90V时为100nA | -65℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN853 | - | ![]() | 3976 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | REACH 不出行 | 1514-CEN853 | 过时的 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 2N2920A | - | ![]() | 6434 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-78-6 金属罐 | 2N2920 | 1.5W | TO-78-6 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 60V | 30毫安 | 2nA | 2 NPN(双) | 350mV@100μA,1mA | 300@1mA,5V | 60兆赫 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ18-CMPZ5234B-CT | - | ![]() | 6269 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | 死 | 350毫W | 死 | - | REACH 不出行 | 1514-CPZ18-CMPZ5234B-CT | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 900毫伏@10毫安 | 4V时为5μA | 6.2V | 7欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSZ5249B TR 锡/铅 | 0.0569 | ![]() | 2969 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | CMSZ5249 | 275毫W | SOT-323 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 100nA@14V | 19伏 | 23欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH05-40M621 TR | - | ![]() | 4766 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | 6-PowerVFDFN | 肖特基 | TLM621 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 40V | 470 毫伏 @ 500 毫安 | 30V时为100μA | -65℃~150℃ | 500毫安 | 50pF@1V、1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS220-16D | - | ![]() | 2853 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~125℃ | 通孔 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.30.0080 | 400 | 20毫安 | 400V | 16A | 1.5V | - | 15毫安 | 1.6V | 标准回报率 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLSH-4TR | - | ![]() | 5837 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 过时的 | 表面贴装 | SOT-563、SOT-666 | 肖特基 | SOT-563 | 下载 | 1(无限制) | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 2 独立 | 40V | 200毫安(直流) | 330毫伏@2毫安 | 5纳秒 | 500nA@25V | -65℃~150℃ | |||||||||||||||||||||||||||
| 1N5929B 黑色 PBFREE | - | ![]() | 8778 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | DO-204AL、DO-41、矫正 | 1.5W | DO-41 | 下载 | 符合ROHS3标准 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5V@200mA | 1μA@11.4V | 15V | 9欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5226B BK PBFREE | 0.0945 | ![]() | 2915 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | CMDZ5226 | 250毫W | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900毫伏@10毫安 | 1V时为25μA | 3.3V | 28欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
| CS202-4D-2 | - | ![]() | 2801 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40℃~125℃ | 通孔 | TO-202 长翼片 | TO-202 | 下载 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.30.0080 | 750 | 2毫安 | 400V | 4A | 800毫伏 | - | 200微安 | 1.8V | 标准回报率 | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5229B TR PBFREE | 0.3600 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | SC-76、SOD-323 | CMDZ5229 | 250毫W | SOD-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 1V时为5μA | 4.3V | 22欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | BCY59-VII PBFREE | 1.0545 | ![]() | 8553 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-206AA、TO-18-3金属罐 | BCY59 | 1W | TO-18 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 不适用 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 45V | 100毫安 | 10nA(ICBO) | NPN | 700毫伏@2.5毫安、100毫安 | 120@2mA,5V | 150兆赫 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4410 锡/铅 | - | ![]() | 4806 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) | 625毫W | TO-92-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.21.0075 | 2,500人 | 80V | 250毫安 | 10nA(ICBO) | NPN | 200mV@100μA,1mA | 60@10mA,1V | 300兆赫 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | CPS053-2N5060-CT | - | ![]() | 5712 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 的积极 | 表面贴装 | 死 | 死 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.30.0080 | 400 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPSH-3AE TR PBFREE | 0.5600 | ![]() | 32 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | 表面贴装 | TO-236-3、SC-59、SOT-23-3 | CMPSH-3 | 肖特基 | SOT-23 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号=< 200mA (Io),任意速度 | 1对共阳极 | 40V | 200毫安 | 1V@200mA | 5纳秒 | 500nA@25V | -65℃~150℃ | ||||||||||||||||||||||||
| 2N3440 无PB | 2.4800 | ![]() | 39 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-205AD、TO-39-3金属罐 | TO-39 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | 250伏 | 20μA(ICBO) | NPN | - | 40@20mA,10V | 15兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5252B 黑色 PBFREE | 0.0353 | ![]() | 3058 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 的积极 | ±5% | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | DO-204AH、DO-35、宗教 | 500毫W | DO-35 | 下载 | 符合ROHS3标准 | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 2,500人 | 1.1V@200mA | 100nA@18V | 24V | 33欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSZ5245B TR PBFREE | 0.0494 | ![]() | 3014 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~150℃ | 表面贴装 | SC-70、SOT-323 | CMSZ5245 | 275毫W | SOT-323 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900毫伏@10毫安 | 11V时为100nA | 15V | 16欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CXTA42 TR PBFREE | 1.4600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-243AA | CXTA42 | 1.2W | SOT-89 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 1,000 | 300伏 | 500毫安 | 100nA(ICBO) | NPN | 500mV@2mA、20mA | 40@30mA,10V | 50兆赫 | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5364B TR PBFREE | 1.0300 | ![]() | 9 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 卷带式 (TR) | 的积极 | ±5% | -65℃~200℃ | 通孔 | DO-201AA、DO-27、矫正 | CZ5364 | 5W | DO-201 | 下载 | 符合ROHS3标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 8541.10.0050 | 1,400 | 1.2V@1A | 25.1V时为500nA | 33V | 10欧姆 |

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