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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | triac类型 | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | 当前 -关闭状态(最大) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 二极管类型 | 电压 -峰值反向(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 电压 -阳极 -阴极( -vak)(vak)(最大) | ((() | 电压 -限制(最大) |
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![]() | CSTB162 BK | - | ![]() | 1797年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | * | 大部分 | 过时的 | - | 1514-CSTB162BK | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPD2836E TR PBFRE | 0.4200 | ![]() | 265 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD2836 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 1对公共阳极 | 120 v | 200mA | 1 V @ 100 ma | 4 ns | 100 na @ 80 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5270B bk | - | ![]() | 9351 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 盒子 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 69 V | 91 v | 400欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL5234D BK | - | ![]() | 7777 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±1% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | - | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CBR25-040p | - | ![]() | 9910 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | QC终端 | 4平方英尺,fp | 标准 | 4 fp | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 100 | 1.2 V @ 12.5 A | 10 µA @ 400 V | 25 a | 单相 | 400 v | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1-10M TR13 | - | ![]() | 5313 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | 标准 | SMA | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMR1-10MTR13 | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1000 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 1000 V | -65°C〜150°C | 1a | 8pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMOZ15L TR PBFRE | 0.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | CMOZ15 | 250兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 11.5 V | 15 v | 100欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5256B tr pbfree | 0.4100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 ma | 100 na @ 23 V | 30 V | 49欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1F-06M BK PBFRE | 0.1181 | ![]() | 4219 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | do-214ac,SMA | CMR1F-06 | 标准 | SMA | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 800 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.3 V @ 1 A | 250 ns | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 1a | 15pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5242B BK | - | ![]() | 7822 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 9.1 V | 12 v | 30欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKTC825A BK | - | ![]() | 7054 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 325兆 | SOT-363 | 下载 | 到达不受影响 | 1514-CMKTC825ABK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.2 v | 20欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5258B bk | - | ![]() | 7335 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 70欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5232B BK | - | ![]() | 8662 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 3 V | 5.6 v | 11欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5623 TR | - | ![]() | 3402 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5623 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 1000 v | 1.2 V @ 10 mA | 500 ns | 500 NA @ 1000 V | -65°C 〜200°C | 1a | 18pf @ 5V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4757a bk | - | ![]() | 6042 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | do-213ab,Melf | 1 w | 梅尔 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 800 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 38.8 V | 51 v | 95欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM8001 TR PBFRE | 0.5600 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | CEDM8001 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | P通道 | 20 v | (100mA)(TA) | 1.5V,4V | 8ohm @ 10mA,4V | 1.1V @ 250µA | 0.66 NC @ 4.5 V | 10V | 45 pf @ 3 V | - | 100mW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMAD6001 TR PBFRE | 0.5000 | ![]() | 51 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOD-923 | CMAD6001 | 标准 | SOD-923 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 75 v | 1.1 V @ 100 mA | 3 µs | 500 PA @ 75 V | -65°C〜150°C | 250mA | 2pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n688a | - | ![]() | 6063 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C〜125°C | 底盘,螺柱坐骑 | TO-208AA,TO-48-3,螺柱 | TO-48 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 100 | 50 mA | 400 v | 25 a | 2 v | 200a @ 60Hz | 40 MA | 2 v | 8 ma | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5915B TR | - | ![]() | 4487 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 过时的 | 0000.00.0000 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.9 v | 7.5欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4741A TR PBFRE | 0.0522 | ![]() | 9931 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 8.4 V | 11 V | 8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CQ202-4N-2 | - | ![]() | 8780 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | to-202长标签 | 到202 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 750 | 单身的 | 25 ma | 内部触发 | 800 v | 4 a | 2.5 v | - | 50 mA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CQ220-16N | - | ![]() | 6136 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 1 | 单身的 | 25 ma | 内部触发 | 800 v | 16 a | 2.5 v | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS220-8B | - | ![]() | 2645 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 400 | 20 ma | 200 v | 8 a | 1.5 v | 60a @ 50Hz | 15 ma | 1.8 v | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4753A bk pbfree | 0.0522 | ![]() | 1365 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 27.4 V | 36 V | 50欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMJ0750 TR PBFRE | 3.4200 | ![]() | 4230 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 硅场效应 | 表面安装 | SOD-123F | CMJ0750 | 500MW | SOD-123FL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 100V | 920µA | 1.4V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMR3-06 TR13 PBFRE | 1.0300 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | CMR3-06 | 标准 | SMC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 600 v | 1.2 V @ 3 A | 5 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | mps650锡/铅 | 0.5100 | ![]() | 41 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 40 V | 2 a | 100NA(ICBO) | NPN | 500mv @ 200mA,2a | 75 @ 1A,2V | 75MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR5-040 bk | - | ![]() | 4392 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | CR5-010 | 盒子 | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | (1 (无限) | CR5-040BK | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 400 v | 1.2 V @ 5 A | 5 µA @ 400 V | -65°C〜150°C | 5a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmdz6l2 tr pbfree | 0.3600 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ6 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 1 µA @ 2 V | 6.2 v | 90欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4016 | - | ![]() | 1511 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 通过洞 | TO-78-6金属罐 | 2N401 | 600MW | TO-78-6 | 下载 | Rohs不合规 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 1 | 60V | 300mA | - | 2 PNP (双) | - | 135 @ 1mA,5V | 200MHz |
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