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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 |
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![]() | pn2222a pbfre | 0.4500 | ![]() | 19 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | PN2222 | 625兆 | TO-92-3 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,500 | 40 V | 800 MA | 10NA(ICBO) | NPN | 1V @ 50mA,500mA | 100 @ 150mA,10V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSH3-20 TR13 PBFRE | 0.6900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AB,SMC | CMSH3 | 肖特基 | SMC | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 500 mv @ 3 a | 500 µA @ 20 V | -65°C〜150°C | 3a | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4707 Tr | - | ![]() | 8354 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | 1514-CLL4707TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 na @ 15.2 V | 20 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5552 bk | - | ![]() | 2301 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-4,轴向 | 1N5552 | 标准 | GPR-4am | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1 V @ 10 mA | 2 µs | 1 µA @ 600 V | -65°C〜175°C | 3a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPD200-CEN1384B-CT | - | ![]() | 2809 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | - | 1514-CPD200-CEN1384B-CT | 过时的 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMOZ18V TR PBFRE | 0.5800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-79,SOD-523 | CMOZ18 | 300兆 | SOD-523 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 900 mv @ 10 ma | 50 NA @ 12.6 V | 18 V | 45欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4705 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 1749年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 1.5 V @ 100 ma | 50 NA @ 13.6 V | 18 V | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR3-120GPP Tr | - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 通过洞 | DO-201 AD,轴向 | 标准 | Do-201 AD | 下载 | (1 (无限) | CR3-120GPPTR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1200 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 1200 v | 1.2 V @ 3 A | 5 µA @ 1200 V | -65°C〜150°C | 3a | 30pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLT853-M833 BK | - | ![]() | 5417 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-vdfn暴露垫 | 2.5 w | TLM833 | 下载 | 1514-CTLT853-M833BK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 110 v | 6 a | 10NA | NPN | 340mv @ 500mA,5a | 100 @ 2a,2v | 190MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP336V-2N5551-CT | - | ![]() | 8540 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0040 | 1 | 160 v | 600 MA | 50NA(iCBO) | NPN | 200mv @ 5mA,50mA | 80 @ 10mA,5V | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
CMSH1-20 bk pbfree | 0.3344 | ![]() | 8263 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | CMSH1 | 肖特基 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 20 v | 550 mv @ 1 a | 500 µA @ 20 V | -65°C〜150°C | 1a | 68pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5247B TR | - | ![]() | 9588 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 13 V | 17 V | 19欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1n829a tr | - | ![]() | 9016 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | 1514-1N829ATR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.2 v | 10欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4002 bk | - | ![]() | 8518 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 标准 | do-41 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 2,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 100 v | 1.1 V @ 1 A | 5 µA @ 100 V | -65°C〜175°C | 1a | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5620 bk | - | ![]() | 9064 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | 1N5620 | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 800 v | 1.2 V @ 10 mA | 2 µs | 500 NA @ 800 V | -65°C 〜200°C | 1a | 35pf @ 12v,130kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH2-40M832 TR | - | ![]() | 3470 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | 肖特基 | TLM832 | 下载 | 1514-CTLSH2-40M832TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 500 mv @ 2 a | 200 µA @ 40 V | -65°C〜125°C | 2a | 70pf @ 10V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5340B bk | - | ![]() | 3776 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | T-18,轴向 | 5 w | AX-5W | 下载 | 1514-1N5340BBK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 1 µA @ 3 V | 6 V | 1欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4700 bk | - | ![]() | 6068 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | 1514-CLL4700BK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 50 NA @ 9.8 V | 13 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cllr1u-04 Tr | - | ![]() | 1036 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | do-213ab,Melf | 标准 | 梅尔 | 下载 | 1514-CLLR1U-04TR | Ear99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.25 V @ 1 A | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1a | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5250B bk | - | ![]() | 7669 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 200兆 | SOT-363 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 3独立 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPR1U-040 bk | - | ![]() | 4716 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | 通过洞 | R-1,轴向 | CPR1U | 标准 | GPR-1A | - | 到达不受影响 | 1 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 400 v | 1.6 V @ 1.5 A | 35 ns | 5 µA @ 400 V | -65°C〜175°C | 1.5a | 35pf @ 4V,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll5234b bk | - | ![]() | 1841年 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0050 | 4,000 | 1.25 V @ 200 ma | 5 µA @ 4 V | 6.2 v | 7欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CJD50 TR13 PBFRE | - | ![]() | 7076 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 | CJD50 | 1.56 w | DPAK | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 2,500 | 400 v | 1 a | 200µA | NPN | 1V @ 200mA,1a | 30 @ 300mA,10v | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7002A-M621 TR | - | ![]() | 4103 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 6个PowerVFDFN | MOSFET (金属 o化物) | TLM621 | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.21.0095 | 3,000 | n通道 | 60 V | 280mA(TA) | 5V,10V | 2ohm @ 500mA,10v | 2.5V @ 250µA | 0.592 NC @ 4.5 V | 40V | 50 pf @ 25 V | - | 900MW(TA) | |||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5963 PBFRE | 0.1414 | ![]() | 3032 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 1.5 w | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 2,500 | 30 V | 50 mA | 2NA(ICBO) | NPN | 200mv @ 500µA,10mA | 1200 @ 10mA,5V | 150MHz | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | CDM22012-800LRFP SL | - | ![]() | 4324 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3完整包 | CDM22012 | MOSFET (金属 o化物) | TO-220FP | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | n通道 | 800 v | 12a(12a) | 10V | 450MOHM @ 6A,10V | 4V @ 250µA | 52.4 NC @ 10 V | 30V | 1090 pf @ 100 V | - | 40W(TC) | ||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ18-1N4621-CT | - | ![]() | 5433 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 250兆 | 死 | - | 到达不受影响 | 1514-CPZ18-1N4621-CT | Ear99 | 8541.10.0040 | 1 | 1 V @ 200 MA | 7.5 µA @ 2 V | 3.6 v | 1700欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4679 TR PBFRE | 0.4530 | ![]() | 8825 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 500兆 | do-35 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.5 V @ 100 ma | 5 µA @ 1 V | 2 v | |||||||||||||||||||||||||||||||
2N3053 PBFRE | 2.8200 | ![]() | 334 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | 到205AD,TO-39-3 | 5 w | 到39 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0075 | 500 | 40 V | 700 MA | - | NPN | 1.4V @ 15mA,150mA | 50 @ 150mA,10V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5375 PBFRE | 0.2259 | ![]() | 5101 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-226-3,TO-92-3 to-226AA) | 360兆w | 到92 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | 30 V | 500 MA | 50NA(iCBO) | PNP | 1.3V @ 15mA,150mA | 40 @ 150mA,10v | 150MHz |
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