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参考图片 | 产品编号 | ((() | 数量 | ECAD | 可用数量 | (kg) | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 宽容 | 工作温度 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | (MSL) | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | 速度 | fet | (ih)(IH)) | 获得 | (VDSS) | 电流 -id(ID) @ 25°C | 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) | RDS(最大值) @ ID,VGS | VGS(TH)(最大) @ ID | (QG))(最大) @ vgs | VGS(VGS) | (ciss)(最大(ciss) @ vds | fet | ((() | 电压 -偏离状态 | ((rms)(rms)(最大) | (VGT)(VGT)(最大) | 当前-nonrep。Suger50,60Hz(iTSM) | (IGT)(IGT)(最大) | (vtm)(VTM)(最大) | scr | 二极管配置 | ((dc)(vr)(vr)(最大) | 电流 -io(io)(每个二极管) | 电压 -向前( -vf)(最大) @如果 | trr) | 电流 -反向泄漏 @ @ vr | 工作温度 -交界处 | 电流 -io(io) | 电容 @ vr,f | 电压 -收集器发射器故障(最大) | 电流 -ic(IC)(最大) | 当前 -收集器截止(最大) | 电压-Zener(Nom)(nom)(vz) | ((ZZT)) | 晶体管类型 | vce 饱和度(最大) @ ib,ic | (HFE)(最小) @ ic,vce | 频率 -过渡 | 噪声图( db typ @ f) |
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1N2838B PBFRE | - | ![]() | 6199 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 管子 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜175°C(TJ) | 通过洞 | TO-204AA,TO-3 | 1N2838 | 50 W | TO-3 | - | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 1514-1N2838BPBFRE | Ear99 | 8541.10.0050 | 20 | 1.5 V @ 10 A | 5 µA @ 76 V | 100 v | 20欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CXDM3069N TR PBFRE | 0.6000 | ![]() | 550 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | TO-243AA | CXDM3069 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-89 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 1,000 | n通道 | 30 V | 6.9a(ta) | 2.5V,10V | 30mohm @ 7a,10v | 1.4V @ 250µA | 11 NC @ 10 V | 12V | 580 pf @ 15 V | - | 1.2W(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N4250 | - | ![]() | 4097 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -55°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-106-3 DOMED | 200兆 | TO-106 | - | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 2,500 | 40 V | 10NA(ICBO) | PNP | 250mv @ 500µA,10mA | 250 @ 10mA,5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BU806 PBFRE | - | ![]() | 8568 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 通过洞 | TO-220-3 | BU806 | 60 W | TO-220-3 | 下载 | rohs3符合条件 | 不适用 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.29.0095 | 50 | 400 v | 8 a | 100µA | NPN | 1.5V @ 50mA,5a | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPR1F-010 bk | - | ![]() | 3950 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 上次购买 | CPR1F | - | 到达不受影响 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP788X-2N2605-CT | - | ![]() | 9324 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 托盘 | 积极的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 400兆 | 死 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | 1514-CP788X-2N2605-CT | Ear99 | 8541.29.0040 | 400 | 45 v | 30 ma | 10NA | 500MV @ 500µA,10mA | 150 @ 500µA,5V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEDM8004VL TR PBFRE | 0.3900 | ![]() | 12 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | SC-101,SOT-883 | CEDM8004 | MOSFET (金属 o化物) | SOT-883VL | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 8,000 | P通道 | 30 V | 450mA(ta) | 1.8V,4.5V | 1.1OHM @ 430mA,4.5V | 1V @ 250µA | 0.88 NC @ 4.5 V | 8V | 55 pf @ 25 V | - | 100mW(TA) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmlsh-4do tr pbfree | 0.4300 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | SOT-563,SOT-666 | CMLSH-4 | 肖特基 | SOT-563 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 2独立 | 40 V | 200mA | 1 V @ 200 MA | 5 ns | 500 na @ 25 V | -65°C〜150°C | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CS220-10M | - | ![]() | 1510 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -40°C〜125°C | 通过洞 | TO-220-3 | TO-220-3 | 下载 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.30.0080 | 400 | 30 ma | 600 v | 10 a | 1.5 v | - | 15 ma | 1.6 v | 标准恢复 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4754A bk pbfree | 0.0522 | ![]() | 6448 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.2 V @ 200 ma | 5 µA @ 29.7 V | 39 v | 60欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH1-40M621H TR | - | ![]() | 7163 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | 表面安装 | 6-xfdfn暴露垫 | 肖特基 | TLM621H | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 40 V | 600 mv @ 500 mA | 15 ns | 200 µA @ 40 V | -65°C〜150°C | 1a | 50pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5954B bk | - | ![]() | 2076 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 2,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 121.6 V | 160 v | 700欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR2-06 TR13 PBFRE | 0.5500 | ![]() | 7 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | CMR2-06 | 标准 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 标准恢复> 500ns,> 200ma(io(io) | 600 v | 1.1 V @ 2 A | 2.5 µs | 5 µA @ 600 V | -65°C〜150°C | 2a | 30pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5231B bk pbfree | 0.0900 | ![]() | 1298 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-76,SOD-323 | CMDZ5231 | 250兆 | SOD-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mv @ 10 ma | 5 µA @ 2 V | 5.1 v | 17欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSZ5258B bk pbfree | 0.0494 | ![]() | 7943 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMSZ5258 | 275兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 27 V | 36 V | 70欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1S-02 BK PBFRE | 0.3750 | ![]() | 6306 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | DO-214AA,SMB | CMR1S-02 | 标准 | SMB | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0080 | 500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 200 v | 950 MV @ 1 A | 35 ns | 5 µA @ 200 V | -65°C〜150°C | 1a | 10pf @ 4V,1MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ58X-1N4099-WN | - | ![]() | 6580 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | DO-204AH,DO-35,轴向 | 250兆 | do-35 | - | 1514-CPZ58X-1N4099-WN | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 10 µA @ 5.2 V | 6.8 v | 200欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMSZ5250B bk pbfree | 0.0494 | ![]() | 3520 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C〜150°C | 表面安装 | SC-70,SOT-323 | CMSZ5250 | 275兆 | SOT-323 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 mv @ 10 ma | 100 na @ 15 V | 20 v | 25欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5374B bk | - | ![]() | 3062 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | T-18,轴向 | 5 w | AX-5W | 下载 | 1514-1N5374BBK | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 V @ 1 A | 500 NA @ 56 V | 75 v | 45欧姆 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM7120-M832D BK | - | ![]() | 8278 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM7120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832D | 下载 | 1514-CTLDM7120-M832DBK | Ear99 | 8541.29.0095 | 1 | 2 n 通道(双) | 20V | 1a | 100mohm @ 500mA,4.5V | 1.2V @ 1mA | 2.4NC @ 4.5V | 220pf @ 10V | 逻辑级别门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP616-2N5160-CT | - | ![]() | 9165 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | - | 死 | - | 1514-CP616-2N5160-CT | 过时的 | 500 | - | 40V | 400mA | PNP | 10 @ 50mA,5V | 500MHz | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLDM8120-M832DS TR | - | ![]() | 9338 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 8-tdfn暴露垫 | CTLDM8120 | MOSFET (金属 o化物) | 1.65W | TLM832DS | 下载 | (1 (无限) | Ear99 | 8541.29.0095 | 3,000 | 2(p 通道(双) | 20V | 860ma(ta) | 150MOHM @ 950mA,4.5V | 1V @ 250µA | 3.56NC @ 4.5V | 200pf @ 16V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | cmpd914 bk pbfree | 0.0438 | ![]() | 4015 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | 表面安装 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | CMPD914 | 标准 | SOT-23 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0070 | 3,500 | 快速恢复= <500ns,> 200ma(io) | 75 v | 1 V @ 10 mA | 4 ns | 5 µA @ 75 V | -65°C〜150°C | 250mA | 4pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll459a bk | - | ![]() | 8102 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 过时的 | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 标准 | SOD-80 | - | 1514-CLL459ABK | Ear99 | 8541.10.0070 | 1 | 小信号= <200ma(io(io),任何速度 | 200 v | 1 V @ 100 ma | 25 na @ 200 V | -65°C 〜200°C | 200mA | 6pf @ 0v,1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5935B TR PBFRE | - | ![]() | 6452 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 1 µA @ 20.6 V | 27 V | 23欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5922B TR PBFRE | - | ![]() | 2777 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1.5 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 ma | 5 µA @ 6 V | 7.5 v | 3欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
1N4732A TR PBFRE | 0.0522 | ![]() | 8443 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 积极的 | ±5% | -65°C 〜200°C | 通过洞 | do-204al,do-41,轴向 | 1 w | do-41 | 下载 | rohs3符合条件 | (1 (无限) | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 V @ 200 ma | 10 µA @ 1 V | 4.7 v | 8欧姆 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | PN3646 APM TIN/LEAD | - | ![]() | 4795 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | (TB) | 过时的 | 下载 | (1 (无限) | 1514-PN3646APIN/LEADTB | Ear99 | 8541.21.0075 | 2,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cll4693 Tr | - | ![]() | 9765 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 胶带和卷轴((tr) | 过时的 | ±5% | -65°C 〜200°C(TJ) | 表面安装 | DO-213AC,迷你梅尔,SOD-80 | 500兆 | SOD-80 | 下载 | 1514-CLL4693TR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 ma | 10 µA @ 5.7 V | 7.5 v | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ58X-CMPZ5226B-WR | - | ![]() | 6709 | 0.00000000 | 中央半导体公司 | - | 大部分 | 积极的 | ±5% | -65°C 〜150°C(TJ) | 表面安装 | 死 | 500兆 | 死 | - | 1514-CPZ58X-CMPZ5226B-WR | Ear99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.1 V @ 200 ma | 25 µA @ 1 V | 3.3 v | 28欧姆 |
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